Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Тип входа | Текущий - Поставка | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Емкость | Длина | Входной ток | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал | Базовый номер детали | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Входное напряжение смещения (Vos) | Скорость нарастания | Количество цепей | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Стиль завершения | Тип выхода | Схема | Напряжение — вход | Выбросить конфигурацию | Тип реле | Напряжение – нагрузка | Ток нагрузки | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Общая высота | Контрольный ток | Управляющее напряжение | Общая длина | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальное напряжение изоляции | Особенности монтажа | Тип усилителя | Логическая функция | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Непрерывный ток коллектора | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Тип диода | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Темный ток-Макс. | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Емкость @ Вр, Ф | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Схема мультиплексора/демультиплексора | Напряжение питания, одиночное (В+) | Переключатель цепи | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи | Ток – входное смещение | Напряжение — входное смещение | Коэффициент емкости | Состояние коэффициента емкости |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТЛП626(ТП1,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp626tp1f-datasheets-2541.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 4 | Нет | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 55В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,15 В | 8 мкс 8 мкс | 50 мА | 100% при 1 мА | 1200% при 1 мА | 10 мкс, 8 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1109,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | 100мВт | 100мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP291(ГБ-ТП,Э) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp291tpe-datasheets-7915.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | да | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 4 мкс 7 мкс | 50 мА | 80нА | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 7 мкс, 7 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1103МФВ(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | СОТ-723 | 12 недель | 3 | Нет | НПН | 150 мВт | РН110* | Одинокий | 150 мВт | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 70 | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3924(TP15,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 3,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3924tp15f-datasheets-6082.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 12 недель | 4 | 1 | 30В | 20 мА | Фотоэлектрический | 30 мА | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 1,3 В | 4мкА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2105MFV,L3F(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-YH,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 75% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1310(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-70, СОТ-323 | 11 недель | 3 | неизвестный | НПН | 100мВт | Одинокий | 100мВт | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 120 | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4GRT7FD,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2103(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4ADGBT7,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4052BFELNF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 14 недель | 2 | 16-СОП | 30 МГц | Демультиплексор, Мультиплексор | 160Ом | 4:1 | 3В~18В | СП4Т | 100 нА | 0,2пФ 5пФ | 4Ом | -50 дБ @ 1,5 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-GRL,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC4053AFT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 1999 год | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 16 | 12 недель | 5,5 В | 2В | 37Ом | 16 | 3 | 180мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 74VHC4053 | 2 | ОДНОСТОРОННИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | НЕ УКАЗАН | 3 | 280 МГц | 37Ом | 45 дБ | 5Ом | 2:1 | 2В~5,5В | SPDT | 100 нА | 0,5 пФ 8,2 пФ | 12нс, 12нс | 5 Ом | -45 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(ГРЛ-Т7,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HCT4052D | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 2 | 180 МГц | 150Ом | 4,5 В~5,5 В ±1 В~5 В | 4:1 | СП4Т | 2мкА | 3,5 пФ | 60 нс, 48 нс | 6 Ом | -60 дБ @ 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4-BL-SD,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP7820(TP4,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 12 мА | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | НЕ УКАЗАН | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | 1 | 230 кГц | Дифференциал | Изоляция | 4,5 В~5,5 В | 5,5 нА | 900 мкВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(D4TELS,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC75W51FU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 120 мкА | 120 мкА | Соответствует RoHS | 1998 год | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) | 12 недель | TC75W51 | 2мВ | 0,5 В/мкс | 2 | СМ8 | Общего назначения | 600 кГц | 1,5 В~7 В ±0,75 В~3,5 В | 1пА | 2мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(D4GBF7,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP7820(D4A,TL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Трубка | 1 (без ограничений) | 2,3 мм | Соответствует RoHS | 7,5 мм | 5,85 мм | 8 | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 105°С | -40°С | 5,5 В | 4,5 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(TOJS-TPR,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 1 | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 40 мкс 15 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1СВ322(ТПХ3,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2009 год | 10 В | СК-76, СОД-323 | 29,5 пФ | Без свинца | 2 | Нет | 1СВ322 | Варакторы | Одинокий | 10 В | 7,1 пФ @ 4 В 1 МГц | 4.3 | С1/С4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(БЛ,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ОДИНОКИЙ | 0,000003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП3341(ТП15,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП3341 | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3341tp15f-datasheets-1896.pdf | 4-СМД (0,128, 3,25 мм) | 12 недель | неизвестный | 8541.40.95.00 | 85°С | -40°С | 1 | Твердотельные реле | Вкладка SMD (SMT) | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | 0 В~40 В | 140 мА | 1,65 мм | 0,005А | 1В | 2,85 мм | 500В | 10Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4NKODGB7F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP4176G(ТП,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП4176Г | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp4176gtpf-datasheets-1056.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 12 недель | 25 Ом | 4 | Нет | 1,3 В | 120 мА | 350В | 120 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НК (1 форма Б) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~350В | 1,5 кВ | 50 мА | 25 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP127(FJDK-TL,U,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 1 | Дарлингтон | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 40 мкс 15 мкс | 50 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3475(TP,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП3475 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3475tpf-datasheets-6312.pdf | 4-СМД (0,096, 2,45 мм) | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 65°С | -20°С | 1 | Вкладка SMD (SMT) | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,27 В постоянного тока | 0В~50В | 300 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР | 0,02 А | 300В | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 1,5 Ом |
