Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОстрая микроэлектроника(4951)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Входной ток | Без свинца | Форма | Количество контактов | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Код JESD-609 | Терминал отделки | Полярность | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество каналов | Рассеяние мощности | Количество элементов | Количество цепей | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Напряжение изоляции | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Обратное напряжение пробоя | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Длина волны | Ток — выход/канал | Темный ток | Размер | Инфракрасный диапазон | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Световой ток-ном. | Цвет — улучшенный | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LS121K1LX02 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БС500Б | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs500b-datasheets-6233.pdf | Вид сбоку | Содержит свинец | неизвестный | 10 В | 560 нм | 3пА | 10 В | 500 нм ~ 600 нм | 5,34 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR3E3126 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/sharpmicroelectronics-ir3e3126-datasheets-7176.pdf | QFN | Без свинца | 20 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81101NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81105nsz0f-datasheets-0678.pdf | ПДИП | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 200мВт | 1 | 1 | 70В | 50 мА | 5В | Транзисторный выход оптопара | 20 мкс | 10 мкс | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 350 мВ | 30 мА | 30 мА | 400 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК847X7JJ00F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2003 г. | 16-ДИП | 16 | 200мВт | 4 | 35В | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК357M8J000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-Миниквартира | 4 | 170 мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81713NSZ1H | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81713NIP1H | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 80В | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC12310YFZ0X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 4 | 1 | 170 мВт | 4-ДИП | 70В | Транзистор | 4 мкс | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2,5 мА | 50 мА | 70В | 50% при 500 мкА | 400% при 500 мкА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N | Острая микроэлектроника | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc357n3-datasheets-6635.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 80В | 1,2 В | Транзистор | 4 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК451 | Острая микроэлектроника | 0,67 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc451-datasheets-6726.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | 350В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 80% | 50 мА | 40% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК4H510NIP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc4h510nip-datasheets-6768.pdf | 4-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Содержит свинец | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 1 | 1 | 350В | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,2 В | 4 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 40% при 5 мА | 240% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК815 | Острая микроэлектроника | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc815-datasheets-6794.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | 1 | 1 | 35В | Дарлингтон | 50 мА | 0,05А | 60 мкс | 53 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 80 мА | 80 мА | 600% при 1 мА | 7500% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК512 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc512-datasheets-6812.pdf | 4-DIP-модуль | Содержит свинец | 4 | ОДОБРЕНО VDE, ПРИЗНАНО UL | неизвестный | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 6В | 1 | 1 | 35В | Транзистор | 0,05А | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 1,2 В | 3 мкс 4 мкс | 50 мА | 20 мА | 10% | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC847X | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc847x-datasheets-6827.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 16 | Нет | 200мВт | 4 | 4 | 16-ДИП | 35В | Транзистор | 50 мА | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC827CD | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc827-datasheets-6791.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 200мВт | 2 | 2 | 35В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | 4 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 100нА | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC716V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc716v0nszx-datasheets-6846.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 | 1 | 1 | 6-ДИП | 35В | Дарлингтон | 130 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 130 мкс 60 мкс | 50 мА | 150 мА | 200 мА | 35В | 1,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0YSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc725v0nszx-datasheets-6815.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Содержит свинец | 6 | 1 | 1 | 6-ДИП | 300В | Дарлингтон с базой | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC123YJ0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc123yj0000f-datasheets-6932.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | е6/е2 | ОЛОВО ВИСМУТ/ОЛОВО МЕДЬ | 200мВт | 1 | 1 | 70В | Транзистор | 0,05А | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0YSZXF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -25°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharp-pc725v0yszxf-datasheets-3945.pdf | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | Без свинца | 6 | 350 мВт | 1 | 1 | 6-ДИП | 300В | 300В | 1,2 В | Дарлингтон с базой | 50 мА | 100 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 300В | 150 мА | 1,2 В | 100 мкс 20 мкс | 50 мА | 150 мА | 150 мА | 300В | 1000% при 1 мА | 15000% при 1 мА | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC4N320NSZX | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Не соответствует требованиям RoHS | 6-DIP (0,300, 7,62 мм), 5 выводов | 1 | 30 В | Дарлингтон с базой | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1В | 100 мА | 100 мА | 500% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК3H510NIP0F | Острая микроэлектроника | 0,29 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | Нет | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 35В | 35В | 10 мА | 1,4 В | Дарлингтон | 10 мА | 300 мкс | 250 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 35В | 80 мА | 1,2 В | 60 мкс 53 мкс | 10 мА | 80 мА | 80 мА | 35В | 600% при 500 мкА | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC725V0YUZXF | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | СМД/СМТ | Без свинца | 6 | 350 мВт | 1 | 350 мВт | 1 | 1 | 300В | 300В | 50 мА | 1,2 В | 50 мА | 300 мкс | 100 мкс | 6В | 1,2 В | 300В | 150 мА | 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81410NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81411nsz0f-datasheets-6918.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 50 мА | 50% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC814XPJ000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc814xpj000f-datasheets-8550.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC357N9TJ00F | Острая микроэлектроника | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Печатная плата, поверхностное крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 4 | Нет | 6В | 170 мВт | 1 | 170 мВт | 1 | 1 | 4-мини-квартира | 80В | 50 мА | 1,4 В | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 130% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC81718NSZ0F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc81716nip0f-datasheets-3501.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 170 мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 10 мА | 2,5 мА | 120% при 500 мкА | 500% при 500 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PC817XPJ000F | Острая микроэлектроника | $105,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -30°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sharpmicroelectronics-pc817x3j000f-datasheets-6921.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 1 | 4-СМД | 80В | 5мА | 1,4 В | Транзистор | 18 мкс | 18 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 200 мВ | 80В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ4800 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt4800f-datasheets-2143.pdf | Радиальный | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид сбоку | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 75мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | ОДИНОКИЙ | 75мВт | 35В | 20 мА | 800 нм | 100 мкА | 0,8 мм | ДА | 0,4 мА | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT4800FB | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt4800f-datasheets-2143.pdf | Радиальный | Содержит свинец | 2 | Вид сбоку | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 70° | 3 мкс | 3,5 мкс | 75мВт | 35В | 6В | 20 мА | 860 нм | 100 мкА | 35В | 20 мА | 100 мкА |
