Триаковые оптоизоляторы(1635)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Режим работы	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/ключи	Количество окончаний	Срок выполнения заказа на заводе	Утверждающее агентство	Количество контактов	Код Pbfree	ECCN-код	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Номинальное входное напряжение	Достичь соответствия кода	Максимальное входное напряжение	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Положение терминала	Количество вариантов	Рассеяние активности	Количество элементов	Код JESD-30	Поставщик пакета оборудования	Максимальный выходной ток	Выходной ток	Прямой ток	Тип выхода	Включить время задержки	Среднеквадратичный ток (Irms)	Максимальный ток во включенном состоянии	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Применение транзистора	Полярность/Тип канала	Рассеиваемая мощность-Макс (Абс)	DS Напряжение проба-мин.	Технология полевых транзисторов	Напряжение – изоляция	Удерживай ток	Обратное напряжение проба	Время включения	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Выходной ток на канале	Напряжение – выключенное состояние	Ток — удержание (Ih)	Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.)	Схема пересечения нулей	Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.)	Статическое dV/dt (мин)	Входной триггерный ток, номинальный	Максимальный сток (Abs) (ID)	Максимальный импульсный ток стока (IDM)
IL4118-X016	Подразделение Vishay Semiconductor Opto		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)		Соответствует ROHS3	1995 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il4118-datasheets-5816.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)		6 недель	BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR, VDE	6			ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE	Нет	1,3 В		1,5 В	е3	Матовый олово (Sn)			1	500мВт	1			300 мА	300 мА	60 мА	Триак	35 мкс	300 мА	0,3 А		ОДИНОКИЙ						5300 В (среднеквадратичное значение)	200 мкА	6В		1,3 В		300 мА	800В	200 мкА		Да	1,3 мА	10 кВ/мкс	0,7 мА
H11C33S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C43S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		400В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C23S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C3300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C3S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C3W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			УР													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C2W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			УР													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C2300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C23SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C5300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		400В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C4300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		400В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C3300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C1300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
4Н39	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		200В	1 мА	300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C13S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C2300W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
4Н40СД	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		400В	1 мА	300 мА	Нет	14 мА	500 В/мкс
H11C2SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
FODM3082	Рочестер Электроникс, ООО		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)		Соответствует ROHS3		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-fodm3082-datasheets-2495.pdf	4-СМД, Крыло Чайки			кУЛ, УЛ													1				4-СМД				Триак											3750 В (среднеквадратичное значение)				1,5 В Макс.	60 мА		800В	300 мкА, тип.	70 мА	Да	10 мА	600 В/мкс
H11C1S	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
4Н40300	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2001 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР, ВДЕ													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		400В	1 мА	300 мА	Нет	14 мА	500 В/мкс
4Н40С	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		400В	1 мА	300 мА	Нет	14 мА	500 В/мкс
MOC3023TM	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			UL													1				6-ДИП				Триак											4170 В (среднеквадратичное значение)				1,15 В	60 мА		400В	Тип 100 мкА.		Нет	5мА
4Н40	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ			https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)	3		УР		да	EAR99				совместимый		е3	Олово (Вс)	НЕТ	ОДИНОКИЙ	1		1	Р-ПСФМ-Т3					СКР				КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	Н-КАНАЛЬНЫЙ	235 Вт	400В	МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК	5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		400В	1 мА	300 мА	Нет	14 мА	500 В/мкс		23А	92А
H11C4	ОН Полупроводник	$5,73	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		400В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
4N40W	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2001 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-ДИП (0,400, 10,16 мм)			УР													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		400В	1 мА	300 мА	Нет	14 мА	500 В/мкс
4Н393СД	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n403s-datasheets-2474.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)			50 мкс (макс.)	1,1 В	60 мА		200В	1 мА	300 мА	Нет	30 мА	500 В/мкс
H11C13SD	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-СМД, Крыло Чайки			УР, ВДЕ													1				6-СМД				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс
H11C1	ОН Полупроводник		запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать		Сквозное отверстие	-55°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			2003 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf	6-ДИП (0,300, 7,62 мм)			УР													1				6-ДИП				СКР											5300 В (среднеквадратичное значение)				1,2 В	60 мА		200В		300 мА	Нет	20 мА	500 В/мкс

Триаковые оптоизоляторы(1635)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии