Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПробный камень полупроводник(160)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Текущий - Поставка | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Оценочный комплект | Номинальный ток питания | Толерантность | Температурный коэффициент | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Входной диапазон | Количество каналов | Рассеяние мощности | Входной ток смещения | Количество элементов | Подкатегория | Входное напряжение смещения (Vos) | Источники питания | Скорость нарастания | Усиление напряжения | Количество цепей | Статус квалификации | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Интерфейс данных | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Напряжение — вход | Максимальный входной ток | Допуск по частоте | Максимальное двойное напряжение питания | Тип усилителя | Продукт увеличения пропускной способности | Задержка распространения | Коэффициент отклонения синфазного режима | Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) | Функция | Архитектура | Частотная компенсация | Максимальное ограничение напряжения питания | Микроэнергетика | Программируемая мощность | Власть | Минимальное двойное напряжение питания | Широкополосный | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Ток покоя | Количество таймеров/счетчиков | Выходной ток на канал | Тип ссылки | Количество аналого-цифровых преобразователей | Ток — выход/канал | Гистерезис | Используемая микросхема/деталь | Напряжение — выход | Максимальный ток смещения (IIB) при 25C | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Ток – режим покоя (макс.) | Напряжение — смещение входного сигнала (макс.) | Ток — входное смещение (макс.) | CMRR, PSRR (тип.) | Ток — выход (тип.) | Задержка распространения (макс.) | с низким смещением | Низкое смещение | Ток - Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Шум - от 10 Гц до 10 кГц | Шум — от 0,1 Гц до 10 Гц. | Поставляемый контент | Основная цель | Тип платы | Каналов на микросхему | Ток-питание (основная микросхема) | Встроенный | Частота выборки (в секунду) | Выходы и тип | Топология регулятора | Ток – входное смещение | Напряжение — входное смещение | Мощность (типовая) при условиях |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТСМ9120EXK+Т | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Общего назначения | ТСМ91x | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-tsm9120exkt-datasheets-7898.pdf | 6-ВССОП (5 выводов), СК-88А, СОТ-353 | 5,5 В | Без свинца | 5,5 В | 1,6 В | 5 | 1 | 1нА | 1 | 5 мВ | СК-70-5 | 50 мА | Открытый слив | 1нА | 45 мкс | 80 дБ | 80 дБ | 800нА | 4мВ | 1,6 В~5,5 В | 800нА | 5 мВ | 1нА | CMRR 66,02 дБ, PSRR 80 дБ | 50 мА | 45 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS6001BIG325T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 35 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-ts6001big325t-datasheets-7804.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | ±0,16% | 15 частей на миллион/°С | СОТ-23-3 | Зафиксированный | 2,7 В~12,6 В | Ряд | 500 мкА | 2,5 В | 75 мкВ (среднеквадратичное значение) | 50 мкВ (пик-пик) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1005ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Аналог НаноВатт™ | 1 (без ограничений) | 2013 год | /files/touchstonesemiconductor-ts1005dbsot-datasheets-5345.pdf | 0,0075 В/мкс | Железнодорожный транспорт | Общего назначения | 15 мА | ТС1005 | 0,8 В~5,5 В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 1,3 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM9634WEUK+T | Оселок Полупроводник | 2,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 1,1 мкА | Соответствует RoHS | 2016 год | СК-74А, СОТ-753 | Без свинца | 5 | 1 | 100 мкВ | 46,02 дБ | 1 | Текущий смысл | 1,6 В~28 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС6001Г3-2.5ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Управление питанием | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts6001g325db-datasheets-8920.pdf | Опорное напряжение | ТС6001 | Совет(ы) | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM982CUA+T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | с источником опорного напряжения | ТСМ98x | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-tsm972cuat-datasheets-6814.