Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Максимальное | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP781F(D4-Y-LF7,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817XJ0000F | Острая микроэлектроника | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4,58 мм | 20 мА | 3,5 мм | 6,5 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 80В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 6В | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4ГЛ-Ф6,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501AL-1-E3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 30 мА | 1,4 В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 30 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531(GR-LF2,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(Д4-ГР-ФД,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7AJ0000F | SHARP/Цокольная технология | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 мА | Без свинца | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 35% при 1 мА | 70% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2521Л-2-Е3-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps2521l2e3a-datasheets-8544.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 2 | 8-СМД | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 3 мкс 5 мкс | 150 мА | 50 мА | 80В | 20% при 100 мА | 80% при 100 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(Y-TP7,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(GRH-T7,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 150% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q410NIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q410nip0f-datasheets-8512.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 170 мВт | 4 | 80В | 10 мА | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100нА | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81410NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81411nsz0f-datasheets-6918.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRLL6TC,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(D4,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ОДИНОКИЙ | 0,000003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(YH-TP7,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 75% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК4H520NIP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4h520nip0f-datasheets-8558.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 210мВт | 1 | 4-мини-квартира | 350В | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 1,4 В | 120 мА | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 120 мА | 120 мА | 350В | 1000% при 1 мА | 1,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q64J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q64-datasheets-6699.pdf | 80В | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | 170 мВт | 4 | 4 | 16-мини-квартира | 35В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 35В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2503-2-А | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 20 мкс 30 мкс | 80 мА | 30 мА | 40В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 250 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q67J0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2007 год | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 16 | 170 мВт | 4 | 4 | 16-мини-квартира | 35В | 35В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 35В | 120% при 1 мА | 1500% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC713V0YSZXF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc713v0nizxf-datasheets-7535.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | 6 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | 80В | Транзистор с базой | 50 мА | Транзисторный выход оптопара | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП781Ф(БЛЛ-ТП7,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7DJ0000F | SHARP/Цокольная технология | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 мА | 4,4 мм | Без свинца | Неизвестный | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 6В | 50 мА | 120% при 1 мА | 240% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3Х715НИП0Ф | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 10 мА | 1,2 В | Транзистор | 10 мА | 18 мкс | 18 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 140% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(ГБ,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УТВЕРЖДЕНО УЛ | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GR-TP7,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4ГР-Т6,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4BLL-TP6,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531(GR,F) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ПДИП | Без свинца | НЕТ | 85°С | -25°С | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,07А | 0,05А | 2500В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 0,15 Вт | 1,3 В | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-LF7,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81712NIP0F | Острая микроэлектроника | $6,17 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | 5мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 160% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ |
