Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOCD207R1M_F132 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd207r1m-datasheets-3610.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 60 мА | 150 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,8 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ121Р1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121FR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F2SR2M_F132 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 60 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Д1СВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d1svm-datasheets-4102.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 810мг | 6 | да | Нет | 300мВт | 1 | 300мВт | 300В | 80 мА | Транзистор с базой | 80 мА | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 100 мА | 1,15 В | 100 мА | 300В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701BV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121EV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC207M_F132 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701BR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ271М | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct2200300-datasheets-2235.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | 260мВт | 1 | 260мВт | 30 В | 100 мА | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 7500Впик | 3В | 400мВ | 30 В | 50 мА | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 45% при 10 мА | 90% при 10 мА | 1 мкс, 48 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД617BS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | /files/onsemiconductor-fod617c-datasheets-1104.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801C-1-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Полоска | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | Нет | 120 мВт | 1 | 1,4 В | 5мА | Транзистор | 500 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 30 мА | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 30 мА | 80В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC217R2M_F132 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc215m-datasheets-2716.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1 | 8-СОИК | Транзистор с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,07 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОКД207М_Ф132 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mocd208r2m-datasheets-5060.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 8-СОИК | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 3,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 150 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7,5 мкс, 5,7 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701AV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2705R1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Г3ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11g3sr2m-datasheets-3868.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 7500Впик | 1,3 В | 60 мА | 55В | 200% при 1 мА | 5 мкс, 100 мкс | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1018-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 4 | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121FR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OPIA2210DTUE | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-opia5010atue-datasheets-3908.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,14 мм | 50 мА | 3,5 мм | 6,5 мм | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 200мВт | 1 | 100мВт | 1 | 350В | 50 мА | Транзистор с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 2 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 350В | 50 мА | 1,2 В | 2 мкс 3 мкс | 6В | 50 мА | 200нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||
| ФОД815С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod815sd-datasheets-3966.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД815W | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 105°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod815sd-datasheets-3966.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-ДИП | 35В | 50 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 300 мкс | 250 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||
| FODM2705R1V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM121ER1V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 174 юанейTM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 6 мкс | 3,5 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ121ДВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8153SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 105°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod815sd-datasheets-3966.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Нет СВХК | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-СМД | 35В | 50 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 300 мкс | 250 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | 1В | |||||||||||||||||||||||
| ФОДМ121АР1В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 400мВ |
