Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТриаковые оптоизоляторы(1635)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Масса | Утверждающее агентство | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Достичь соответствия кода | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Поставщик пакета оборудования | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение запуска | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальное | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Удерживай ток | Обратное напряжение проба | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Напряжение – выключенное состояние | Ток — удержание (Ih) | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Схема пересечения нулей | Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) | Статическое dV/dt (мин) | Входной триггерный ток, номинальный | Пиковое напряжение в выключенном состоянии-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H11C53S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160G(MBS-TR,U,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC3010FR2VM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Триак | 7500Впик | 60 мА | 250 В | Тип 100 мкА. | Нет | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C6W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC3011FM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без блокировки) | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Триак | 7500Впик | 60 мА | 250 В | Тип 100 мкА. | Нет | 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C53SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MOC3010TVM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3023tm-datasheets-2497.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 864 мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 6 | да | 1,15 В | 1,5 В | 1 | 330мВт | 1 | 60 мА | Триак | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 100 мкА | 3В | 250 В | Тип 100 мкА. | Нет | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП160Г(ИФТ5,У,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 4 | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 100 мкс | Симисторный выход оптопара | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК3010ФР2М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 6-СМД, Крыло Чайки | 1 | 6-СМД | Триак | 7500Впик | 60 мА | 250 В | Тип 100 мкА. | Нет | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП160Г(ДМТ7-ТПЛ,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Симисторный выход оптопара | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160G(T7-TPL,U,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160G(T7-TPR,U,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160J(V4T7,U,C,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК3020 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-moc3020-datasheets-2579.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 1 | 6-ДИП | Триак | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 50 мА | 400В | 100 мкА | Нет | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161J(ТПЛ,У,К,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2010 год | 4 | Медь, Золото, Серебро, Олово | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 70 мА | 50 мА | 1,3 В | 2,5 кВ | 50 мА | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160J(V4OM5TRUCF | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C6SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S11ME5 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-s21me6iy-datasheets-2412.pdf | ОКУНАТЬ | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | Симисторный выход оптопара | 0,05А | 5000В | ОДИНОКИЙ | 100 мкА | 100 мА | 10 мА | 400В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C43S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C23S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C2300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C23SD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | УР, ВДЕ | 1 | 6-СМД | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C5300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C4300 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 400В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C3300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 30 мА | 500 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11C1300W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11c4-datasheets-2498.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | УР, ВДЕ | 1 | 6-ДИП | СКР | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 60 мА | 200В | 300 мА | Нет | 20 мА | 500 В/мкс |
