Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ACPL-P454-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 22 недели | 6 | EAR99 | ТТЛ-СОВМЕСТИМОСТЬ, ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР | Олово | е3 | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 25% при 16 мА | 60% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2801С-4-МА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | да | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | 4 | Транзистор | 0,03 А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 80В | 30 мА | 80В | 100нА | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ1-X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 16 | Нет | 400мВт | 4 | 250 мВт | 4 | 16-ДИП | 50В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 50В | 125 мА | 1,25 В | 1,9 мкс 1,4 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 50В | 20% при 10 мА | 300% при 10 мА | 700 нс, 1,4 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-J454-500E | Бродком Лимитед | 2,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplj454500e-datasheets-3085.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 8мА | 1,59 В | 8мА | 19% при 16 мА | 60% при 16 мА | 500 нс, 800 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-845М | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv815s-datasheets-6010.pdf | 16-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 12 недель | 16 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 4 | 4 | Оптопара — транзисторные выходы | 35В | 35В | 20 мА | Дарлингтон | 50 мА | 6 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 1000нА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2531VM | ОН Полупроводник | $3,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n136tvm-datasheets-6270.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | 891 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 250 нс, 260 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2805C-4-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2805c4a-datasheets-9925.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5мА | 16 недель | 16 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 4 | 4 | 80В | 30 мА | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 100нА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ2-X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 16 | Нет | 400мВт | 4 | 250 мВт | 4 | 16-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 125 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 500% при 10 мА | 1,2 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н45-000Э | Бродком Лимитед | 2,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-4n46000e-datasheets-0668.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 4Н45 | 600мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 100 кбит/с | 60 мА | 7В | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 500мВ | 30 В | 100 мА | 1,4 В | 60 мА | 200% при 10 мА | 1000% при 10 мА | 5 мкс, 150 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH636-X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh636-datasheets-6616.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ОДОБРЕНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 8мА | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 4420 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 400мВ | 400мВ | 1,5 В | 8мА | 30 % | 20 В | 19% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6326-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6326x009-datasheets-6444.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 50мВт | 2 | 50мВт | 2 | 25 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 4,5 В | 1,9 В | 8мА | 1,33 В | 8мА | 35 % | 19% при 16 мА | 200 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ2-X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $2,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 16-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 16 | Нет | 250 мВт | 4 | 16-ДИП | 70В | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 400 мА | 1,25 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 500% при 10 мА | 1,2 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW4502-300E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 11,15 мм | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 8мА | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 600 нс | ОДИНОКИЙ | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 8мА | 1,68 В | 8мА | 50 % | 15% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2733-1-ВА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27331a-datasheets-6481.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | 350В | Дарлингтон | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мкс 100 мкс | 50 мА | 4000% | 150 мА | 400 нА | 1500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0452#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, СОВМЕСТИМ С CMOS, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 50 % | 15% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4502#020 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2502 | Бродком Лимитед | 0,83 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl2502-datasheets-3103.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, СОВМЕСТИМ С CMOS, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 8мА | 15% при 16 мА | 22% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2933-1-V-F3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-SMD, плоские выводы | 16 недель | 1 | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 20 мкс 5 мкс | 50 мА | 60 мА | 350В | 400% при 1 мА | 4500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4502#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО VDE | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2530-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl2530500e-datasheets-3082.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 45мВт | 2 | 45мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-М700-500Е | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplm700500e-datasheets-3064.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | Без свинца | 22 недели | 5 | 100мВт | 1 | 5-СО | 7В | 20 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,4 В | 20 мА | 60 мА | 60 мА | 7В | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 5 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561DL-1Y-VLA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 80В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILQ1-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq1-datasheets-9848.pdf | 16-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 16 | Нет | 250 мВт | 4 | 250 мВт | 4 | 16-СМД | 50В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 50В | 400 мА | 1,25 В | 1,9 мкс 1,4 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 50В | 20% при 10 мА | 300% при 10 мА | 700 нс, 1,4 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801C-4-F3-MA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4 | 4 | Транзистор | 0,03 А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,12 Вт | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 30 мА | 80В | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-M49U-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 22 недели | 100мВт | 1 | 20 В | Транзистор | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,5 В | 20 мА | 8мА | 32% при 10 мА | 80% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2530SDM | ОН Полупроводник | 1,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530sd-datasheets-9937.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 720мг | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 2 | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2530-300E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl2530300e-datasheets-3049.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 45мВт | 2 | 45мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 1,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-070L-000E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl070l000e-datasheets-3070.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 500 мкА | Без свинца | 17 недель | CSA, UL, VDE | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 5В | 135 МВт | 1 | 135 МВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 60 мА | 7В | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 30 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,5 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 25 мкс, 50 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМА618А-4X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВОМА618А | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | /files/vishaysemiconductoroptodivision-voma618a3x001t-datasheets-5848.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 1 | 4-СОП | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,28 В | 1,8 мкс 1,7 мкс | 20 мА | 50 мА | 80В | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | 6,8 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH636-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh636-datasheets-6616.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 100мВт | 1 | 6-СМД | 8мА | 20 В | 25 мА | 1,5 В | Транзистор | 25 мА | 4420 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,5 В | 25 мА | 8мА | 30 % | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 300 нс, 300 нс | 400мВ |
