Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 4Н33СД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н33 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н28В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н28 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н31С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | 250 мВт | 4Н31 | 250 мВт | 1 | 30 В | 80 мА | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1,2 В | 30 В | 150 мА | 150 мА | 150 мА | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н135С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | 0°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 792,000628мг | 8 | Нет | 100мВт | 6Н135 | 1 | 100мВт | 1 | 8-СМД | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | 1,7 В | Транзистор с базой | 25 мА | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 8мА | 20 В | 7% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | |||||||||||||||||||||||
| 6Н136В | ОН Полупроводник | $3,09 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-hcpl2530s-datasheets-4862.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 6Н136 | 1 | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 19% при 16 мА | 50% при 16 мА | 450 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 1,6 мА | Без свинца | 792,000628мг | Нет СВХК | 8 | Нет | 100мВт | 6Н139 | 1 | 100мВт | 1 | 8-СМД | 18В | 20 мА | 1,7 В | Дарлингтон с базой | 20 мА | 60 мкс | 25 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 60 мА | 1,3 В | 20 мА | 60 мА | 1300 % | 60 мА | 18В | 500% при 1,6 мА | 1,5 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||
| 4Н38СД | ОН Полупроводник | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н38 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 80 мА | 100 мА | 80В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н139В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 6Н139 | 1 | Дарлингтон с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 20 мА | 60 мА | 18В | 500% при 1,6 мА | 1,5 мкс, 7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N38300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н38 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 80 мА | 100 мА | 80В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н31В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н31 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н37 | 1 | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н33 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н38300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d2300-datasheets-2258.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н38 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 80 мА | 100 мА | 80В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н30С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н30 | 1 | 6-СМД | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н27ТМ | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 6 | 150 мВт | 4Н27 | 1 | 250 мВт | 1 | 1 | 6-ДИП | 30 В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 2 мкс | 7500Впик | 6В | 500мВ | 30 В | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 10% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н37С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н37 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н138В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-6n138-datasheets-2330.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | совместимый | 6Н138 | 1 | Дарлингтон с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 20 мА | 60 мА | 7В | 300% при 1,6 мА | 1,5 мкс, 7 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N363SD | ОН Полупроводник | 0,53 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 | Нет | 250 мВт | 4Н36 | 1 | 250 мВт | 30 В | 100 мА | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 30 В | 1,18 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н29В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н29 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35ТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н35 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36СД | ОН Полупроводник | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н36 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н36 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35ФВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н35 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н33300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н33 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н36 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н29С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | совместимый | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4Н29 | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Дарлингтон с базой | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 0,08А | ОДИНОКИЙ | 0,00004 с | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 100% | 30 В | 150 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36ФМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н36 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н35ФМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 4Н35 | 1 | 6-СМД | Транзистор с базой | 7500Впик | 1,18 В | 60 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N25300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n27-datasheets-2227.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 4Н25 | 1 | 6-ДИП | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,18 В | 100 мА | 30 В | 20% при 10 мА | 2 мкс, 2 мкс | 500мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32300 | ОН Полупроводник | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | /files/onsemiconductor-4n29-datasheets-2265.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4Н32 | 1 | 6-ДИП | Дарлингтон с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 80 мА | 150 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В |
