Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРешетка полупроводниковая(8880)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Скорость передачи данных | Количество битов | Количество входов/выходов | Тип памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Функция | Архитектура | Количество выходов | Мощность — Выход | Количество входов | Содержание | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Тактовая частота | Количество ворот | Количество макроячеек | Тип антенны | Выходная функция | Платформа | Программируемый тип | Количество выделенных входов | Количество условий продукта | JTAG BST | Источник напряжения — внутренний | Время задержки tpd(1) Макс. | Количество логических элементов/блоков |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГАЛ16В8Д-10QJN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Масса | 1 (без ограничений) | КМОП | 83,3 МГц | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 20 | 5,25 В | 4,75 В | 20 | да | EAR99 | Нет | 55 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 250 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,75 В~5,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16ЛВ8Д-5ЛДЖН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16LV8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 166 МГц | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16lv8c10ljn-datasheets-3190.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 3,3 В | Без свинца | 70 мА | 20 | Нет СВХК | 3,6 В | 3В | 20 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | Нет | 70 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 250 | 3,3 В | 1,27 мм | ГАЛ16LV8 | 20 | Программируемые логические устройства | 8 | 5 нс | 5 нс | PAL-ТИП | 8 | 16 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ20В8Б-20QJNI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®20В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 50 МГц | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal20v8b25lp-datasheets-1591.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 5В | Без свинца | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | Нет | 65 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ20В8 | 28 | 40 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 20 нс | 20 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 12 | 64 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ20В8Б-25ЛПН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®20В8 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Сквозное отверстие | КМОП | 41,7 МГц | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal20v8b25lp-datasheets-1591.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 90 мА | 24 | Нет СВХК | 5,25 В | 4,75 В | 24 | да | EAR99 | Нет | 90 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | ГАЛ20В8 | 24 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 25 нс | 5 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 12 | 64 | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ20В8Б-25КПН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®20В8 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~75°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 41,7 МГц | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-gal20v8b25lp-datasheets-1591.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | Без свинца | 24 | 5,25 В | 4,75 В | 24 | да | EAR99 | неизвестный | 55 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | ГАЛ20В8 | 24 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | 8 | 25 нс | 25 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 12 | 64 | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ22В10Д-15ЛПНИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®22В10 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 83,3 МГц | 5,334 мм | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-gal22v10d15qp-datasheets-1713.pdf | 24-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 31,75 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 24 | 5,5 В | 4,5 В | 24 | да | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 130 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | ГАЛ22В10 | 24 | Программируемые логические устройства | 5В | 10 | 15 нс | 15 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 11 | 132 | 4,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПГАЛ22ЛВ10-7ЛКИ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispGAL™22LV10 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 166 МГц | 2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 28-SSOP (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,3 мм | Без свинца | 28 | 3,6 В | 3В | 28 | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 160 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,65 мм | ИСПГАЛ22LV10 | 28 | НЕ УКАЗАН | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 10 | 7,5 нс | 7,5 нс | PAL-ТИП | 10 | 10 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 11 | 132 | 3В~3,6В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСПЛСИ 1016EA-100LJ44 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ispLSI® 1000EA | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-isplsi1016ea200lt44-datasheets-2689.pdf | 44-LCC (J-вывод) | нет | EAR99 | 8542.39.00.01 | ИСПЛСИ 1016 | 44 | 32 | 2000 г. | 64 | В системном программировании | 4,75 В~5,25 В | 10 нс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4-128Н/64-10JC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | МАШ® 4 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 100 МГц | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4128n6410jc-datasheets-3979.pdf | 84-LCC (J-вывод) | 29,3116 мм | 29,3116 мм | 5В | 84 | 5,25 В | 4,75 В | 84 | EAR99 | НЕТ | Нет | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 5В | 1,27 мм | М4-128Н | 84 | Программируемые логические устройства | 5В | 64 | ЭСППЗУ | 10 нс | 10 нс | 5000 | 128 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | 2 | НЕТ | 4,75 В~5,25 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/32-10JNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | Без свинца | 44 | 3,6 В | 3В | 44 | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | М4А3-64 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | 32 | ЭСППЗУ | 10 нс | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОД6212 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Коробка | 1 (без ограничений) | 59 ГГц~65 ГГц | Модуль | 10 недель | 3,3 В | 6 Гбит/с | 3 дБм | СиБим | I2C, USB | ОК | Интегрированный, Трассировка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М4А3-64/32-55JNC | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | испМАХ® 4А | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/latticesemiconductorcorporation-m4a525612810ync-datasheets-8921.pdf | 44-LCC (J-вывод) | 16,5862 мм | 16,5862 мм | Без свинца | 44 | 3,6 В | 3В | да | EAR99 | ДА | 182 МГц | 8542.39.