Самсунг Полупроводник, Инк.

Samsung Semiconductor, Inc.(9858)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Тип монтажа Упаковка Размер / Размер Уровень чувствительности к влаге (MSL) Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Цвет Время выполнения заказа на заводе Код Pbfree Достичь кода соответствия Код HTS Максимальный текущий рейтинг Особенность Пакет устройств поставщика Прямое напряжение Тип оптоэлектронного устройства Угол обзора Стиль объектива Конфигурация Напряжение — прямое (Vf) (тип.) ЦКТ (К) Термическое сопротивление упаковки Люмен/Ватт @ ток — тест Температура - Тест Поток при токе/температуре — испытание Текущий — Тест Ток - Макс. Тип объектива CRI (индекс цветопередачи) Поток при 85°C, ток — испытание Поток при 25°C, ток — испытание Светоизлучающая поверхность (LES)
SPMWH3326FD3GBV3SA SPMWH3326FD3GBV3SA Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM302Z Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,024 0,60 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326fd3gbuysa-datasheets-8953.pdf 1212 (3030 Метрическая единица) Белый совместимый ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД 120° 6,2 В 12°С/Вт 150 мА 200 мА 70
SPMWH3326MD3WAVYSA SPMWH3326MD3WAVYSA Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM301Z Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,024 0,60 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326md3war3sa-datasheets-8992.pdf 1212 (3030 Метрическая единица) Белый 120° 2,75 В 12°С/Вт 65 мА 400 мА 70
SPMWHT32BMD3YBQKS0 SPMWHT32BMD3YBQKS0 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM302C Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,033 0,85 мм 1212 (3030 Метрическая единица) Белый 115° 5,9 В 8°С/Вт 65 мА 150 мА 70
SPHWH1L5N603YET3A1 SPHWH1L5N603YET3A1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n603yet3a1-datasheets-9740.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Нейтральный 120° 6,1 В 4000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3°С/Вт 166 лм/Вт 640 мА 880 мА 70 650 лм тип.
SPHWH1L5N605XEW3A2 SPHWH1L5N605XEW3A2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n603xep5a2-datasheets-0026.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Теплый 120° 24,5 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3°С/Вт 160 мА 220 мА 80
SPHWH1L5N607XER5A1 SPHWH1L5N607XER5A1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n605xeu5a1-datasheets-9735.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Холодный 120° 24,5 В 5000K 5-ступенчатый эллипс Макадама 3°С/Вт 134 лм/Вт 160 мА 220 мА 90 526 лм тип.
SPHWH1L5N603XEV5A1 SPHWH1L5N603XEV5A1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n605xeu5a1-datasheets-9735.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Теплый 120° 24,5 В 3000K 5-ступенчатый эллипс МакАдама 3°С/Вт 158 лм/Вт 160 мА 220 мА 70 620 лм тип.
SPHWH1L5N605XER3A1 SPHWH1L5N605XER3A1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n605xeu5a1-datasheets-9735.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Холодный 120° 24,5 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3°С/Вт 156 лм/Вт 160 мА 220 мА 80 610 лм тип.
SPHWH1L5N603YER5A1 SPHWH1L5N603YER5A1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n603yet3a1-datasheets-9740.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Холодный СМД 120° 6,1 В 5000K 5-ступенчатый эллипс Макадама 3°С/Вт 166 лм/Вт 640 мА 880 мА 70 650 лм тип.
SPHWH1L5N603YEV3A1 SPHWH1L5N603YEV3A1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH508A+ Поверхностный монтаж 0,197Дx0,197Ш 5,00x5,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwh1l5n603yet3a1-datasheets-9740.pdf 2020 (метрика 5050) Белый, Теплый 120° 6,1 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3°С/Вт 159 лм/Вт 640 мА 880 мА 70 620 лм тип.
SPMWHT541MH7WATKSB SPMWHT541MH7WATKSB Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM561B Плюс Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм 4-SMD, плоские выводы Белый 120° 2,95 В 15°С/Вт 65 мА 180 мА 80
SPHWHTL3D50EE4VMMF SPHWHTL3D50EE4VMMF Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LH351C Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм 1 (без ограничений) 0,097 2,46 мм 1414 (3535 Метрическая единица) Белый, Теплый 128° 2,9 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 3°С/Вт 138 лм/Вт 700 мА 80 280 лм 250 лм~310 лм
SPMWHT541MH7WAUMSB SPMWHT541MH7WAUMSB Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM561B Плюс Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,197Дx0,118Вт 5,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,031 0,80 мм 4-SMD, плоские выводы Белый 6 недель 120° 2,95 В 15°С/Вт 65 мА 180 мА 80
SPMWH3326FD5GBVYSA SPMWH3326FD5GBVYSA Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM302Z Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,024 0,60 мм 1212 (3030 Метрическая единица) Белый, Теплый совместимый ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД 120° 6,3 В 3000К 12°С/Вт 135 лм/Вт 150 мА 200 мА 80 128лм 123~133лм
SPMWH3326FD7GBV3SA SPMWH3326FD7GBV3SA Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать LM302Z Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм 2А (4 недели) 0,024 0,60 мм https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-spmwh3326fd7gbtysa-datasheets-8973.pdf 1212 (3030 Метрическая единица) Белый, Теплый 6 недель 120° 6,2 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 12°С/Вт 120 лм/Вт 150 мА 200 мА 90 112 лм 107 лм~117 лм
SI-B8V521560WW СИ-B8V521560WW Самсунг Полупроводник, Инк. 21,74 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль F-серия Gen3 Масса 559,70 мм Д x 39,80 мм Ш 1 (без ограничений) 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8v261560ww-datasheets-4889.pdf 5,20 мм Белый, Теплый 4 недели С разъемом Линейная световая полоса 46В 3000К 168 лм/Вт 65°С 8670 лм Тип 1,12А Плоский 80
SI-B8V07228SWW SI-B8V07228SWW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль LT-S282F Поднос 279,70 мм Д x 23,80 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128sww-datasheets-6284.pdf 279,7 мм 7,40 мм 23,8 мм Белый, Теплый 6 недель 1,44А С разъемом 8,8 В 115° Плоский Линейная световая полоса 8,8 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 153 лм/Вт 50°С 1080 лм тип. 800мА 1,44А Плоский 80
SI-B8R14256HWW SI-B8R14256HWW Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный модуль LT-S562H Поднос 559,70 мм Д x 23,80 мм Ш 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8r07128hww-datasheets-6270.pdf 559,7 мм 7,40 мм 23,8 мм Белый, Холодный 6 недель 540 мА С разъемом 46,9 В 115° Плоский Линейная световая полоса 46,9 В 5000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 163 лм/Вт 50°С 2290 лм Тип. 300 мА 540 мА Плоский 80
SI-B8U201B20US СИ-B8U201B20US Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Светодиодный двигатель LT-QB22A 1120,00 мм Д x 18,00 мм Ш 1 (без ограничений) 2017 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sib8t05128hus-datasheets-4791.pdf 5,20 мм Белый, Теплый 4 недели Линейная световая полоса 43,8 В 3500К 198 лм/Вт 40°С 3900 лм тип. 450 мА Плоский 80
SPHWHAHDNA27YZW3A3 SPHWHAHDNA27YZW3A3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC003D Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 230 мА 115° Квадрат 34,6 В 2700K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 112 лм/Вт 85°С 349 лм тип. 90 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC25YZQ3H2 SPHWHAHDNC25YZQ3H2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC009D Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 690 мА 115° Квадрат 34,6 В 5700K 3-ступенчатый эллипс Макадама 145 лм/Вт 85°С 1357 лм Тип. 270 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC27YZU3D1 SPHWHAHDNC27YZU3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC009D 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnc25yzr3h2-datasheets-2037.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 126 лм/Вт 85°С 1178 лм Тип. 270 мА 690 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC27YZW2D2 SPHWHAHDNC27YZW2D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC009D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели да 115° Квадрат 34,6 В 2700K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 123 лм/Вт 85°С 1152 лм Тип. 270 мА 690 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNC27YZU3D2 SPHWHAHDNC27YZU3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC009D Gen2 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 133 лм/Вт 85°С 1245 лм Тип. 270 мА 690 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDND25YZQ3D1 SPHWHAHDND25YZQ3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC013D 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnd25yzq3h6-datasheets-3365.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 5700K 3-ступенчатый эллипс Макадама 149 лм/Вт 85°С Тип 1861lm 360 мА 920 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA27YZU3D1 SPHWHAHDNA27YZU3D1 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC003D 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 8541.40.20.00 115° Квадрат 34,6 В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 127 лм/Вт 85°С 396 лм тип. 90 мА 230 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA25YZP3D2 SPHWHAHDNA25YZP3D2 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC003D Gen2 Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzv2d2-datasheets-8310.pdf 1,50 мм Белый, Холодный 4 недели 115° Квадрат 34,6 В 6500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 163 лм/Вт 85°С 507 лм тип. 90 мА 230 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA27YZU2A5 SPHWHAHDNA27YZU2A5 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC003D Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS /files/samsungsemiconductorinc-sphwhahdna25yzp3d1-datasheets-8838.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 230 мА 115° Квадрат 34,6 В 3500K 2-ступенчатый эллипс МакАдама 121 лм/Вт 85°С 377 лм тип. 90 мА Плоский 90 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNA25YZU3D3 SPHWHAHDNA25YZU3D3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) УДАРА D Gen3 Лента и катушка (TR) 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш Соответствует RoHS 1,50 мм Белый, Теплый 4 недели совместимый 115° Квадрат 34В 3500K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 168 лм/Вт 85°С 514 лм тип. 90 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм
SPHWHAHDNB25YZV3F3 SPHWHHAHDNB25YZV3F3 Самсунг Полупроводник, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Чип на плате (COB) LC006D Поднос 13,50 мм Д x 13,50 мм Ш 2А (4 недели) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/samsungsemiconductorinc-sphwhahdnb25yzt3f8-datasheets-8645.pdf 1,50 мм Белый, Теплый 6 недель 8541.40.20.00 460 мА 115° Квадрат 34,6 В 3000K 3-ступенчатый эллипс МакАдама 141 лм/Вт 85°С 875 лм тип. 180 мА Плоский 80 Диаметр 9,80 мм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.