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 11В | 2,5 В | 5нА | 2 | 10 мВ | 8-МСОП | 40 мА | КМОП, ТТЛ | 5нА | 5,5 В | 12 мкс | 80 дБ | 80 дБ | 1,25 В | 6мкА | 50 мВ | 2,5 В~11 В ±1,25 В~5,5 В | 6мкА | 10 мВ при 2,5 В | 0,005 мкА при 2,5 В | 80 дБ CMRR, 80 дБ PSRR | 40 мА | 12 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1103-50ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 2012 год | /files/touchstonesemiconductor-ts110350db-datasheets-5265.pdf | 6 кГц | Односторонний | Текущий смысл | ТС1103-50 | 2В~25В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 680нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1102-100ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 2014 год | /files/touchstonesemiconductor-ts110250db-datasheets-5275.pdf | 4,5 кГц | Односторонний | Текущий смысл | ТС1102-100 | 2В~27В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 680нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1103-200ЭГ6Т | Оселок Полупроводник | 0,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 680нА | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-ts110325db-datasheets-9765.pdf | СОТ-23-6 | 1 | СОТ-23-6 | 4,5 кГц | Текущий смысл | 2В~25В | 30 мкВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС9001ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Линейный | Аналог НаноВатт™ | 1 (без ограничений) | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts9001db-datasheets-4084.pdf | 4 недели | Компаратор, одиночный | ТС9001 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM932CUA+T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | с источником опорного напряжения | ТСМ93x | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-tsm932cuat-datasheets-8387.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 8 | 4,5 мкА | 330мВт | 2 | 10 мВ | 40 мА | КМОП, двухтактный, ТТЛ | 12 мкс | 80 дБ | 80 дБ | 4,5 мкА | 50 мВ | 2,5 В~11 В ±1,25 В~5,5 В | 10 мВ при 2,5 В | 80 дБ CMRR, 80 дБ PSRR | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS1003DB-СОТ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Аналог НаноВатт™ | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 3 мкА | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/touchstonesemiconductor-ts1003dbsot-datasheets-5268.pdf | 5,5 В | Да | 0,0015 В/мкс | Железнодорожный транспорт | Общего назначения | 15 мА | 15 мА | ТС1003 | 0,8 В~5,5 В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 600нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1102-200ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-ts110250db-datasheets-5275.pdf | 4,5 кГц | Односторонний | Текущий смысл | ТС1102-200 | 2В~27В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 680нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1103-50ЭГ6Т | Оселок Полупроводник | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 105°С | -40°С | 680нА | 680нА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-ts110325db-datasheets-9765.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,45 мм | 1,75 мм | 1,2 мкА | 25 В | 2В | 6 | 1 | 360мВт | 1 | 30 мкВ | 33,98 дБ | 1 | СОТ-23-6 | 6 кГц | 27В | Текущий смысл | 120 дБ | 2В~25В | 30 мкВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС3001ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тайминг | Аналог НаноВатт™ | 1 (без ограничений) | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts3001db-datasheets-4495.pdf | 4 недели | Тактовое колебание | ТС3001 | Совет(ы) | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM923CUA+T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | с источником опорного напряжения | ТСМ92x | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-tsm922cuat-datasheets-7079.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 1 | 10 мВ | 40 мА | КМОП, Rail-to-Rail, TTL | 12 мкс | 80 дБ | 80 дБ | 4,5 мкА | 50 мВ | 2,5 В~11 В ±1,25 В~5,5 В | 4,5 мкА | 10 мВ при 2,5 В | 80 дБ CMRR, 80 дБ PSRR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1102-50ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 105°С | -40°С | 800мА | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/touchstonesemiconductor-ts110250db-datasheets-5275.pdf | 6В | Да | 6 кГц | Односторонний | Текущий смысл | ТС1102-50 | 2В~27В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 680нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS3004ITD1033T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Осциллятор, Кремний | Аналог НаноВатт™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | До 300 кГц | 4,5 мкА | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts3004itd1033t-datasheets-9657.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | 1,55 В~5,25 В | ТС3004 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1004ИТ14Т | Оселок Полупроводник | 1,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2,4 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts1004it14t-datasheets-6133.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 кГц | Без свинца | 14 | 0,0015 В/мкс | 4 | 14-ЦСОП | Железнодорожный транспорт | Общего назначения | 4 кГц | 1,5 мА | 0,65 В~2,5 В | 25пА | 500 мкВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС3003ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Тайминг | Аналог НаноВатт™ | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts3003db-datasheets-4527.pdf | 4 недели | Тактовое колебание | ТС3003 | Совет(ы) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM933CUA+T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | с источником опорного напряжения | ТСМ93x | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-tsm932cuat-datasheets-8387.