Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая Микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Тип входа | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Цвет | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Интерфейс | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Мощность | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминал отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Напряжение питания | Терминал Питч | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Потребляемая мощность | Тип микросхемы интерфейса | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальное напряжение изоляции | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Тестовый ток | Высота (Макс) | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Размер объектива | Прозрачность линз | Яркость света | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Тип дисплея | Стандарты | Длина волны | Доминирующая длина волны | Текущий — Тест | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Зона просмотра | Режим отображения | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Рейтинг Милликандела | Напряжение - Выход (Макс.) | Количество сегментов | Возможность мультиплексного отображения | Режим ввода данных | Интенсивность излучения (Ie) Мин @ Если | Темный ток-Макс. | Ток холостого хода, тип. при 25°C | Диапазон связи, низкая мощность | Неисправность | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Тип подсветки | Контрастность | Яркость | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Цвет — улучшенный | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GM5WA06256A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 6,00 мм Д x 5,00 мм Ш | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | /files/sharpmicroelectronics-gm5wa06256a-datasheets-5427.pdf | 6-SMD, J-вывод | 6 мм | 2,5 мм | 5 мм | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | Чип светодиод | 3,7 В | Круглый с плоской вершиной | Независимый | 2,50 мм | Диаметр 4,00 мм | 1,5 компакт-диска | 2,3 В Красный 3,7 В Зеленый 3,7 В Синий | 22 мА Красный 35 мА Зеленый 13 мА Синий | 1500 мкд красный, 1500 мкд зеленый, 1500 мкд синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GM1WA55310A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1,60 мм Д x 1,60 мм Ш | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 0606 (1616 Метрическая единица) | 550 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GM5WA06260A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -30°С | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-gm5wa06260a-datasheets-9515.pdf | 4 мм | СМД/СМТ | 6 мм | 2,5 мм | 5 мм | Синий, Зеленый, Красный | Без свинца | Бесцветный | 35 мА | 4,6 В | 120° | Прозрачный | 20 мА | Прозрачный | 1,725 кд | 469 нм | 469 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГЛ4800 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°C~85°C ТА | Трубка | Непригодный | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl4800-datasheets-4216.pdf | Радиальный | Содержит свинец | Вид сбоку | 3мВт | 1,2 В | 60° | 1,2 В | 50 мА | 950 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GL381 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Инфракрасный (ИК) | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°C~85°C ТА | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-gl380-datasheets-4437.pdf | Т-1 | 3,8 мм | Без свинца | 3,8 мм | 1 | Вид сверху | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 60 мА | 1,3 В | 26° | Круглый, Цветной, Рассеянный | 50 мА | 6В | 1,3 В | 60 мА | 950 нм | 8,5 мВт/ср при 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2D07 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 2 (1 год) | 100°С | -40°С | БИКМОС | 20 МГц | 4,6 мм | Соответствует RoHS | /files/sharpmicroelectronics-ir2d07-datasheets-6741.pdf | 25,5 мм | 5,5 В | 1,5 мА | 28 | 1416 недель | 28 | Нет | 1 | е6 | ОЛОВО ВИСМУТ | 1,35 Вт | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,778 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 1,35 Вт | ДРАЙВЕР СВЕТОДИОДНОГО ДИСПЛЕЯ | 3В | 16 | -1 мА | 1 мА | 16 | НЕТ | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GP2W3270YP0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-gp2w3270yp0f-datasheets-1739.pdf | Модуль | 3,6 В | Вид сбоку | 2,4 В~3,6 В | 115,2 Кбит/с (SIR) | ИрФИЗ 1.4 | 890 нм | 8,3 мм x 2,1 мм x 1,7 мм | 70 мкА | 20 см | Да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ070Y3DG3A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 50°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/sharpmicroelectronics-lq070y3dg3a-datasheets-9144.pdf | Модуль | Без свинца | 20 недель | Параллельный, 24 бита (RGB) | Нет | 1,54 Вт | TFT — цветной | 152,40 мм Ш x 91,40 мм В | Трансмиссивный | 480 пикселей | 800 пикселей | 7 177,80 мм | 7 дюймов | Светодиод - Белый | 800 х 480 (WVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,19 мм Ш x 0,19 мм В | ВЕЛ | 300:1 | 350 кд/м^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ043Y1DY01 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/sharp-lq043y1dy01-datasheets-9780.pdf | Без свинца | 18 недель | Параллельный, 24 бита (RGB) | 56,16 мм Ш x 93,60 мм В | 800 пикселей | 480 пикселей | 4,3 109,22 мм | 4,3 дюйма | ВЕЛ | 480 х 800 | ВЕЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ190E1LX51 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 60°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/sharpmicroelectronics-lq190e1lx51-datasheets-9753.pdf | Модуль | 18 недель | ЛВДС | Нет | TFT — цветной | 376,32 мм Ш x 301,06 мм В | Трансмиссивный | 1024 пикселей | 1280 пикселей | 19 482,60 мм | 19 дюймов | Светодиод - Белый | 