Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Пол | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Код HTS | Контактное сопротивление | Положение терминала | Терминальная форма | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Естественное термическое сопротивление | Скорость | Материал диодного элемента | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МУРТА400120R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | Стандартный | 1,2 кВ | 200А | 3300А | 1 | 0,18 мкс | 1200В | 25 мкА при 1200 В | 2,6 В при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MUR2X030A04 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2018 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 400В | 30А | 400В | 25 мкА при 400 В | 1,3 В при 30 А | -55°К~175°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х060А200 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 200В | 60А | 200В | 3 мА при 200 В | 920 мВ при 60 А | -40°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х100А100 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 100А | 100В | 1 мА при 100 В | 840 мВ при 100 А | -40°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР2Х120А10 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1кВ | 120А | 1000В | 25 мкА при 1000 В | 2,35 В при 120 А | -55°К~175°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР2Х060А10 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1кВ | 60А | 1000В | 25 мкА при 1000 В | 2,35 В при 60 А | -55°К~175°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х100А180 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 180 В | 200А | 180 В | 3 мА при 180 В | 920 мВ при 100 А | -40°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40030CTL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr40030ctl-datasheets-4238.pdf | Башня-близнец | Общий катод | Башня-близнец | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 200А | 30 В | 3 мА при 30 В | 580 мВ при 200 А | 200А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ30035Л | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt30035l-datasheets-8162.pdf | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 35В | 150А | 2000А | 1 | 3 мА при 35 В | 600 мВ при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRT40045RL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbrt40045rl-datasheets-8180.pdf | Три башни | Общий анод | Три башни | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 200А | 45В | 5 мА при 45 В | 600 мВ при 200 А | 200А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MBRT60045RL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5000мкА | Шоттки | 45В | 300А | 4000А | 1 | 5 мА при 45 В | 600 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБ10SLT12-247D | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-247-3 | 18 недель | Общий катод | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Карбид кремния Шоттки | 1,2 кВ | 12А | 1200В | 50 мкА при 1200 В | 1,9 В при 5 А | -55°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ73100М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Д61-3М | 3 | 7 недель | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 70А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки | 100В | 35А | 1 | 1 мА при 100 В | 840 мВ при 35 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ12030 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrf12040r-datasheets-4394.pdf | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 120А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 60А | 1 | 1 мА при 30 В | 700 мВ при 60 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ6330М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Д61-3М | 3 | 7 недель | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 60А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 30А | 1 | 1 мА при 30 В | 700 мВ при 30 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ300150Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 150 В | 150А | 2000А | 1 | 1 мА при 150 В | 880 мВ при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ40040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 200А | 1 | 1 мА при 40 В | 700 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ50045Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 500А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 250А | 1 | 1 мА при 45 В | 750 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ6335М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Д61-3М | 3 | 7 недель | Мужской | 11 | Прямой | 20мОм | ОДИНОКИЙ | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 2,5 мм | 60А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 35В | Шоттки | 35В | 30А | 1 | 1 мА при 35 В | 700 мВ при 30 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА60020L | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 20 В | 300А | 4000А | 1 | 3 мА при 20 В | 580 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА80040L | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5000мкА | Шоттки | 40В | 400А | 6000А | 1 | 5 мА при 40 В | 600 мВ при 400 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА80035L | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 35В | 400А | 6000А | 1 | 3 мА при 35 В | 600 мВ при 400 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURF30020 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | Стандартный | 200В | 150А | 2750А | 1 | 0,1 мкс | 25 мкА при 200 В | 1 В при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UFT10060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-249АБ | 3 | ОДИНОКИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Д3 | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 90 нс | Стандартный | 600В | 50А | 1000А | 1 | 25 мкА при 600 В | 1,7 В при 50 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА60040RL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5000мкА | Шоттки | 40В | 300А | 4000А | 1 | 5 мА при 40 В | 600 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА80035 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 35В | 400А | 6000А | 1 | 1 мА при 35 В | 720 мВ при 400 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА40035L | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 35В | 200А | 3000А | 1 | 3 мА при 35 В | 600 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ83100М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-fst8380m-datasheets-4879.pdf | Д61-3М | 3 | 4 недели | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 80А | 800А | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки | 100В | 80А | 1 | 40А | 1,5 мА при 20 В | 840 мВ при 80 А | 80 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ8345М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-fst8380m-datasheets-4879.pdf | Д61-3М | 3 | 4 недели | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 80А | 800А | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 80А | 1 | 40А | 1,5 мА при 20 В | 650 мВ при 80 А | 80 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||
| FR40MR05 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-203АБ, ДО-5, шпилька | 1 | 10 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 150°С | 1 | О-МУПМ-Д1 | 40А | 500А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 0,8 °С/Вт | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 1кВ | 1кВ | 500 нс | 500 нс | Стандартная, обратная полярность | 1кВ | 40А | 1 | 1000В | 25 мкА при 100 В | 1 В при 40 А | -40°К~125°К |
