Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДетали светодиодного освещения(20436)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Длина | Высота | Ширина | Цвет | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Код HTS | мощность | Максимальный текущий рейтинг | Особенность | Подкатегория | Прямой ток | Прямое напряжение | Угол обзора | Стиль объектива | Конфигурация | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | ЦКТ (К) | Цветовая подсветка | Световой поток | Люмен/Ватт@ток — тест | Температура - Тест | Поток при токе/температуре — испытание | Текущий — Тест | Ток - Макс. | Интенсивность света-мин. | Тип объектива | CRI (индекс цветопередачи) | Светоизлучающая поверхность (LES) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СИ-B8R152560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-M562B_G2 | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 560 мм | 4,40 мм | 18 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 720 мА | С разъемом | 24,8 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 24,8 В | 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 148 лм/Вт | 50°С | Тип 2200 лм. | 600 мА | 720 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| СИ-B8V07128LWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-С282Л | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 279,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 360 мА | С разъемом | 35,2 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 35,2 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 50°С | Тип 1080 лм. | 200 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||
| CXA2520-0000-000N0HR250F | Кри Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | XLamp® CXA2520 | Поднос | 23,85 мм Д x 23,85 мм Ш | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/creeinc-cxa25200000000n00r250f-datasheets-5791.pdf | 1,70 мм | Белый, Холодный | 4 недели | 8541.40.20.00 | 47 Вт | 1,25 А | Видимые светодиоды | 550 мА | 115° | Плоский, Круглый | Квадрат | 42В | 36В | 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама | Белый | 2,42 км | 127 лм/Вт | 85°С | 2510лм 2420лм~2600лм | 115 компакт-дисков | Плоский | 80 | Диаметр 19,00 мм | |||||||||||
| SL-B8T1N00L1WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | inFlux_S01 | Поднос | 279,60 мм Д x 23,70 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-slb8u1n40l1ww-datasheets-5817.pdf | 279,6 мм | 5,90 мм | 23,7 мм | Белый, Нейтральный | 8 недель | 1,15 А | С разъемом | 9,1 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 9,1 В | 4000К | 136 лм/Вт | 65°С | Тип 1420 лм. | 1,15 А | 1,15 А | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| СИ-B8T15156CWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-V562B | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,4 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 135 лм/Вт | 50°С | Тип 2157lm | 630 мА | 720 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| SI-B8R07128HWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282H | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf | 279,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Холодный | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 23,4 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 23,4 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 162 лм/Вт | 50°С | Тип 1140 лм. | 300 мА | 540 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| SI-B8U15156CWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-V562B | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,4 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 50°С | Тип 2109lm | 630 мА | 720 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| СИ-B8V15156CWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-V562B | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,4 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 128 лм/Вт | 50°С | 2045 лм Тип | 630 мА | 720 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| XPLAWT-H0-0000-000BV20E1-SB01 | Новая Энергия | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | XLamp® XP-L | Поднос | Диаметр 19,89 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/newenergy-xhp70a0000000d0bm430esb01-datasheets-5078.pdf | Белый, Холодный | 115° | Правый борт | 2,95 В | 6500К | 132 лм/Вт | 85°С | 410лм 400лм~420лм | 1,05А | 3А | Плоский | 70 | ||||||||||||||||||||||||
| BXRE-35E4000-B-73 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | Массив поколения 7 V18 | Трубка | 24,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/bridgelux-bxre50c4001b74-datasheets-4736.pdf | 1,70 мм | Белый, Теплый | Без свинца | 4 недели | 1,8 А | Квадрат | 34В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 147 лм/Вт | 85°С | Тип 4484lm | 900 мА | Плоский | 80 | Диаметр 19,20 мм | ||||||||||||||||||||
| СИ-B8U221B2CUS | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-ВБ22А | Поднос | 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,2 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 50°С | Тип 2800 лм. | 840 мА | 1,08А | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| СИ-B8T261560WW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | F-серия Gen3 | Масса | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | 2017 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8v261560ww-datasheets-4889.pdf | 5,20 мм | Белый, Нейтральный | 4 недели | С разъемом | Линейная световая полоса | 23В | 4000К | 175 лм/Вт | 65°С | Тип 4500 лм. | 1,12А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||||||
| SI-B8V07228HWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282H | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf | 279,7 мм | 7,40 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 23,4 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 23,4 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 50°С | Тип 1080 лм. | 300 мА | 540 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| CLU027-0303C1-503M2G2 | Гражданин | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | CLU027 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 13,5 мм | 1,40 мм | 13,5 мм | Белый, Холодный | 8 недель | 690мА | 8,7 В | Плоский | Квадрат | 8,7 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 140 лм/Вт | 85°С | Тип 329 лм. | 270 мА | 690мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,00 мм | |||||||||||||||||
