Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМодули памяти(3684)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Напряжение питания | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество элементов | Код JESD-30 | Размер | Тип | Ширина шины данных | Скорость | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Режим доступа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT18JDF51272PDZ-1G6K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microntechnologyinc-mt18jdf51272pdz1g4d1-datasheets-0299.pdf | 240-РДИММ | 12 недель | 240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272PZ-1G4K1 | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf25672pz1g4g1-datasheets-0663.pdf | 240-РДИММ | 240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SDN03264C1CJ1SA-50R | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 200-SODIMM | 2,5 В | 200 | 256 МБ | ГДР SDRAM | 400 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF1G72PDZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 30,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72pdz1g6d1-datasheets-0683.pdf | 240-РДИММ | 133,35 мм | 1,5 В | 240 | 1575 В | 1,425 В | 240 | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1,6 ГГц | 8542.32.00.36 | 1 | е4 | ЗОЛОТО | ДВОЙНОЙ | 1,5 В | 240 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 18 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||
| SGN02G72F1BD1MT-BBRT | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 204-СО-УДИММ | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16KTF51264HZ-1G6K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt16ktf51264hz1g6k1-datasheets-1501.pdf | 204-SODIMM | 1,35 В | 12 недель | 1,45 В | 1,283 В | 204 | Нет | 1,6 ГГц | 16 | 4ГБ | DDR3L SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGN04G72G1BD2MT-CCRT | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 204-СО-УДИММ | 1,5 В | 1575 В | 1,425 В | 1333 ГГц | 18 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16HTF51264AZ-667C1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microntechnologyinc-mt16htf25664az800h1-datasheets-0161.pdf | 240-УДИММ | 240 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 667МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МММ-3008-DSL | Терасик Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 400 МГц | Соответствует RoHS | 200-SODIMM | 1,8 В | 200 | 4ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SEU01G64A3BF1SA-25R | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/swissbit-seu01g64a3bf1sa25r-datasheets-1475.pdf | 240-УДИММ | 1,9 В | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГН02Г64Д2БД1МТ-ББРТ | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 204-SODIMM | 204 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JDF1G72AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18jdf51272az1g6m1-datasheets-0676.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 240 | Нет | 1,6 ГГц | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГУ04Г64Б1БД2МТ-ЦКР | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JDF1G72PDZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jdf1g72pdz1g6e1-datasheets-1478.pdf | 240-РДИММ | 240 | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WD2UE01GX809-667I-PF | Винтекдаст Интриз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 667 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/wintecindustries-wd2ue02gx818v667gpq-datasheets-0167.pdf | 240-УДИММ | 240 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | 667 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ18ХВС25672ПКЗ-80ЭХ2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microntechnologyinc-mt18hvs51272pkz80ec1-datasheets-0278.pdf | 244-МиниRDIMM | 244 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 800 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SEG01G72A1BJ1HY-30R | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | 667 МГц | Соответствует ROHS3 | 200-СОРДИММ | 1,8 В | 200 | 1 ГБ | DDR2 SDRAM | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT16JTF1G64AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt16jtf1g64az1g6e1-datasheets-1482.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 1575 В | 1,425 В | 240 | Золото | 800 МГц | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 64б | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGU02G64A1BD1MT-CCR | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF1G72PZ-1G9E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72pz1g6d1-datasheets-0678.pdf | 240-РДИММ | 1,5 В | 240 | 1866 ГГц | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1866МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WD2RE02GX818-667I-PFI | Винтекдаст Интриз | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 667 МГц | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/wintecindustries-wd2re01gx809667ipfi-datasheets-1432.pdf | 240-РДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR2 SDRAM | 667 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF1G72PDZ-1G9E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72pdz1g6d1-datasheets-0683.pdf | 240-РДИММ | 1,5 В | 240 | 1866 ГГц | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1866МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГУ02Г64А1БД1МТ-ББР | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-УДИММ | 240 | 2 ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFUI1024J1BP2TO-C-MS-211-STD | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-110 | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | Модуль | 1 ГБ | ФЛЕШ-NAND (SLC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGP04G72D1BD2MT-BBRT | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 240-РДИММ | 240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1066МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF1G72AZ-1G6E1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 240 | 800 МГц | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТА18АСФ1Г72ПДЗ-2Г6Б1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 31,4 мм | Соответствует ROHS3 | 288-РДИММ | 133,35 мм | 3,9 мм | 288 | 5 недель | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ; WD-MAX | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | ДРУГОЙ | 85°С | 1,26 В | 1,14 В | R-XDMA-N288 | 8 ГБ | DDR4 SDRAM | 2666МТ/с | 1GX72 | 72 | 77309411328 бит | ДВОЙНОЙ БАНК СТРАНИЦЫ | ||||||||||||||||||||||||
| MT18JSF51272AZ-1G4K1 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Розетка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microntechnologyinc-mt18jsf1g72az1g6d1-datasheets-0712.pdf | 240-УДИММ | 1,5 В | 12 недель | 1575 В | 1,425 В | 240 | 1333 ГГц | 18 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 72б | 1333 МТ/с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGN08G72G1BB2SA-DCRT | Свиссбит | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 204-СО-УДИММ | 8 ГБ | DDR3 SDRAM | 1600 МТ/с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT18JDF51272PZ-1G9K2 | Микрон Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/microntechnologyinc-mt18jdf51272pz1g4d1-datasheets-0366.pdf | 240-РДИММ | 240 | 4ГБ | DDR3 SDRAM | 1866МТ/с |
