Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Ведущая презентация | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70В7519С200BCG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7519s200bcg8-datasheets-4139.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | 1 мм | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОКОВАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 200 МГц | 15 нс | 36б | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В016СА15ПХГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v016sa15phgi8-datasheets-4133.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 1 Мб | да | 1 мм | 1 | Нет | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 16б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| 709159L9PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 40 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709159l9pf8-datasheets-4128.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 360 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 9 нс | 26б | 9б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT6116SA15SO8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt6116sa15so8-datasheets-4120.pdf | СОИК | 15,4 мм | 7,5 мм | 24 | Параллельно | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 5В | 1,27 мм | 24 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,15 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г24 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,002А | 15 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65602С150ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150pfg-datasheets-4122.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | 1 | 325 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3,8 нс | 18б | 256КХ36 | 36 | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA15YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa15yi8-datasheets-4085.pdf | 20,955 мм | 10,16 мм | 32 | 32 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,12 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В7519С200БЦГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v7519s200bcg-datasheets-4048.pdf | БГА | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | 1 мм | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 2 | ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОКОВАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 200 МГц | 15 нс | 36б | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA12Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa12y-datasheets-4038.pdf | 20,955 мм | 3,3 В | 32 | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | 1 | 130 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В09Л20ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v09l20pfi-datasheets-4028.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 34б | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S150PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150pf8-datasheets-4011.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA15TYI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,7592 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa15tyi8-datasheets-4014.pdf | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,12 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V256SA10Y8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v256sa10y8-datasheets-3997.pdf | 17,9324 мм | 7,5184 мм | 28 | 28 | Параллельно | нет | 1 | EAR99 | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 32КХ8 | 8 | 262144 бит | 0,002А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||
| 70П269Л90БИГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p269l90bygi8-datasheets-3920.pdf | ТФБГА | 100 | 3В | 1,8 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | да | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 0,06 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 нс | 28б | 16КХ16 | 16 | 0,006А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7140SA100J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140sa100j8-datasheets-3895.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 155 мА | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 20б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7008S25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008s25j-datasheets-3893.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 512 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 32б | 64КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA12TY | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,7592 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa12ty-datasheets-3894.pdf | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P71604S250BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p71604s250bq8-datasheets-3888.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 1,8 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 1,9 В | 1,7 В | 20 | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,8 мА | Не квалифицирован | ГДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,325А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65602С150ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150pf-datasheets-3886.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 1 | 325 мА | е0 | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 18б | 256КХ36 | 36 | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3389С5БФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s5bfi-datasheets-3847.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 12 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ САМОСТОЯННОЙ ЗАПИСИ | Нет | 1 | 415 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 16б | 64КХ18 | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 71В67602С133ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | 0°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67602s133pfgi8-datasheets-3845.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | 1,4 мм | 1 | Нет | 280 мА | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 4,2 нс | 18б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA12PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa12ph-datasheets-3823.pdf | СОИК | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,13 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г32 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 12 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P73804S250BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 250 МГц | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p73804s250bq8-datasheets-3827.pdf | 165 | 165 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,65 мА | Не квалифицирован | DDR2, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,325А | 0,45 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70П269Л90БИГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p269l90bygi-datasheets-3806.pdf | ТФБГА | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 100 | 3В | 1,8 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | да | 1 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,6 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 0,06 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 нс | 28б | 16КХ16 | 0,006А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S150BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150bq-datasheets-3795.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7164L20TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7164l20tdb-datasheets-3774.pdf | КРИС | 37,72 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | Нет | 1 | 100 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 28 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-STD-883 Класс B | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ8 | 0,0002А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||
| 70В657С12BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v657s12bci8-datasheets-3759.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 515 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 15б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65803С100БГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65803s100bgi8-datasheets-3745.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 9 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 270 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 19б | 0,06А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70В24Л15ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24l15pf8-datasheets-3734.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 185 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 24б | 4КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| 7142SA100J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142sa100j8-datasheets-3740.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 155 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 нс | 22б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S150BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150bg8-datasheets-3731.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 3,3 В | 0,325 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04 А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3В |