1280 x 1024 (SXGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,29 мм Ш x 0,29 мм В | ВЕЛ | 900:1 | 1000 кд/м^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LQ035Q7DB03 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Винт | Коробка | 1 (без ограничений) | 60°С | -10°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/sharp-lq035q7db03-datasheets-9848.pdf | Модуль | 85 мм | 3,4 мм | 65 мм | Содержит свинец | 50 | Параллельный, 18 бит (RGB) | Нет | TFT — цветной | 53,64 мм Ш x 71,52 мм В | Трансмиссивный | 320 пикселей | 240 пикселей | 3,52 89,41 мм | 3,52 дюйма | Светодиод - Белый | 240 х 320 | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,22 мм Ш x 0,22 мм В | ВЕЛ | 85:1 | 55 кд/м^2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD3122FE000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | СМД/СМТ | Без свинца | 5 мкс | 5 мкс | 30 В | 940 нм | 2нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BS500A0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -10°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs500a-datasheets-6112.pdf | Вид сбоку | Без свинца | 2 | 10 В | 850 нм | 10пА | 10 В | 800 нм ~ 900 нм | 5,34 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК823 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | Непригодный | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc823-datasheets-0694.pdf | ОКУНАТЬ | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 100°С | -30°С | 2 | 2 | 35В | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05 А | 5000В | 4 мкс | 200 мВ | 50 мА | 20% | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81106NSZ | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81102nsz-datasheets-0683.pdf | ОКУНАТЬ | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -30°С | 1 | 1 | 70В | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 5000В | 3 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 350 мВ | 30 мА | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357MJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК364M1J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 10 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H4J00001B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7BJ0001B | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 1 | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC851XNNIP0F | Острая микроэлектроника | 0,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc851xnnip0f-datasheets-2663.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | неизвестный | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 350В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 10 мкс | 12 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 350В | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 40% | 40% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3Q65 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3q65-datasheets-6706.pdf | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 16 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4 | 4 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 60 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 1600% | 80 мА | 1000нА | 600% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H711NIP | Острая микроэлектроника | 0,20 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h710nip-datasheets-6693.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 4 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 140% при 500 мкА | 350% при 500 мкА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81410NSZ | Острая микроэлектроника | 0,05 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81410nsz-datasheets-6781.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-ДИП | 80В | Транзистор | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC3H7A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc3h7-datasheets-6687.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 4 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 35% при 1 мА | 70% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC827AB | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 0,05 А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100 нА | 80% при 5 мА | 260% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC723V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc723v0nszx-datasheets-6806.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL, СОВМЕСТИМО TTL | неизвестный | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | Транзисторный выход оптопара | 0,05 А | 6 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 6 мкс 7 мкс | 50 мА | 100% | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC716V0NSZX | Острая микроэлектроника | 1,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc716v0nszx-datasheets-6846.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 0,05 А | 130 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 130 мкс 60 мкс | 50 мА | 150 мА | 6000% | 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC825Y | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 35В | Дарлингтон | 60 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 50 мА | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81411NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81411nsz0f-datasheets-6918.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 100% при 500 мкА | 300% при 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК847X7J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x7j000f-datasheets-6947.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | 200мВт | 4 | 200мВт | 4 | 4 | 16-ДИП | 80В | 80В | 50 мА | 1,2 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ |