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 8 | 4,5 мкА | 330мВт | 2 | 10 мВ | 40 мА | КМОП, двухтактный, ТТЛ | 12 мкс | 80 дБ | 80 дБ | 4,5 мкА | 50 мВ | 2,5 В~11 В ±1,25 В~5,5 В | 10 мВ при 2,5 В | 80 дБ CMRR, 80 дБ PSRR | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1103-25ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 2012 год | /files/touchstonesemiconductor-ts110350db-datasheets-5265.pdf | 6 кГц | Односторонний | Текущий смысл | ТС1103-25 | 2В~25В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 680нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS3001ITD822T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Осциллятор, Кремний | Аналог НаноВатт™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 5,2 кГц~90 кГц | 2,1 мкА | 2,1 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/touchstonesemiconductor-ts3001itd822t-datasheets-4725.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | 1В | Без свинца | 1,8 В | 900 мВ | 8 | Нет | 1 мкА | 1,951 Вт | 0,9 В~1,8 В | 1 | 8-ТДФН (2х2) | 2% | -1 мА | 1 мА | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS12011ITD1022T | Оселок Полупроводник | 1,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,1 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts12011itd1022t-datasheets-8753.pdf | 10-UFDFN Открытая площадка | 10 | неизвестный | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,4 мм | 10 | Операционные усилители | 0,8/2,5 В | 0,006 В/мкс | 1 | Не квалифицирован | Push-Pull | Общего назначения | 15 кГц | НАПРЯЖЕНИЕ-ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ | ДА | 2,75 В | ДА | НЕТ | НЕТ | НЕТ | 500 мкА | 0,02 мкА | 0,8 В~2,5 В | НЕТ | НЕТ | 20нА | 3,5 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС3300ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 2013 год | /files/touchstonesemiconductor-ts3300itq1633t-datasheets-3368.pdf | 4 недели | 0,6 В~3 В | ТС3300 | 3В | Совет(ы) | DC/DC, шаг вперед | Полностью заселен | 1, неизолированный | Способствовать росту | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM973CUA+T | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | с источником опорного напряжения | ТСМ97x | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/touchstonesemiconductor-tsm972cuat-datasheets-6814.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,118, 3,00 мм) | 11В | 2,5 В | 5нА | 2 | 10 мВ | 8-МСОП | 40 мА | КМОП, ТТЛ | 5нА | 5,5 В | 12 мкс | 67 дБ | 67 дБ | 1,25 В | 6мкА | 50 мВ | 2,5 В~11 В ±1,25 В~5,5 В | 6мкА | 10 мВ при 2,5 В | 0,005 мкА при 2,5 В | 67 дБ CMRR, 67 дБ PSRR | 40 мА | 12 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС1103-200ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 105°С | -40°С | 200 мА | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/touchstonesemiconductor-ts110350db-datasheets-5265.pdf | 200 | 6В | Да | 4,5 кГц | Односторонний | Текущий смысл | ТС1103-200 | 2В~25В | Совет(ы) | Полностью заселен | 1 - Одиночный | 680нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS3002ITD822T | Оселок Полупроводник | $4,55 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Осциллятор, Кремний | Аналог НаноВатт™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | 5,2 кГц~290 кГц | 3,6 мкА | 3,6 мкА | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts3002itd822t-datasheets-4839.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | 1В | Без свинца | 1,8 В | 900 мВ | 8 | Нет | 1 мкА | 1,951 Вт | 0,9 В~1,8 В | 1 | 8-ТДФН (2х2) | 2% | -1 мА | 1 мА | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TS12012ITD1022T | Оселок Полупроводник | 1,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,1 мкА | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/touchstonesemiconductor-ts12011itd1022t-datasheets-8753.pdf | 10-UFDFN Открытая площадка | 10 | неизвестный | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,4 мм | 10 | Операционные усилители | 0,8/2,5 В | 0,006 В/мкс | 1 | Не квалифицирован | Открытый слив | Общего назначения | 15 кГц | НАПРЯЖЕНИЕ-ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ | ДА | 2,75 В | ДА | НЕТ | НЕТ | НЕТ | 1,4 мА | 0,02 мкА | 0,8 В~2,5 В | НЕТ | НЕТ | 20нА | 3,5 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТС7001ДБ | Оселок Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Коробка | 1 (без ограничений) | 2013 год | /files/touchstonesemiconductor-ts7001db-datasheets-2326.pdf | 0 ~ Вдд | DSP, MICROWIRE™, QSPI™, последовательный порт, SPI™ | 12 | 1 | ТС7001 | Совет(ы) | 187,5 тыс. | 2,1 мВт при 187,5 тыс. импульсов в секунду |
