Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактISSI, Integrated Silicon Solution Inc (8936)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип памяти | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Циклы обновления | Последовательная длина пакета | Длина чередующегося пакета | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИС62ЛВ256-70У | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 2,84 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is61lv256al10jlitr-datasheets-8574.pdf | 28-СОП | 3,3 В | 28 | 28 | 256 КБ | нет | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 20 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3,135 В~3,465 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 28 | 3,465 В | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 70нс | 0,00009А | 8б | 70 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К256-70УИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 2,8448 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is62c25670u-datasheets-0683.pdf | 28-СОП | 5В | 28 | 28 | 256 КБ | нет | 1 | Нет | 1 | 70 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 28 | 5В | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15б | СРАМ | Параллельно | 32КХ8 | 8 | 70нс | 8б | 70 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62WV51216ALL-70BI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 48 | 2,5 В~3,6 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | СРАМ | Параллельно | 70нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ЛВ1024-8КИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | 3,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is63lv1024l12jl-datasheets-7623.pdf | 32-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 32 | 32 | 1 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 32 | 3,45 В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 8нс | 8 нс | ОБЩИЙ | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62ВВ12816БЛЛ-55ТИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 2,5 В | 44 | Параллельно | 2 Мб | 1 | 3мА | 2,5 В~3,6 В | 44-ЦОП II | 2Мб 128К х 16 | Неустойчивый | 55нс | 17б | СРАМ | Параллельно | 55нс | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС63ЛВ1024Л-10ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is63lv1024l12jl-datasheets-7623.pdf | 32-SOIC (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 32 | 32 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,15 В~3,45 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 32 | 3,45 В | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 10 нс | 8б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400Д-6ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | Не квалифицирован | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ12836А-7.5Б2И | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM – синхронный, SDR | 2,41 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 22 мм | 14 мм | 119 | 119 | нет | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 117 МГц | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 3,135 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 119 | 3,465 В | 3,135 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,33,3 В | 0,16 мА | Не квалифицирован | 4,5 МБ 128К х 36 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | СРАМ | Параллельно | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,035А | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-7ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует ROHS3 | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,42 мм | 1,05 мм | 10,16 мм | 3,3 В | 150 мА | 86 | 86 | 256 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 8542.32.00.24 | 1 | 150 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | 8MX32 | 0,003А | ОБЩИЙ | 4096 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16100Е-7ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16100e7tltr-datasheets-2662.pdf | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 50 | 50 | 16 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 10 | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,5 нс | 143 МГц | 12б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р16160Б-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 66-ТССОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 2,5 В | 66 | 256 Мб | 250 мА | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 700пс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 15нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС64ВВ51216БЛЛ-10МА3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Поднос | 2 (1 год) | SRAM — асинхронный | Не соответствует требованиям RoHS | 48-ТФБГА | 48 | 48 | 8 Мб | нет | 1 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 2,5/3,3 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,05А | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Б-7ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 128 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | неизвестный | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС43Р32800Б-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | SDRAM-DDR | Соответствует RoHS | 144-ЛФБГА | 144 | 2,3 В~2,7 В | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 700пс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32800Д-7БИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 90-ТФБГА | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 90 | Параллельно | 256 Мб | 143 МГц | 150 мА | 3В~3,6В | 90-ТФБГА (8х13) | 256Мб 8М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | 13б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16160Д-6БЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 180 мА | 54 | 54 | 256 Мб | Нет | 180 мА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 0,003А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ЛФ51236А-6.5Б2И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | Не соответствует требованиям RoHS | 119-ББГА | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 133 МГц | 3,135 В~3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | 18Мб 512К х 36 | Неустойчивый | 6,5 нс | 133 МГц | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61НЛФ51218А-7.5Б3И-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | SRAM – синхронный, SDR | 117 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 165-ТФБГА | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 117 МГц | 3,135 В~3,465 В | 165-ТФБГА (13x15) | 9Мб 512К х 18 | Неустойчивый | 7,5 нс | 117 МГц | СРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-6БЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16800e6bl-datasheets-5213.pdf | 54-ТФБГА | 8 мм | 3,3 В | 54 | 54 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 1 | 150 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 8MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-6ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 128 Мб | 150 мА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16800Э-75ЭБЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 54-ТФБГА | 3,3 В | 54 | 128 Мб | Нет | 130 мА | 3В~3,6В | 128Мб 8М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 133 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С81600Э-6ТЛ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 54 | Параллельно | 128 Мб | 166 МГц | 150 мА | 3В~3,6В | 54-ЦОП II | 128Мб 16М х 8 | Неустойчивый | 8б | 5,4 нс | 166 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Б-7ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 143 МГц | Соответствует RoHS | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 143 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С16400Ф-7ТЛА2-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~105°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SDRAM | Соответствует RoHS | 50-TSOP (0,400, ширина 10,16 мм) | 3,3 В | 54 | 64 Мб | Нет | 110 мА | 3В~3,6В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС45С32400Б-6ТЛА1-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SDRAM | 166 МГц | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issiintegratedsiliconsolutioninc-is45s32400b6bla1-datasheets-2957.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,6 В | 3В | 86 | Параллельно | 166 МГц | 3В~3,6В | 86-ЦОП II | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 5,4 нс | 166 МГц | ДРАМ | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61NLP204818A-166TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM – синхронный, SDR | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 3,3 В | 100 | 36 Мб | 2 | Нет | 3,135 В~3,465 В | 36Мб 2М х 18 | Неустойчивый | 3,5 нс | 166 МГц | 21б | СРАМ | Параллельно | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32400Э-7ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s32400e7tl-datasheets-5648.pdf | 86-TFSOP (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 86 | 86 | 128 Мб | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Нет | 8542.32.00.02 | 1 | 130 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 86 | 3,6 В | 3В | 10 | 128Мб 4М х 32 | Неустойчивый | 32б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX32 | 32 | 0,001А | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-50ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 2 (1 год) | ДРАМ-ФП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 20,95 мм | 3,3 В | 44 | 44 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТЫЙ/АВТООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.02 | 1 | 90 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16100Б-60КЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 2 (1 год) | ДРАМ - ЭДО | АСИНХРОННЫЙ | 3,75 мм | Соответствует RoHS | 42-BSOJ (ширина 0,400, 10,16 мм) | 27,305 мм | 3,3 В | 42 | 42 | 16 Мб | да | 1 | EAR99 | ТОЛЬКО RAS/CAS ДО RAS/СКРЫТОЕ ОБНОВЛЕНИЕ | 1 | 170 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 42 | 3,6 В | 3В | 40 | Не квалифицирован | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 30 нс | 10б | ДРАМ | Параллельно | 1MX16 | 16 | 0,002А | ОБЩИЙ | 1024 | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС41ЛВ16105Б-50ТЛИ-ТР | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | ДРАМ-ФП | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is41lv16105b50tlitr-datasheets-5969.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 16 Мб | 160 мА | 3В~3,6В | 44-ЦОП II | 16Мб 1М х 16 | Неустойчивый | 16б | 25нс | 10б | ДРАМ | Параллельно |
