Fujitsu Electronics America, Inc.

Fujitsu Electronics America, Inc.(526)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Без свинца Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Пол Количество контактов Радиационная закалка Идентификатор упаковки производителя Напряжение — вход (макс.) Максимальное входное напряжение Напряжение питания Количество цепей Пакет устройств поставщика Размер памяти Максимальное выходное напряжение Минимальное входное напряжение Минимальное выходное напряжение Время урегулирования Количество битов Выходное напряжение Тип генератора Количество входов/выходов Тип памяти Периферийные устройства Основная архитектура Размер оперативной памяти Ширина шины данных Тип выхода Тип поставки Функция Частота (макс.) Количество выходов Количество строк Длина продукта (мм) Высота продукта (мм) Терминальное покрытие Скорость Сторожевой таймер Количество таймеров/счетчиков Конфигурация выхода Рассеиваемая мощность-Макс. Перезагрузить Сбросить тайм-аут Количество контролируемых напряжений Топология Синхронный выпрямитель Выход Количество каналов ШИМ Время доступа Тактовая частота Формат памяти Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Напряжение - Выход (Макс.) Напряжение — вход (мин.) Количество конвертеров Напряжение – пороговое значение Вход ФАПЧ Ток - Выход Напряжение — выход (мин./фикс.) Основной процессор Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Тип памяти программы Размер ядра Размер памяти программы Возможности подключения Конвертер данных Частота — переключение
MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 MB85RS64TUPNF-G-JNERE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs64tupngamewe1-datasheets-7846.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 1,8 В~3,6 В 8-СОП 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 10 МГц ФРАМ СПИ
MB85RC64PNF-G-JNERE1 MB85RC64PNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64pnfgjnere1-datasheets-4079.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 2,7 В~3,6 В 8-СОП 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 900 нс 400 кГц ФРАМ I2C
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 MB85RE4M2TFN-G-ASE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85re4m2tfngase1-datasheets-2335.pdf 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) 1,8 В~3,6 В 44-ЦОП 4Мб 256К х 16 Энергонезависимый ФРАМ 150 нс
MB3793-45PF-G-BND-JN-6E1 MB3793-45PF-G-BND-JN-6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Простой сброс/сброс при включении питания Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2000 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb379345pfgjner6e1-datasheets-0100.pdf 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) 8 недель 8-СОП Активный низкий Минимум 80 мс 1 КМОП инвертированный 4,5 В
MB9BF504RPMC-GE1 MB9BF504RPMC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать FM3 MB9B500 Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С 80 МГц Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy9bf506npmcgjne1-datasheets-7095.pdf 120-LQFP 8 недель CAN, EBI/EMI, I2C, LIN, UART, USART, USB 100-ЛКФП (16x16) 256 КБ Внутренний 100 ВСПЫШКА DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT РУКА 32К х 8 80 МГц ARM® Cortex®-M3 2,7 В~5,5 В ВСПЫШКА 32-битный 256 КБ 256 КБ x 8 CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART, USB А/Д 16x12b
MB39C007WQN-G-JN-ERE1 MB39C007WQN-G-JN-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. 3,15 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb39c007wqngjnere1-datasheets-6259.pdf 24-WFQFN Открытая колодка Без свинца 8 недель 5,5 В 24-QFN (4х4) 3,9 В Регулируемый Понижение 2 Позитивный Бак Да 3,86 В 2,5 В 800мА 0,446 В 2 МГц
MB85RC64APNF-G-JNERE1 MB85RC64APNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 1 МГц Соответствует RoHS 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64apnfgjnere1-datasheets-3729.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 20 недель 8 2-проводной, I2C, последовательный 2,7 В~3,6 В 8-СОП 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 550 нс 1 МГц ФРАМ I2C
MB3773PF-G-BND-ERE1 MB3773PF-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
MB15F73ULPFT-G-BND-EFE1 MB15F73ULPFT-G-BND-EFE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 85°С -40°С Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb15f73ulpftgbndefe1-datasheets-3804.pdf ЦСОП 20 1 2,25 ГГц Часы Да
MB88153APNF-G-111-JNE1 MB88153APNF-G-111-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS СОИК 1 134 МГц КМОП Да
MB88155PFT-G-412-XXE1 MB88155PFT-G-412-XXE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS ЦСОП 1 80 МГц Кристалл
