Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | Радиационная закалка | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 171 юаней | ОН Полупроводник | $64,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | 260мВт | 1 | 260мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 90 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 4 мкс | 20 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||
| 172300 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| CNX35U300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 40% при 10 мА | 160% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 171 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| 172 юаня | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 260мВт | 1 | 6-СМД | 70В | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 300мВ | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||
| 1723 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| CNY1743SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| 171 юанейFVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 60 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| 174300 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| CNX39U3SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 60% при 10 мА | 100% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| CNW138 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnw138300-datasheets-2871.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Дарлингтон с базой | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 100 мА | 60 мА | 7В | 300% при 1,6 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNX83A300W | ОН Полупроводник | $3,65 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx82aw-datasheets-2937.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 100 мА | 50В | 40% при 10 мА | 250% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| 4Н30СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н30 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||
| CNY172FM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| CNY1733SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cny173-datasheets-2208.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 1 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| CNX48U3S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 350% при 500 мкА | 3,5 мкс, 36 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CNX39US | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 60% при 10 мА | 100% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| CNW82S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnw82sd-datasheets-2895.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5900 В (среднеквадратичное значение) | 100 мА | 50В | 0,4% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н363С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н36 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| CNX82AW | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx82aw-datasheets-2937.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 100 мА | 50В | 40% при 10 мА | 250% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| CNX82A300W | ОН Полупроводник | $26,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx82aw-datasheets-2937.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 100 мА | 50В | 40% при 10 мА | 250% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| CNX36USD | ОН Полупроводник | $4,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 80% при 10 мА | 200% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| CNX38U3SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 80В | 70% при 10 мА | 210% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| CNX38USD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 80В | 70% при 10 мА | 210% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| CNW83300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnw82sd-datasheets-2895.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор с базой | 5900 В (среднеквадратичное значение) | 100 мА | 50В | 0,4% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNX48U300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11b1300-datasheets-2364.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 100 мА | 30 В | 350% при 500 мкА | 3,5 мкс, 36 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CNX39U300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cnx36u3sd-datasheets-2905.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 100 мА | 100 мА | 30 В | 60% при 10 мА | 100% при 10 мА | 20 мкс, 20 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37СД | ОН Полупроводник | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | 250 мВт | 4Н37 | 1 | 250 мВт | 30 В | 100 мА | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 30 В | 1,18 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||||||
| 4Н28СР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 810мг | 6 | да | Нет | 150 мВт | 4Н28 | 250 мВт | 1 | 30 В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 1,18 В | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | ||||||||||||||||
| 4N30W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н30 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В |
