Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРесиверы(892)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Рабочий ток питания | Текущий - Доставка | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Тип разъема | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Напряжение питания | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Подкатегория | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Особенности монтажа | Ширина тела | Встроенная функция | Длина волны | Тип волокна | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Возвратные потери-мин. | Тип излучателя/детектора | Тип приема | Рабочая длина волны-Макс. | Рабочая длина волны-мин. | Мощность – минимальная дебиторская задолженность |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АФБР-786БЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | совместимый | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||||||
| GN3352-3EA8AL7E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3352 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3268-3EB7AT8E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/semtechcorporation-gn33573eb9at6e3-datasheets-9284.pdf | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3268 | 11,3 Гбит/с | -21 дБм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3250-3EA7AH9E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3250 | 11,3 Гбит/с | -21 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1RX6A-SX51V-01M-DC | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 160 мА | 2013 год | Оптический | 3,3 В | 1,65 Гбит/с | -16 дБм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-820БЭПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr820bez-datasheets-9291.pdf | 8 недель | EAR99 | совместимый | 8517.62.00.50 | Общего назначения | 2375~2625 В 3135~3465 В | 10 Гбит/с | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-786БЕЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | совместимый | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||||||
| GN3355-3EB8AN4E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3355 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1640L0 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 2014 год | совместимый | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3355-3EB8AR7E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3355 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1RX4C-SX4V-01MM-DC | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-p1rx4csx4d01mmdc-datasheets-9258.pdf | Модуль | 3,3 В | СК | DVI | 3,3 В | 6,6 Гбит/с | 850 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3250-3EB7AN9E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3250 | 11,3 Гбит/с | -21 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3155-3EA3AA4E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/semtechcorporation-gn33573eb9at6e3-datasheets-9284.pdf | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3155 | 11,3 Гбит/с | -15 дБм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-820БПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr820bez-datasheets-9291.pdf | 8 недель | EAR99 | совместимый | 8517.62.00.50 | Общего назначения | 2375~2625 В 3135~3465 В | 10 Гбит/с | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3155-3EA3AB4E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/semtechcorporation-gn33573eb9at6e3-datasheets-9284.pdf | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3155 | 11,3 Гбит/с | -15 дБм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3352-3EB8AR6E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3352 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3352-3EB8AS6E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3352 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3352-3EA8AL5E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3352 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1RX6B-SX51V-02C-DC | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 65°С | 0°С | 410 мкА | 410 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | 3,45 В | СК | Общего назначения | 3,3 В | 400 Мбит/с | 980 нм | -1,5 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GN3352-3EB8AR3E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3352 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФБР-786БПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | |||||||||||||||||||||||||
| GN3368-3EC8AT6E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/semtechcorporation-gn33573eb9at6e3-datasheets-9284.pdf | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3368 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХФБР-2523 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 6,2 мА | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/broadcomlimited-hfbr2522-datasheets-9189.pdf | 1 мм | 5В | 6 | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Общего назначения | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | 5В | Оптоволоконные приемники | 40 КБд | 5мА | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 10,2 мм | 660 нм | ПРИЕМНИК | 660 нм | ЦИФРОВОЙ | ||||||||||||||||||||
| АФБР-786БЭПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | совместимый | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||||||
| АФБР-785БПЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 670 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr785bpz-datasheets-9276.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 5 ГБбод | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||||||
| GN3352-3EB8AQ4E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2015 год | Общего назначения | 2,97~3,63 В | ГН3352 | 11,3 Гбит/с | -27 дБм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХФБР-789БХЗ | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 400 мА | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/broadcomlimited-hfbr789bez-datasheets-9219.pdf | EAR99 | МАССИВ 10 Х 10 | совместимый | 8517.62.00.50 | Общего назначения | НЕТ | 3135~3465В | 3,3 В | 80°С | Оптоволоконные приемники | 2,72 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПЛАТЕ/ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | 62,5/125, ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | ||||||||||||||||||||
| АФБР-786БХЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr786behz-datasheets-9289.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 6,25 ГБд | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | |||||||||||||||||||||||||
| АФБР-785БЕЗ | Foxconn OE Technologies Singapore Pte. ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 670 мА | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/foxconnoetechnologiessingaporepteltd-afbr785bpz-datasheets-9276.pdf | 8 недель | ТАКЖЕ ИМЕЕТ НАПРЯЖЕНИЕ ПИТАНИЯ ОТ 3,135 ДО 3,465 ВОЛЬТ И ПРАВИЛЬНЫЕ СТАНДАРТЫ: CENELEC, FCC, FDA, IEEE-P802.3AE, JESD22-A114-B, JESD22-A115-A. | совместимый | Общего назначения | НЕТ | 2375~2625 В 3135~3465 В | 2,5 В | 5 ГБбод | КРЕПЛЕНИЕ НА ПАНЕЛИ | УСИЛИТЕЛЬ | ММФ | ПРИЕМНИК | 850 нм | 12 дБ | PIN-ФОТОДИОД | ЦИФРОВОЙ | 860 нм | 830 нм | |||||||||||||||||||||||
| GN3250-3EA7AF7E3 | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 2016 год | Оптический | 3,3 В | ГН3250 | 11,3 Гбит/с | -21 дБм |