MB15U36PFV-G-BND-ERE1 MB15U36PFV-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 85°С -40°С Соответствует RoHS ЛССОП 20 1 2 ГГц Часы Да
MB3793-37APF-G-BND-JN6E1 MB3793-37APF-G-BND-JN6E1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Соответствует RoHS СОП Без свинца 8
MB3773PF-G-BND-ER MB3773PF-G-BND-ER Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS СОП Да
FCN-707B026-AU/0 FCN-707B026-AU/0 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Разъем IDC СКТ 26 2 37,6 9,5
FCN-568H050-G/A2AD FCN-568H050-G/A2AD Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Компактная флэш-карта М 50 2 53.05 5,8 Палладий
MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 MB85RS128TYPNF-G-BCERE1 Fujitsu Electronics America, Inc. 2,62 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°С~125°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rs128typnfgsbcere1-datasheets-8201.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 1,8 В~3,6 В 8-СОП 128Кб 16К х 8 Энергонезависимый 33 МГц ФРАМ СПИ
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 1 МГц Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64vpnfgjnere1-datasheets-4082.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 10 недель 8 2-проводной, I2C, последовательный 64 КБ Нет 3В~5,5В 8-СОП 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 1 МГц ФРАМ I2C
MB85RC16VPNF-G-JNE1 MB85RC16VPNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 400 кГц Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamemericainc-mb85rc16vpnfgjnn1ere1-datasheets-4057.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Неизвестный 5,5 В 8 2-проводной, I2C, последовательный 16 КБ Нет 3В~5,5В 8-СОП 16Кб 2К х 8 Энергонезависимый 550 нс 1 МГц ФРАМ I2C
MB3771PF-G-BND-JNE1 MB3771PF-G-BND-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Монитор источника питания Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb3771pfgbndjnere1-datasheets-9987.pdf 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) Без свинца 8 недель 8-СОП Активный низкий Минимум 500 мкс 2 Открытый дренаж или открытый коллектор 4,2 В регулировка
MB9BF104NPMC-G-JNE1 MB9BF104NPMC-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать FM3 MB9B100 Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 1 (без ограничений) 85°С -40°С 80 МГц Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb9bf106npmcgjne1-datasheets-2351.pdf 100-LQFP 8 недель EBI/EMI, I2C, LIN, UART, USART 100-ЛКФП (14x14) 256 КБ Внутренний 80 ВСПЫШКА DMA, LVD, POR, ШИМ, WDT РУКА 32К х 8 80 МГц ARM® Cortex®-M3 2,7 В~5,5 В ВСПЫШКА 32-битный 256 КБ 256 КБ x 8 CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART А/Д 16x12b
MB39C326PW-G-EFE1 MB39C326PW-G-EFE1 Fujitsu Electronics America, Inc. 1,21 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb39c326pwgefe1-datasheets-6334.pdf 20-УФБГА, ВЛЦП Без свинца 8 недель 5,5 В 5,5 В 20-WLP (2,15x1,94) 2,5 В 800мВ Регулируемый Повышение/понижение 1 Позитивный Бак-Буст Да 2,5 В 800мА 0,8 В 5,8 МГц
MB85RC64PNF-G-JNE1 MB85RC64PNF-G-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Трубка 3 (168 часов) 85°С -40°С FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 400 кГц Соответствует RoHS 1999 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsuelectronicsamericainc-mb85rc64pnfgjnere1-datasheets-4079.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 17 недель Неизвестный 3,6 В 2,7 В 8 2-проводной, I2C, последовательный ФПТ-8П-М02 2,7 В~3,6 В 8-СОП 64Кб 8К х 8 Энергонезависимый 900 нс 400 кГц ФРАМ I2C
MB95F564KPF-G-SNE2 MB95F564KPF-G-SNE2 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
MB15F78ULPFT-G-BND-EFE1 MB15F78ULPFT-G-BND-EFE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 85°С -40°С Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/fujitsu-mb15f78ulpftgbndefe1-datasheets-4068.pdf ЦСОП 20 1 2,6 ГГц Часы Да
MB3773PS MB3773PS Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Не соответствует требованиям RoHS
MB88347LPFV-G-BND-ERE1 MB88347LPFV-G-BND-ERE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 85°С -20°С Соответствует RoHS ЛССОП 16 Серийный 200 мкс 8 Одинокий 250 мВт 8
MB91F662PMC-GE1 MB91F662PMC-GE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

85°С -40°С 33 МГц Соответствует RoHS ЛКФП Неизвестный 3,6 В 2,7 В 120 EBI/EMI, I2C, UART, USART, USB 512 КБ Внешний 99 ВСПЫШКА ДМА, ШИМ, ВДТ 48КБ 1 16
MB39C601PNF-G-JKEFE1 MB39C601PNF-G-JKEFE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Соответствует RoHS Без свинца
MB88151APNF-G-100-JNE1 MB88151APNF-G-100-JNE1 Fujitsu Electronics America, Inc.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

Поверхностный монтаж 85°С -40°С Соответствует RoHS СОИК 1 33,4 МГц Кристалл Да

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.