Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Режим доступа | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70П264Л40БИГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p264l40bygi-datasheets-2933.pdf | ТФБГА | 5 мм | 5 мм | 1,8 В | Без свинца | 81 | 1,9 В | 1,7 В | 81 | Параллельно | 256 КБ | да | 1 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 81 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 0,04 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 40 нс | 28б | 16КХ16 | 0,000006А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164S20YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164s20yi-datasheets-2934.pdf | 28 | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В07Л25ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v07l25pfi-datasheets-2930.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 80 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 80 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | 1 | 140 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 80 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 30б | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| 70Т651С12ДРИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t651s12dri-datasheets-2920.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 3,5 мм | 2 | Нет | 1 | 395 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,5 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71P73804S167BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 167 МГц | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p73804s167bq8-datasheets-2915.pdf | 165 | 165 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,475 мА | Не квалифицирован | DDR2, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,275А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164S20Y | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,556 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164s20y-datasheets-2888.pdf | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | 1 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 100 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71Т75902С75БГГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75902s75bgg8-datasheets-2868.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Без свинца | 119 | 8 недель | 2,625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | да | 2,15 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 275 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 20б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||
| 71В25761С183ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | -40°С | КМОП | 183 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v25761s183pfg8-datasheets-2860.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 340 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 183 МГц | 3,3 нс | 17б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||
| W971GG8SB-25 | Винбонд Электроникс Корпорейшн | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 60 | Параллельно | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | ДРУГОЙ | 1,9 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б60 | DDR2 SDRAM, ОЗУ | 128MX8 | 8 | 1073741824 бит | 0,4 нс | НЕСКОЛЬКО БАНКОВСКИХ СТРАНИЦ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71421LA20J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71421la20j-datasheets-2846.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 22б | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA10TYGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,7592 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa10tygi8-datasheets-2834.pdf | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 32 | Параллельно | 3A991.B.2.B | неизвестный | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,15 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 71V67803S150BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/integrateddevicetechnology-71v67803s150bq8-datasheets-2832.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 165 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Оловянный свинец | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,8 нс | 19б | 0,05А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 70П259Л90БИГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p259l90bygi8-datasheets-2830.pdf | ТФБГА | 100 | 3В | 1,8 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | да | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 90 нс | 26б | 8КХ16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P73604S167BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 167 МГц | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p73604s167bq8-datasheets-2831.pdf | 165 | 165 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,6 мА | Не квалифицирован | DDR2, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,275А | 0,5 нс | ОБЩИЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В08С35ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v08s35pf8-datasheets-2826.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР | Нет | 1 | 195 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 16б | 64КХ8 | 0,006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S100BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 100 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s100bq8-datasheets-2825.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т633С10БФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t633s10bfi-datasheets-2808.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 445 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 0,8 мм | 208 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 38б | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 7005С55ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s55pf8-datasheets-2794.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 26б | 8КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||
| 7133LA70J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7133la70j8-datasheets-2790.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 70 нс | 22б | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||
| 70T3599S133BFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3599s133bfgi-datasheets-2758.pdf | 15 мм | 15 мм | 2,5 В | Без свинца | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 4,5 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 450 мА | ОЗУ, СРАМ | 15 нс | 34б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70П259Л90БИГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p259l90bygi-datasheets-2744.pdf | ТФБГА | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 100 | 3В | 1,8 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | да | 1 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 2,6 В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 0,06 мА | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 нс | 26б | 8КХ16 | 0,006А | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S100BQ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s100bq-datasheets-2734.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04 А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||
| 71В35761СА200БГГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa200bggi8-datasheets-2735.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 260 | 119 | ОЗУ, СРАМ | 3,1 нс | 17б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71P72804S167BQ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 167 МГц | СИНХРОННЫЙ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p72804s167bq8-datasheets-2720.pdf | 165 | 165 | Параллельно | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1 мм | СРАМ | 1,5/1,81,8 В | 0,65 мА | Не квалифицирован | КДР, ОЗУ, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,3 А | 0,5 нс | ОТДЕЛЬНЫЙ | 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT7164S20TP | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | Рельс/Труба | 70°С | 0°С | КМОП | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt7164s20tp-datasheets-2710.pdf | ПДИП | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | 1 | EAR99 | 1 | 100 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | 225 | 5В | 2,54 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 7130SA25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130sa25j-datasheets-2693.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 8 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 1 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20б | 1КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| 70П259Л65БИГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70p259l65bygi8-datasheets-2634.pdf | ТФБГА | 100 | 3В | 1,8 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | да | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 65 нс | 26б | 8КХ16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В35Л15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v35l15pf-datasheets-2621.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 185 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 26б | 8КХ18 | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||
| 71В35761СА200БГГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa200bggi-datasheets-2619.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | ТРУБОПРОВОДНЫЙ | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 200 МГц | 3,1 нс | 17б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S100BG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | 2,36 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s100bg8-datasheets-2617.pdf | БГА | 22 мм | 14 мм | 119 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 3,3 В | 0,25 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 0,04 А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3В |
