МоСис, Инк.

МоСис, Инк.(8)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Технология Статус RoHS Техническая спецификация Пакет/кейс Время выполнения заказа на заводе Напряжение питания Размер памяти Тип памяти Время доступа Тактовая частота Формат памяти Интерфейс памяти
MSR830AGC-1512 MSR830AGC-1512 МоСис, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 4 (72 часа) 1T-SRAM Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/mosysinc-msr830agc1512-datasheets-3809.pdf 676-БГА 4 недели 1,152 ГБ 16 М x 72 Неустойчивый 2,7 нс 1,25 ГГц СРАМ Параллельно
MSR630AGC-1512 MSR630AGC-1512 МоСис, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 4 (72 часа) 1T-SRAM Соответствует ROHS3 676-БГА 4 недели 1,152 ГБ 16 М x 72 Неустойчивый 2,7 нс 1,25 ГГц СРАМ Параллельно
MSR820AJC288-12 MSR820AJC288-12 МоСис, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 4 (72 часа) 1T-SRAM Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/mosysinc-msr820ajc28812-datasheets-9467.pdf 324-БГА 4 недели 0,95 В 576Мб 8М х 72 Неустойчивый 2,6 нс 1,25 ГГц СРАМ Параллельно
MSR622AJC288-12 MSR622AJC288-12 МоСис, Инк.
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж 0°К~85°К ТК Поднос 4 (72 часа) 1T-SRAM Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/mosysinc-msr622ajc28812-datasheets-9537.pdf 324-БГА 4 недели 0,95 В 576Мб 8М х 72 Неустойчивый 2,6 нс 1,25 ГГц СРАМ Параллельно

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.