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 3,3 В | 1,27 мм | М4А3-64 | 44 | 30 | Программируемые логические устройства | Не квалифицирован | S-PQCC-J44 | 32 | ЭСППЗУ | 5,5 нс | 2500 | 64 | МАКРОКЛЕТКА | В системном программировании | ДА | 3В~3,6В | 5,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SII1362ACLU | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Передатчик | ПанельЛинк® | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | 1,6 мм | /files/latticesemiconductorcorporation-sii1362aclu-datasheets-6859.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 7 мм | 48 | 10 недель | EAR99 | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | Профессиональное видео | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 0,5 мм | КОММЕРЧЕСКИЙ | 70°С | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | S-PQFP-G48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ26CV12B-20LJI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®26CV12 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lptm1012473tg128i-datasheets-5774.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 11,5062 мм | 11,5062 мм | 28 | EAR99 | РЕГИСТРАЦИЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАГРУЗКИ; СБРОС ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ ПИТАНИЯ | 8542.39.00.01 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 5В | 1,27 мм | ГАЛ26CV12 | 28 | 5,5 В | 4,5 В | Программируемые логические устройства | 5В | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | 12 | 20 нс | PAL-ТИП | 12 | 26 | 41,6 МГц | 12 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 13 | 122 | 4,5 В~5,5 В | 20нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-T64-SC-U6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcit64x2u6-datasheets-4506.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16В8Д-25QPI | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 41,6 МГц | 5,334 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,162 мм | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 20 | 5,5 В | 4,5 В | 20 | нет | EAR99 | Нет | 65 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 225 | 5В | 2,54 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 8 | 25 нс | 25 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-ERC4-E3-UT1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcierc4pmut1-datasheets-4589.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГАЛ16В8Д-10QJ | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ГАЛ®16В8 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~75°C ТА | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | 83,3 МГц | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/latticesemiconductorcorporation-gal16v8d7lp-datasheets-9519.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 5В | Без свинца | 20 | 5,25 В | 4,75 В | 20 | нет | EAR99 | Нет | 55 мА | е0 | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 1,27 мм | ГАЛ16В8 | 20 | 30 | Программируемые логические устройства | 5В | 16 | 8 | 10 нс | 10 нс | PAL-ТИП | 8 | 8 | МАКРОКЛЕТКА | ЭЭ ПЛД | 8 | 64 | 4,75 В~5,25 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-T32-XO-UT6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcit64x2u6-datasheets-4506.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДП-ВИП-И-ЕВН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Интерфейс | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/latticesemiconductorcorporation-dpvipievn-datasheets-1375.pdf | 8 недель | Плата расширения | Совет(ы) | Комплект разработки VIP/встроенного машинного зрения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-T32-X2-UT6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcit64x2u6-datasheets-4506.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-17EA-USB3-EVN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЕСР3 | Коробка | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe317eausb3evn-datasheets-0719.pdf | 5В | Без свинца | 8 недель | Да | Плата(ы), кабель(и), блок питания | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-MT64-SC-UT6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcimt64pmu6-datasheets-4608.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-M-EVN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛД | MachXO | Коробка | 1 (без ограничений) | 55°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280cmevn-datasheets-1253.pdf | 3,3 В | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | RS-232, USB | Да | Плата(ы), Кабель(и) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCI-MT64-E2-U6 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/latticesemiconductorcorporation-pcimt64pmu6-datasheets-4608.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE3-150EA-AMC-EVN | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЕСР3 | Коробка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe395ea9fn672c-datasheets-4220.pdf | 12 В | Без свинца | 8 недель | Ethernet, SPI, UART, USB | Да | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДАФИР-GEN-E2-U1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-dafirgenxmut2-datasheets-4593.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛФЭ2М50Е-С-ЭВН | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ПЛИС | ЭЦП2М | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lfe250e5fn484i-datasheets-4229.pdf | Без свинца | 1 недели | Да | Плата(ы), кабель(и), блок питания | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДАФИР-GEN-X2-UT1 | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лицензия | LatticeCORE™ | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/latticesemiconductorcorporation-dafirgenxmut2-datasheets-4593.pdf | 1 недели | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LC5512M-PAC-EV | Решетка полупроводника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | CPLD | ispXPLD® | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/latticesemiconductorcorporation-lc5512mpacev-datasheets-2552.pdf | Да | Плата(ы), кабель(и), блок питания |
