Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Расстояние между строками | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТИЛ111С(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,22 В | 6 мкс 8 мкс | 2мА | 12,5% | 50нА | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1110G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1110-datasheets-8075.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 14 недель | Нет СВХК | 6 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 15 мкс | ОДИНОКИЙ | 10,16 мм | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 9 мкс 18 мкс | 50 мА | 100% | 100% при 10 мА | 15 мкс, 15 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| PS2561DL2-1Y-F3-A | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561dl21yla-datasheets-5453.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561DL-1Y-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561dl21yla-datasheets-5453.pdf | 4-СМД | 16 недель | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,04А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-733М | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 недель | 6 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 35В | 50 мА | Транзистор с базой | 50 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКДТ1100 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1102g-datasheets-4706.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | 6 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 32В | 32В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,25 В | 7 мкс 6,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 32В | 40% при 10 мА | 11 мкс, 7 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ211(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ212(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 50% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3С1(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ215(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el208ta-datasheets-4366.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | Нет | 240мВт | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,3 В | 1,6 мкс 2,2 мкс | 20% при 1 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA3S1(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2561D-1Y-LA | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | Нет | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 80В | 1,2 В | Транзистор | 1А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,2 В | 3 мкс 5 мкс | 40 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б2М | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 200% | 200% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1123 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | 6 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 90В | 50 мА | 1,25 В | 4,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7 мкс, 5 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H4(A)(EA)-G | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h4g-datasheets-5751.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 6 мкс 8 мкс | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКДТ1120 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | Нет СВХК | 6 | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 9 мм | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 90В | 300мВ | 90В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 3,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 5,5 мкс, 4 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||
| FODM121B | ОН Полупроводник | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 50 мА | Без свинца | 9 недель | 155 мг | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| АКПЛ-214-50АЭ | Бродком Лимитед | 0,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 мА | Без свинца | 17 недель | ЦСА, УЛ | Нет СВХК | 4 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Олово | Нет | е3 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 2 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000002 с | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,2 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 1 мА | 250% при 1 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||
| ЯНВ4Н23У | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ttelectronicsoptektechnology-jantx4n49u-datasheets-0393.pdf | 6-LCC | 1 | 6-ЛЦУ (4,32х6,22) | Транзистор с базой | 1000 В постоянного тока | 1,3 В Макс. | 15 мкс 15 мкс Макс. | 50 мА | 6мА | 35В | 60% при 10 мА | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11АА3С(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б255С(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 100% | 100% при 10 мА | 25 мкс, 18 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Б2М-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 55В | Дарлингтон с базой | 60 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1В | 1,2 В | 200% | 200% при 1 мА | 25 мкс, 18 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИЛ111С1(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,22 В | 6 мкс 8 мкс | 2мА | 12,5% | 50нА | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCET1110 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 110°С | -40°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcet1113g-datasheets-5541.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | 4 | Нет | 265мВт | 1 | 265мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 6 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 174 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 6 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||
| PS2561-1-WA | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesas-ps25611wa-datasheets-4310.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 260% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA3S(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | да | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,06А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10 мкс 10 мкс Макс. | 50% | 50нА | 50% при 10 мА | 10 мкс, 10 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP290(GR,SE | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp290gbse-datasheets-5702.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | Неизвестный | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1120G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 14 недель | Неизвестный | 6 | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 90В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 90В | 50 мА | 1,25 В | 3 мкс 3,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 5,5 мкс, 4 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||
| ФОДМ121АВ | ОН Полупроводник | $70,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 9 недель | 155 мг | 4 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 80В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 80 мА | 1,3 В Макс. | 3 мкс 3 мкс | 80 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА |
