| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Тип телекоммуникационной микросхемы | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Функция | Частота (макс.) | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество каналов ШИМ | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной шины | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип последовательной шины | Выносливость | Время хранения данных-мин | Защита от записи | Синхронизация/Асинхронность | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT45DQ321-MHD-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45dq321shfb-datasheets-1999.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 26 мА | 8 | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | Нет | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3/3,3 В | 32 МБ, 528 байт x 8192 страницы | Энергонезависимый | 8б | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мкс, 4 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 528Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF256-МАХН-Y | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df256mahnt-datasheets-9761.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 1,65 В~3,6 В | 8-УДФН (2х3) | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мкс, 2,5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DN512C-MAHFGP-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25dn512csshft-datasheets-2646.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 8 недель | SPI, серийный | 2,3 В~3,6 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мкс, 1,75 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C128A-BSNC-B | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КБРАМ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm25c128abtact-datasheets-3229.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | SPI, серийный | 2,7 В~3,6 В | Размер страницы: 128 КБ, 64 Б. | Энергонезависимый | 5 МГц | CBRAM® | СПИ | 100 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF041A-MH-Y | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df041asshft-datasheets-8209.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 6 мм | 3,6 В | 8 | 8 | Серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 16 мА | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | 3/3,3 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 6 нс | 2,7 В | 70 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 7 мкс, 5 мс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB021D-SSH-B | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Трубка | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/adestotechnologies-at45db021dmht-datasheets-3949.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,05 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | 8 | Нет СВХК | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 15 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 2 МБ 264 байт x 1024 страницы | Энергонезависимый | 8б | 6 нс | 2,7 В | 66 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 4 мс | 8б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DQ161-SH-B | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25dq161mhy-datasheets-1652.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,35 мм | 1,91 мм | 5,4 мм | 3,3 В | 8 | Нет СВХК | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | 1 | 19 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 5 нс | 2,7 В | 100 МГц | 21б | ВСПЫШКА | СПИ | 7 мкс, 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ25ДФ161-Ш-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df161sshb-datasheets-1708.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | 3,3 В | 8 | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | Нет | 1 | 19 мА | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 5 нс | 3В | 100 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX1 | 1 | 7 мкс, 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF041A-SH-B | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df041asshft-datasheets-8209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,35 мм | 1,91 мм | 5,4 мм | 3,3 В | 8 | Нет СВХК | 8 | Серийный | 4 Мб | EAR99 | Нет | 1 | 16 мА | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 6 нс | 2,7 В | 70 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 7 мкс, 5 мс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB321D-MWU-SL954 | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Масса | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321dmwusl955-datasheets-8079.pdf | 8-VDFN Открытая площадка | 6 мм | 8 | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | 3A991.B.1.A | Олово | 1 | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 32 МБ, 512 байт x 8192 страницы | Энергонезависимый | 6 нс | 2,7 В | 66 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 6 мс | 512Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB641E-UUN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db641eshn2bt-datasheets-3606.pdf | 44-УФБГА, ВЛЦП | 4,216 мм | 3,522 мм | 44 | 8 недель | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ЧАСТОТЕ 50 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ ОТ 1,7 ДО 3,6 В. | 1 | ДА | 1,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б44 | 64 МБ, 264 байт x 32 КБ страниц | Энергонезависимый | 1,8 В | 85 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 64MX1 | 1 | 8 мкс, 5 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SM2400A-MQEQ-Y | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/adestotechnologies-sm2400amqeqy-datasheets-2670.pdf | 64-LQFP | 14 недель | СПИ, УАРТ | да | 3,3 В | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 1 | Трансивер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB021E-СШН-Б | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db021esshnt-datasheets-0109.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,925 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | SPI, серийный | 2 Мб | 3A991.B.1.A | Золото | Нет | 1 | 16 мА | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 1,65 В | 2 МБ 264 байт x 1024 страницы | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 70 МГц | 22б | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 8 мкс, 3 мс | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SF321-МГД-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/adestotechnologies-at25sf321shdb-datasheets-9884.