| BXRC-50C1001-B-74 | Бриджлюкс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | Массив Vero® 10 поколения 7 | Поднос | Диаметр 20,00 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/bridgelux-bxrc30e1000d73-datasheets-4886.pdf | 1,90 мм | Белый, Холодный | Без свинца | 4 недели | 540 мА | С разъемом | Правый борт | 34В | 5000К 4-ступенчатый эллипс МакАдама | 157 лм/Вт | 85°С | Тип 1441lm | 270 мА | Плоский | 70 | Диаметр 9,90 мм | |||||||||||||||||||
| SI-B8R07128SWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | $8,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282F | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128sww-datasheets-6284.pdf | 5,80 мм | Белый, Холодный | 6 недель | С разъемом | 115° | Линейная световая полоса | 8,8 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 162 лм/Вт | 50°С | Тип 1140 лм. | 800 мА | 1,44А | Плоский | 80 | |||||||||||||||||||
| SI-B8V07228SWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282F | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128sww-datasheets-6284.pdf | 279,7 мм | 7,40 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,44А | С разъемом | 8,8 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 8,8 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 153 лм/Вт | 50°С | Тип 1080 лм. | 800 мА | 1,44А | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| ЧМ-9-27-90-18-АС10-Ф3-3 | Люминус Девайс Инк. | $4,81 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | ЧМ-9 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/luminusdevicesinc-chm9409018ac10f33-datasheets-5743.pdf | 1,37 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 120° | Квадрат | 18В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 85°С | 360 мА | 545 мА | Плоский | 90 | Диаметр 13,46 мм | |||||||||||||||||||||
| СИ-B8V113560WW | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЧМ-6-40-80-27-ХН20-Ф3-3 | Люминус Устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | ЧМ-6 Ген2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/luminusdevicesinc-chm6279027xh20f33-datasheets-6212.pdf | 1,37 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 8541.40.20.00 | 120° | Квадрат | 27,4 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 103 лм/Вт | 85°С | Тип 1360 лм. | 480 мА | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,30 мм | |||||||||||||||||||
| SI-B8V07128HWW | Самсунг Полупроводник, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282H | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf | 279,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 23,4 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 23,4 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 154 лм/Вт | 50°С | Тип 1080 лм. | 300 мА | 540 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| SI-B8U08128CWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-В282Б | Поднос | 275,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Теплый | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,2 В | 3500К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 132 лм/Вт | 50°С | Тип 995 лм. | 300 мА | 360 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| BXRC-27G2000-D-73 | Бриджлюкс | 5,51 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | Массив Vero® 13 поколения 7 | Поднос | Диаметр 36,20 мм | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/bridgelux-bxrc30e2000d73-datasheets-4661.pdf | 1,90 мм | Белый, Теплый | Без свинца | 4 недели | 1А | С разъемом | 120° | Круглый | 30,9 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 115 лм/Вт | 85°С | Тип 1774lm | 500 мА | Плоский | 90 | Диаметр 13,20 мм | |||||||||||||||||
| SI-B8T07128HWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | LT-S282H | Поднос | 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf | 279,7 мм | 5,80 мм | 23,8 мм | Белый, Нейтральный | 6 недель | 540 мА | С разъемом | 23,4 В | 115° | Плоский | Линейная световая полоса | 23,4 В | 4000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 160 лм/Вт | 50°С | Тип 1120 лм. | 300 мА | 540 мА | Плоский | 80 | |||||||||||||||
| СИ-B8R11156CWW | Самсунг Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | ЛТ-В562А | Поднос | 560,00 мм Д x 18,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf | 5,50 мм | Белый, Холодный | 4 недели | С разъемом | 120° | Линейная световая полоса | 25,2 В | 5000К 3-ступенчатый эллипс Макадама | 137 лм/Вт | 50°С | 1452 лм Тип. | 420 мА | 540 мА | Плоский | 80 | ||||||||||||||||||||
| ЧМ-6-30-80-27-ХН20-Ф3-3 | Люминус Устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | ЧМ-6 Ген2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/luminusdevicesinc-chm6279027xh20f33-datasheets-6212.pdf | 1,37 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 120° | Квадрат | 27,4 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 120 лм/Вт | 85°С | 1590 лм тип. | 480 мА | 720 мА | Плоский | 80 | Диаметр 6,30 мм | |||||||||||||||||||
| ЧМ-6-27-90-27-ХН20-Ф3-3 | Люминус Устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | ЧМ-6 Ген2 | Поднос | 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/luminusdevicesinc-chm6279027xh20f33-datasheets-6212.pdf | 1,37 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 8541.40.20.00 | 120° | Квадрат | 27,4 В | 2700К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 89 лм/Вт | 85°С | Тип 1175 лм. | 480 мА | 720 мА | Плоский | 90 | Диаметр 6,30 мм | |||||||||||||||||||
| XHP50A-0S-01-0D0BJ440E | Новая Энергия | $6,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Светодиодный модуль | XHP50A | Поднос | 36,83 мм Д x 36,83 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/newenergy-xhp50a0s010d0bj450e-datasheets-5839.pdf | Белый, Нейтральный | Квадрат | 11,5 В | 4000К 5-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | Тип 1120 лм. | 700 мА | 1,5 А | Куполообразный | 70 | ||||||||||||||||||||||||
| L2C5-30801208E1500 | Люмиледы | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | LUXEON CoB Core Range Gen 3 | Трубка | 20,00 мм Д x 24,00 мм Ш | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/lumileds-l2c527801211e1900-datasheets-4924.pdf | 1,50 мм | Белый, Теплый | Без свинца | 6 недель | 8541.40.20.00 | 1,8 А | 115° | Прямоугольник | 34,8 В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 139 лм/Вт | 85°С | Тип 4368lm | 900 мА | Плоский | 80 | Диаметр 15,00 мм | ||||||||||||||||||
| ЧМ-9-30-90-36-ХН00-Ф2-3 | Люминус Девайс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Чип на плате (COB) | ЧМ-9 | Поднос | 19,00 мм Д x 19,00 мм Ш | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 19 мм | 2,24 мм | 19 мм | Белый, Теплый | 6 недель | 1,05А | 36В | 120° | Плоский | Квадрат | 36В | 3000К 3-ступенчатый эллипс МакАдама | 79 лм/Вт | 85°С | Тип 2050 лм. | 720 мА | 1,05А | Плоский | 90 | Диаметр 9,00 мм |
