Модули памяти – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Модули памяти(3684)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Макс. частота Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Напряжение Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер Тип Ширина шины данных Скорость Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем Защита от ЭСР Выходные характеристики Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Время доступа (макс.) Тип ввода/вывода Циклы обновлений Режим доступа Максимальная скорость передачи данных хоста
MT18JSF1G72AZ-1G9E3 MT18JSF1G72AZ-1G9E3 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2015 год /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf 240-УДИММ 1,5 В 240 Нет 1866 ГГц 8 ГБ DDR3 SDRAM 72б 1866МТ/с
MT8HTF12864HDZ-800M1 MT8HTF12864HDZ-800M1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 30,15 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt8htf12864hdz800m1-datasheets-1735.pdf 200-SODIMM 67,6 мм 1,8 В 200 200 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX Нет 400 МГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ 1,8 В КОММЕРЧЕСКИЙ 1,9 В 1,7 В 1 ГБ DDR2 SDRAM 64б 800 МТ/с 128MX64 64 8589934592 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MT18KSF1G72HZ-1G6E2 МТ18КСФ1Г72ХЗ-1Г6Е2 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Розетка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 30,15 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72hz1g6e2-datasheets-1744.pdf 204-SODIMM 67,6 мм 3,8 мм 1,35 В 204 1,45 В 1,283 В 204 1 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; ВД-МАКС; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ ПИТАНИИ 1,5 В. 1,6 ГГц 1 е4 Золото (Ау) ЗИГ-ЗАГ НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН 1,35 В КОММЕРЧЕСКИЙ НЕ УКАЗАН 18 8 ГБ DDR3L SDRAM 1600 МТ/с 1GX72 72 77309411328 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
MT18JDF51272PDZ-1G9K2 MT18JDF51272PDZ-1G9K2 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2011 год /files/microntechnologyinc-mt18jdf51272pdz1g4d1-datasheets-0299.pdf 240-РДИММ 1,5 В 12 недель 240 4ГБ DDR3 SDRAM 72б
MT8HTF12864AZ-800M1 МТ8ХТФ12864АЗ-800М1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 30,5 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt8htf12864az800m1-datasheets-1745.pdf 240-УДИММ 133,35 мм 1,8 В 240 5 недель 240 1 САМОБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 400 МГц 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,8 В КОММЕРЧЕСКИЙ 1,9 В 1,7 В 1 ГБ DDR2 SDRAM 64б 800 МТ/с 128MX64 64 8589934592 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
SEN01G64D1BG1SA-25R СЕН01Г64Д1БГ1СА-25Р Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 200-SODIMM 200 1 ГБ DDR2 SDRAM 800 МТ/с
SGN01G64D2BG1SA-CCWRT SGN01G64D2BG1SA-CCWRT Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2015 год 204-SODIMM 1,5 В 204 1 ГБ DDR3 SDRAM 1333 МТ/с
MT9MBF51272AKZ-1G4E1 MT9MBF51272AKZ-1G4E1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 Модуль 4ГБ DDR3 SDRAM 1333 МТ/с
MT9HTF6472RHZ-667H1 MT9HTF6472RHZ-667H1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Розетка 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt9htf12872rhz80em1-datasheets-1727.pdf 200-СОРДИММ 1,8 В 12 недель 1,9 В 1,7 В 200 Золото 333,33 МГц 512 МБ DDR2 SDRAM 72б 667МТ/с
SGN04G64E1BD2SA-DCWRT SGN04G64E1BD2SA-DCWRT Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2015 год 204-SODIMM 4ГБ DDR3 SDRAM 1600 МТ/с
SLN01G64C1CF1SA-DCERT SLN01G64C1CF1SA-DCERT Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2016 год 204-SODIMM 204 1 ГБ DDR3L SDRAM 1600 МТ/с
MT72HTS1G72FZ-80EM1D6 МТ72ХТС1Г72ФЗ-80ЭМ1Д6 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 95°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 30,5 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt72hts1g72fz667h1d6-datasheets-0586.pdf 240-ФБДИММ 133,35 мм 1,8 В 240 240 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 400 МГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,8 В 1 мм 8 ГБ DDR2 SDRAM 72б 800 МТ/с 1GX72 72 77309411328 бит ЧЕТЫРЕ БАНКОВСКИХ СТРАНИЦЫ
SGN02G72F1BD1SA-CCWRT SGN02G72F1BD1SA-CCWRT Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2015 год 204-СО-УДИММ 1,5 В 204 2 ГБ DDR3 SDRAM 1333 МТ/с
MTEDCAR016SAJ-1N2IT MTEDCAR016SAJ-1N2IT Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 85°С -40°С КМОП 9,7 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 3,3 В Модуль 36,9 мм 26,6 мм 3,3 В 10 USB 128 ГБ 8542.31.00.01 е3 Матовый олово (Sn) 3,3 В ДА НЕУКАЗАНО НЕТ ЛИДЕСА 260 3,3 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 Р-XXMA-N10 16 ГБ ФЛЕШ-NAND (SLC) КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ 30 МБ/с
MT18HTS25672RHZ-80EM1 MT18HTS25672RHZ-80EM1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Розетка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 30,15 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt18hts25672rhz80em1-datasheets-1739.pdf 200-СОРДИММ 67,6 мм 1,8 В 200 7 недель 1,9 В 1,7 В 200 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX Золото 400 МГц 8542.32.00.36 1 ЗИГ-ЗАГ НЕТ ЛИДЕСА 1,8 В КОММЕРЧЕСКИЙ 2 ГБ DDR2 SDRAM 72б 800 МТ/с 256MX72 72 19327352832 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
SEN06464H2CG1SA-25R SEN06464H2CG1SA-25R Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 200-SODIMM 8 недель 200 512 МБ DDR2 SDRAM 800 МТ/с
MT9HTF6472PKZ-667H1 MT9HTF6472PKZ-667H1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt9htf6472pkz667h1-datasheets-1740.pdf 244-МиниRDIMM 1,8 В 12 недель 244 Нет 333,33 МГц 512 МБ DDR2 SDRAM 72б 667МТ/с
MT36HTF51272PZ-80EM1 MT36HTF51272PZ-80EM1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 30,5 мм Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt36htf51272pz80em1-datasheets-1730.pdf 240-РДИММ 133,35 мм 1,8 В 240 5 недель 240 1 EAR99 ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX 400 МГц 8542.32.00.36 1 НЕТ ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,8 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ 1,9 В 1,7 В 4ГБ DDR2 SDRAM 72б 800 МТ/с 512MX72 72 38654705664 бит ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ
SGN08G72G1BB2SA-DCWRT SGN08G72G1BB2SA-DCWRT Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2015 год 204-СО-УДИММ 8 ГБ DDR3 SDRAM 1600 МТ/с
WD2RE01GX809-667G-PFI WD2RE01GX809-667G-PFI Винтекдаст Интриз
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 667 МГц Соответствует RoHS 2012 год /files/wintecindustries-wd2re01gx809667ipfi-datasheets-1432.pdf 240-РДИММ 240 1 ГБ DDR2 SDRAM
MT36HTF51272FZ-80EM1D6 MT36HTF51272FZ-80EM1D6 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 95°С 0°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/microntechnologyinc-mt36htf51272fz80em1d6-datasheets-1741.pdf 240-ФБДИММ 1,8 В 5 недель 240 400 МГц 4ГБ DDR2 SDRAM 72б 800 МТ/с
MT18KSF1G72PKIZ-1G4E1 МТ18КСФ1Г72ПКИЗ-1Г4Е1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mt18ksf1g72pkiz1g4e1-datasheets-1732.pdf 244-МиниRDIMM 244 8 ГБ DDR3L SDRAM 1333 МТ/с
MT8KTF51264AZ-1G6E1 MT8KTF51264AZ-1G6E1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Розетка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует ROHS3 2012 год /files/microntechnologyinc-mt8ktf51264az1g6e1-datasheets-1742.pdf 240-УДИММ 240 240 Золото 800 МГц ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА 1,35 В 1 мм КОММЕРЧЕСКИЙ ДРАМ 1,35 В 1,76 мА Не квалифицирован 4ГБ DDR3L SDRAM 64б 1600 МТ/с 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 512MX64 64 34359738368 бит 0,144А 0,225 нс ОБЩИЙ 8192
MT8HTF25632HZ-667M1 MT8HTF25632HZ-667M1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 3 (168 часов) 70°С 0°С Соответствует ROHS3 200-SODIMM 1,8 В 200 333,33 МГц 2 ГБ DDR2 SDRAM 32б 667МТ/с
MTEDCBE016SAJ-1N2IT MTEDCBE016SAJ-1N2IT Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) КМОП 5,9 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 5В Модуль 36,9 мм 26,6 мм 10 USB 128 ГБ 8542.31.00.01 5В ДА НЕУКАЗАНО НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН 5В ПРОМЫШЛЕННЫЙ 85°С -40°С НЕ УКАЗАН Р-XXMA-N10 16 ГБ ФЛЕШ-NAND (SLC) КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ 30 МБ/с
MT4KTF12864HZ-1G6K1 MT4KTF12864HZ-1G6K1 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Розетка 3 (168 часов) КМОП 30,15 мм Соответствует ROHS3 2012 год /files/microntechnologyinc-mt4ktf12864hz1g6k1-datasheets-1734.pdf 204-SODIMM 67,6 мм 3,8 мм 204 12 недель 204 да 1 EAR99 АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX Нет 8542.32.00.36 1 е3 МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ ЗИГ-ЗАГ 260 1,35 В 0,6 мм 204 КОММЕРЧЕСКИЙ 70°С 1,45 В 1,283 В 30 1 ГБ DDR3L SDRAM 1600 МТ/с 128MX64 64 8589934592 бит ОДИН БАНК СТРАНИЦЫ
SEN02G64C4BG2SA-25R СЕН02G64C4BG2SA-25R Свиссбит
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 200-SODIMM 8 недель 200 2 ГБ DDR2 SDRAM 800 МТ/с
MMM-3020-DSL МММ-3020-DSL Терасик Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 200-SODIMM 8 недель 200 1 ГБ DDR2 SDRAM 800 МТ/с
MTEDCAR008SAJ-1N2IT MTEDCAR008SAJ-1N2IT Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 85°С -40°С КМОП 9,7 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 3,3 В Модуль 36,9 мм 26,6 мм 3,3 В Без свинца 10 USB 64 ГБ 8542.31.00.01 3,3 В ДА НЕУКАЗАНО НЕТ ЛИДЕСА 3,3 В ПРОМЫШЛЕННЫЙ Р-XXMA-N10 8 ГБ ФЛЕШ-NAND (SLC) КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ 30 МБ/с
MTEDCAE016SAJ-1N2 MTEDCAE016SAJ-1N2 Микрон Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 9,7 мм Соответствует ROHS3 2013 год /files/microntechnologyinc-mtedcae004saj1n2it-datasheets-1651.pdf 5В Модуль 36,9 мм 26,6 мм 10 5,25 В 2,85 В USB 128 ГБ 8542.31.00.01 5В ДА НЕУКАЗАНО 5В КОММЕРЧЕСКИЙ Р-XXMA-N10 16 ГБ ФЛЕШ-NAND (SLC) КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ Нет 30 МБ/с
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)