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 5 мкс, 5 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT89C5131A-RDTUM | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 48 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at89c5131ardtum-datasheets-5059.pdf | ЛКФП | Без свинца | Нет СВХК | 5,5 В | 2,7 В | 64 | 2-проводной, I2C, SPI, UART, USART, USB | Олово | Нет | 32 КБ | Внутренний | 34 | ЭСППЗУ, ФЛЭШ | ПОР, ШИМ, ВДТ | 80С51 | 1 КБ | 8б | 48 МГц | Да | 3 | 34 | 5 | 48 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-SHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | Без свинца | 15 мА | 8 | 8 недель | 540,001716мг | 8 | SPI, серийный | 8 Мб | Золото | 1 | 15 мА | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 8 МБ, 264 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 21б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,000001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF021A-XMHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df021asshnt-datasheets-9512.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ напряжении 2,3 В МИН. | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,65 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 7,5 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF256-МАН-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df256mahnt-datasheets-9761.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 3 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 256 КБ | да | Золото | 1 | 15 мА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,5 мм | 3,6 В | 1,65 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | СПИ | 256КХ1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | синхронный | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM24C64AF-0-GCSI-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c64af0gcsit-datasheets-4246.pdf | 4-XFBGA, WLCSP | 0,75 мм | 0,75 мм | 4 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,65 В~2,2 В | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | 0,4 мм | 2,2 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПБГА-Б4 | 64К 8К х 8 | Энергонезависимый | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 64КХ1 | 1 | 500 мкс | 65536 бит | СЕРИАЛ | I2C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25SL321-MBUE-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sl321mbuet-datasheets-6379.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 4 мм | 3 мм | 8 | 18 недель | да | 1 | ДА | 1,7 В~2 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,8 мм | 2В | 1,7 В | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 150 мкс, 5 мс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DQ321-MHF-Y | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45dq321shfb-datasheets-1999.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 6 мм | 26 мА | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | Золото | 1 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 32 МБ, 528 байт x 8192 страницы | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 528Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25DF021A-МАН-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df021asshnt-datasheets-9512.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 недель | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ напряжении 2,3 В МИН. | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,5 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 8 мкс, 2,5 мс | 2097152 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25XE041B-XMHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25xe041bsshnt-datasheets-1268.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | да | 1 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 0,65 мм | 3,6 В | 1,65 В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 7,5 нс | 85 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 8 мкс, 2,75 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25XE021A-MHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25xe021amahnt-datasheets-1231.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | SPI, серийный | 16 Мб | да | 1 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | Р-ПДСО-Н8 | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 7,5 нс | 1,8 В | 70 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 2MX1 | 1 | 8 мкс, 5 мс | 256Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB041E-SSHNHC-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db041eshnt-datasheets-0221.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,925 мм | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 4 Мб | да | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ МИН. 1,65 В ПРИ 70 МГЦ. | Золото | 1 | е4 | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 0,015 мА | Не квалифицирован | 4 МБ, 264 байт x 2048 страниц | Энергонезависимый | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 19б | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX1 | 1 | 8 мкс, 3 мс | 0,000001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DQ161-SSHF-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45dq161sshfhbt-datasheets-8393.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,925 мм | 26 мА | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 16 Мб | Золото | 1 | е4 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | Не квалифицирован | 16 МБ, 528 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 3В | 85 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 8 мкс, 6 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 528Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ45ДБ321Е-ШФ2Б-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db321eshfb-datasheets-3511.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | Без свинца | 22 мА | 8 | 8 недель | 8 | SPI, серийный | 32 Мб | да | Золото | 1 | 22 мА | е4 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 32 МБ, 512 байт x 8192 страницы | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 3В | 85 МГц | 22б | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 8б | синхронный | 512Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ25СФ321Б-МХБ-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25sf321bmhbt-datasheets-8329.pdf | 8-UDFN Открытая площадка | 13 недель | 2,7 В~3,6 В | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 108 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RM25C64DS-LSNI-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Маврик™ | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КБРАМ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-rm24c256dsltait-datasheets-8287.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 26 недель | 1,65 В~3,6 В | Размер страницы: 64 КБ, 32 Б. | Энергонезависимый | 20 МГц | CBRAM® | СПИ | 100 мкс, 2,5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25XE161D-MAHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25xe161dsshnt-datasheets-8902.pdf | 8-UFDFN Открытая площадка | 10 недель | 1,65 В~3,6 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 20 мкс, 12 мс |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.