Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 71Т75602С166БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s166bg8-datasheets-7588.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 119 | 8 недель | 2,625 В | 2,375 В | 119 | Параллельно | 18 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 245 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 19б | 0,04А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67603С150БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s150bqi-datasheets-7585.pdf | 15 мм | 1,2 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 325 мА | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | 1,2 мм | 1 | Нет | 325 мА | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 150 МГц | 3,8 нс | 18б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3389С4БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s4bf-datasheets-7564.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ САМОСТОЯННОЙ ЗАПИСИ | Нет | 1 | 460 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 32б | 64КХ18 | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65603С100ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65603s100pfgi8-datasheets-7562.pdf | TQFP | 20 мм | 1,4 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 270 мА | 100 | 8 недель | 657,000198мг | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 270 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 256КХ36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В07Л35Ж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v07l35j-datasheets-7559.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 68 | Параллельно | 256 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 120 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 30б | 0,003А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В424Л15ПХГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v424l15phg8-datasheets-7541.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 1 мм | 1 | Нет | 1 | 145 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 19б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7016S12J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7016s12j-datasheets-7540.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 144 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 325 мА | 68 | 18 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 12 нс | 28б | 9б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7025L30J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l30j8-datasheets-7537.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 0,3 мА | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 26б | 8КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V25761YS200PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 200 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v25761ys200pf-datasheets-7531.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 2,53,3 В | 0,36 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 3,1 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67903S85PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67903s85pfi8-datasheets-7533.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,21 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 87 МГц | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 0,07А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416Л12ЙГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416l12ygi8-datasheets-7489.pdf | 28,6 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 2,9 мм | 1 | Нет | 1 | 170 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556С166ПФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556s166pfgi-datasheets-7484.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 360 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | ПЛОСКИЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3389С4ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3389s4bc-datasheets-7480.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ САМОСТОЯННОЙ ЗАПИСИ | Нет | 1 | 460 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 32б | 64КХ18 | 0,015А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65803S133PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65803s133pfi8-datasheets-7458.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,32 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 0,06А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В65603С100ПФГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65603s100pfgi-datasheets-7456.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 8 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 9 Мб | да | 1,4 мм | 1 | СЧЕТЧИК ВСПЛЕСКОВ | Нет | 1 | 270 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 256КХ36 | 0,06А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В65803С150ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65803s150pf-datasheets-7454.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | СЧЕТЧИК ВСПЛЕСКОВ | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,325 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ18 | 18 | 9437184 бит | 0,04А | 3,8 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342SA45J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342sa45j8-datasheets-7446.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 240 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 45 нс | 24б | 4KX8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX29LV800CBXEI-90G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,3 мм | Соответствует RoHS | 8 мм | 6 мм | 48 | Параллельно | да | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 0,8 мм | 48 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б48 | ФЛЭШ, НО | 3В | 8MX16 | 16 | 134217728 бит | 8 | 0,000005А | 90 нс | ДА | ДА | 12115 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V25761SA200BQI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 200 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v25761sa200bqi8-datasheets-7441.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA70J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la70j-datasheets-7436.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 32 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 200 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 4 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 70 нс | 24б | 4KX8 | 0,0015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В416ВС10ФХ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vs10ph-datasheets-7433.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.A | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 256КХ16 | 16 | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т651С15ДР | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t651s15dr-datasheets-7426.pdf | ПКФП | 28 мм | 28 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 208 | Параллельно | 9 Мб | нет | 3,5 мм | 2 | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 2,5 В | 0,5 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 36б | 0,01 А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В3399С133БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3399s133bf-datasheets-7396.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 16 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 4,2 нс | 34б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005С20Г | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005s20g-datasheets-7388.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,68 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР | Нет | 1 | 290 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПЕРПЕНДИКУЛЯР | ПИН/ПЭГ | 240 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7005L35G | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7005l35g-datasheets-7385.pdf | 29,46 мм | 29,46 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 64 КБ | 3,68 мм | 2 | Нет | 210 мА | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 35 нс | 26б | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В658С10БФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v658s10bf8-datasheets-7376.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 16б | 64КХ36 | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7134ЛА70Л48Б | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7134la70l48b-datasheets-7371.pdf | ООО | 14,2 мм | 14,22 мм | 5В | Содержит свинец | 5,5 В | 4,5 В | 48 | Параллельно | 32 КБ | 1,78 мм | 2 | Нет | 220 мА | ОЗУ, СРАМ | 70 нс | 24б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9279Л7ПРФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 83,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9279l7prf8-datasheets-7365.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 128 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 128 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 290 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7 нс | 15б | 0,003А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S166BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s166bqg-datasheets-7352.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,35 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF321A-MH-Y | Микрочип | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-at25df321amhy-datasheets-7336.pdf |
