Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение запуска | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Максимальное | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP785(БЛЛ,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 0,000003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП512(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550(ФАНУК,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP383(BL-TPL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП552(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532(ГРЛ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.40.80.00 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 85°С | -25°С | 1 | Транзисторный выход оптопара | 0,07А | 2500В | ОДИНОКИЙ | 100% | 55В | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731(D4-GB-LF2,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Транзисторный выход оптопара | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП552(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2014 год | ОКУНАТЬ | Без свинца | 8 | Нет | 5,5 В | 1 | 85мВт | 1,2e-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 50 мА | 20 мА | 1,8 В | 2,5 кВ | 20 мА | 30 нс | 30 нс | 120 нс | 5В | 1000 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП126(МБС-ТПЛ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F(D4-LF4,M,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП734(Д4-ГРЛ,М,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП733(Д4-С173,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор с базой | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 55В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734(М,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2702-1-ВА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27021f3a-datasheets-5274.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | Дарлингтон | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 200 мкс 200 мкс | 50 мА | 2000% | 40В | 200 мА | 40В | 400 нА | 200% при 1 мА | 1В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750(NEMIC-LF2,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP631(ГБ-LF1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532(GR-LF2,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП552(ЛФ1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП120(ТПЛ,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2010 год | 6-SMD (4 вывода), крыло чайки | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП627-2(ХИТОМК,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП750(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | $2,44 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | НЕТ | 100°С | -55°С | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,025А | 0,008А | 5000В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 0,1 Вт | 1,85 В | 5% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП624-4(ЛФ1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП734(Д4-С174,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 4000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 55В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2701-1-КА | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP373(МБС,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП551(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | Транзистор с базой | 25 мА | 0,025А | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 8мА | 15 В | 10% при 16 мА | 300 нс, 1 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4-ЛФ6,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП570(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ПДИП | Без свинца | 6 | Нет | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70 мА | 1,3 В | 2,5 кВ | 5В | 1,2 В | 35В | 150 мА | 2000 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП732(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | ПДИП | НЕТ | 100°С | -55°С | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,06А | 0,05 А | 4000В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 0,00001 с | 0,15 Вт | 1,3 В | 50% |
