Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭЛ1119-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-2M-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, UL, VDE | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11A1 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,32 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Без свинца | 20 недель | Неизвестный | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | НПН | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | 200мВт | 80В | 60 мА | Транзистор с базой | 50 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 1,2 В | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135С | Лайт-Он Инк. | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-6n135sta1-datasheets-0588.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 8 | неизвестный | 100мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 20 В | 16 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 8мА | 1,4 В | 25 мА | 8мА | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 90 нс, 800 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-7Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 6 мкс | 29 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 80В | 100 мА | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 100 мА | 50 мА | 80% при 1 мА | 160% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| EL1119-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH600-1X007T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 50 мА | 35нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ618А-2Х001Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom618ax001t-datasheets-5000.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 11 недель | 4 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 5 мкс 4 мкс | 50 мА | 80В | 63% при 1 мА | 125% при 1 мА | 7 мкс, 6 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-1X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP182(ГБ,Э | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp182bltple-datasheets-0860.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ДА | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 80нА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH600-1X009T | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 50 мА | 35нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT5211SVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-mct5211svm-datasheets-4327.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 810,002575мг | 6 | да | 260мВт | 1 | 260мВт | 30 В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 30 В | 150 мА | 1,25 В | 150 мА | 30 В | 150% при 1,6 мА | 14 мкс, 2,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1112-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2801C-1Y-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 16 недель | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 1 | 1 | Транзистор | 0,03 А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 80В | 30 мА | 80В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561Л2-1-ВХА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561l1va-datasheets-6151.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Д1М | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-h11d1s-datasheets-1238.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 12 недель | 6 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 250 мВт | 1 | 1 | 300В | 300В | 10 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 300В | 100 мА | 1,2 В | 5 мкс 5 мкс | 60 мА | 100 мА | 20 % | 20% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-3M-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlight-cny17f3mv-datasheets-9696.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1110-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL1116-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | Нет | 250 мВт | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2705-1-Ф3-МА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | 1 | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 40В | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODB103 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2701AR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1118-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el1110g-datasheets-4273.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 20 недель | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,5 В Макс. | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FODM2705V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 155 мг | 4 | да | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 40В | 50 мА | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 80 мА | 1,4 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2303(TPR,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2303tple-datasheets-5260.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | ДА | 1 | 1 | 1,6 мА | 1,47 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 20 мА | 80 мА | 18В | 500% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp292gbtple-datasheets-6962.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ДА | 200мВт | 1 | 1 | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 50000нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ352 | ОН Полупроводник | 0,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФОДМ352 | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm352-datasheets-4250.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 7 недель | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | Дарлингтон | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 20 мкс 100 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2801С-4-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | Нет | 120 мВт | 4 | 80В | 5мА | Транзистор | 500 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 300мВ | 30 мА | 1,2 В | 5 мкс 7 мкс | 30 мА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 10 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCLT1114 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tclt1113-datasheets-8196.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 5 выводов | 6 недель | Нет | 250 мВт | 1 | 6-СОП, 5-контактный | 70В | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н38ТВМ | ОН Полупроводник | $29,84 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d3m-datasheets-4627.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 2 недели | 864 мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | е3 | Олово (Вс) | 260мВт | 4Н38 | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | 10 мА | Транзистор с базой | 80 мА | Транзисторный выход оптопара | 5 мкс | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 100 мА | 1,15 В | 80 мА | 100 мА | 20 % | 50нА | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс |
