Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЛТВ-844М | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv814sta-datasheets-0226.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 12 недель | 16 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 200мВт | 4 | 35В | 35В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2531SDV | ОН Полупроводник | $3,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2531sd-datasheets-9991.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 792мг | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМА618А-2X001T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $2,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВОМА618А | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-voma618a3x001t-datasheets-5848.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 1 | 4-СОП | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,28 В | 1,8 мкс 1,7 мкс | 20 мА | 50 мА | 80В | 63% при 1 мА | 125% при 1 мА | 6,8 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-270Л#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 135 МВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 20 мА | Дарлингтон | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 60 мА | 1,5 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 25 мкс, 50 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCET4600G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $2,08 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet2600g-datasheets-7268.pdf | 16-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 16 | Нет | 250 мВт | 4 | 250 мВт | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 20% при 5 мА | 300% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 135 МВт | 6Н139 | 4,5 В | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 18В | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 18 мкс | 25 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 60 мА | 18В | 500% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 200 нс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-M51L-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-acplm51l000e-datasheets-4785.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 22 недели | е3 | Олово (Вс) | 1 | 24В | Транзистор | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 20 мА | 8мА | 8мА | 80% при 3 мА | 200% при 3 мА | 300 нс, 330 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD55-X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild55x007-datasheets-6491.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 400мВт | 2 | 8-СМД | 55В | 60 мА | 1,25 В | Дарлингтон | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 55В | 125 мА | 1,25 В | 10 мкс 35 мкс | 60 мА | 125 мА | 400 % | 125 мА | 55В | 100% при 10 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4502-320E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W50L-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw50l060e-datasheets-2978.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | 6 | EAR99 | ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, СОВМЕСТИМ TTL, ПРИЗНАНО UL, ОДОБРЕНО VDE | е3 | Олово (Вс) | 45мВт | 2,7 В | 1 | 45мВт | 1 | 1 Мбит/с | 24В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 93% при токе 3 мА | 200% при 3 мА | 200 нс, 380 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА202С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 2 | 8-СМД | 50В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4502-020E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD620-X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild620gb-datasheets-4850.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Олово | 400мВт | 2 | 8-СМД | 70В | 1,15 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,15 В | 20 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136#020 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | 8 | нет | ПРИЗНАНИЕ УЛ, СОВМЕСТИМОСТЬ ТТЛ, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР | Свинец, Олово | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 6Н136 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0501#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | нет | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Нет | е0 | Оловянный свинец | 5В | 100мВт | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 50 % | 8мА | 15% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 22 недели | 8 | нет | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 6Н136 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП109(ИГМ,Э) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp109igmtpre-datasheets-9709.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | неизвестный | 100мВт | 1 | 20 В | Транзистор | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,64 В | 20 мА | 8мА | 25% при 10 мА | 75% при 10 мА | 450 нс, 450 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА1ТВМ | ОН Полупроводник | 1,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11aa1sr2vm-datasheets-8706.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 7 недель | 864 мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,17 В | 20% | 50 мА | 50нА | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0501#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 27 % | 15% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0452#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО VDE | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 27 % | 15% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД050LR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fod053lr2-datasheets-0006.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 252 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 7В | 7В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2 мкс | 2 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 15% при 16 мА | 50% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136#320 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | 8 | нет | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100мВт | 6Н136 | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 600 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0700 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | Нет СВХК | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 135 МВт | 1 | 135 МВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,1 Мбит/с | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 0,000035 с | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1,6 мкс, 10 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА203С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 2 | 8-СМД | 85В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 500мВ | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 33% при 1 мА | 1000% при 1 мА | 7 мкс, 20 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0700#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 135 МВт | 1 | 135 МВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 20 мА | Дарлингтон с базой | 20 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,4 В | 60 мА | 300% при 1,6 мА | 2600% при 1,6 мА | 1,6 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ILD55-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild55x007-datasheets-6491.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 8 | Нет | 400мВт | 2 | 8-СМД | 55В | 1,25 В | Дарлингтон | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 55В | 125 мА | 1,25 В | 10 мкс 35 мкс | 60 мА | 125 мА | 400 % | 125 мА | 55В | 100% при 10 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2731SM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n139sm-datasheets-1489.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | 720мг | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | 8541.40.80.00 | е3 | Олово (Вс) | 2 | 2 | 100 кбит/с | 18В | Дарлингтон | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,06А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 20 мА | 60 мА | 60 мА | 500% при 1,6 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛДА212С | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | 2 | 150 мВт | 2 | 8-СМД | 30 В | 1 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 1 мА | 30 В | 300% при 1 мА | 30000% при 1 мА | 8 мкс, 345 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-4504-360E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 25% при 16 мА | 60% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL2531WV | ОН Полупроводник | 1,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2531sd-datasheets-9991.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 7 недель | 792мг | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | 2 | 100мВт | 2 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,7 В | 8мА | 1,45 В | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 300 нс |
