Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL-354-00AE | Бродком Лимитед | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 16 недель | UL | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 170 мВт | 170 мВт | 1 | 35В | 35В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 35В | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ1014(ТА)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,84 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlight-el1014tavg-datasheets-4245.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | 20 недель | Неизвестный | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО VDE | НПН | 250 мВт | 1 | 1 | 250 мВт | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,45 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 4 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501L-1-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | 0,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps25011ha-datasheets-5294.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 6В | 1 | 1 | 80 мА | Транзистор | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 80В | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н31-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | Нет | 200мВт | 1 | 6-ДИП | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 1,2 В | 60 мА | 55В | 50% при 10 мА | 5 мкс, 40 мкс (макс.) | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н36-Х000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n37x000-datasheets-5347.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 4Н36 | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 30 В | 60 мА | 1,2 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 30 В | 100 мА | 1,2 В | 60 мА | 50 мА | 50 % | 50 мА | 30 В | 100% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-715ФМ | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteon-ltv715fm-datasheets-4246.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 недель | 6 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 35В | 50 мА | Дарлингтон | 50 мА | 250 мкс | 250 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 171 юанейTVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 60 мА | Без свинца | 7 недель | 864 мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 4 мкс | 20 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000004 с | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-826С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv816s-datasheets-5773.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 12 недель | 8 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 200мВт | 200мВт | 2 | 80В | 80В | 20 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-3S(ТБ)-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ217БР2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФОДМ217 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm217av-datasheets-5515.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 7 недель | 120мг | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б2С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 200% | 200% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОМ617А-1Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom617a8t-datasheets-7079.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 49 недель | 4 | Нет | 170 мВт | 1 | 80В | 5мА | Транзистор | 60 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 80В | 100 мА | 100 мА | 40% при 5 мА | 80% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-4 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 20 недель | Неизвестный | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | НПН | 200мВт | 1 | 1 | 200мВт | 80В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCET1104 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet1108-datasheets-5277.pdf | 70В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | 4 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 265мВт | 1 | 265мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б2С1(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 200% | 200% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н25-Х000 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,52 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-4n25x009-datasheets-5561.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 4Н25 | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 70В | 100 мА | 1,36 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50 % | 30 В | 50нА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-2S1(TA)-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581AL2-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2581al2a-datasheets-5630.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | 150 мВт | 1 | Транзистор | 30 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 70В | 30 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВОС615А-2Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vos615a3t-datasheets-7071.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 11 недель | 4 | 1 | 170 мВт | 1 | 4-ССОП | 80В | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б3С1(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-1S(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2701-1-F3-HA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27011f3a-datasheets-7710.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | 4-СМД | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,1 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 80 мА | 40В | 50% при 5 мА | 300% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-8 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 14 недель | 4 | Нет | 70мВт | 1 | 70мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,43 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL817 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 100В | Без свинца | 20 недель | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, UL, VDE | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 35В | 35В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 35В | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-715ФС-ТА | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteon-ltv715fsta-datasheets-4209.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 6 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 170 мВт | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B3S1(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-2-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2501L-1-F3-MA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,08А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 240% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11B3S(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2ЕС(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс |
