ГенеСиК Полупроводник(3996)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Устанавливать	Тип монтажа	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Прекращение действия	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Количество окончаний	Время выполнения заказа на заводе	ДОСТИГНУТЬ СВХК	Количество контактов	Статус жизненного цикла	Код Pbfree	Количество контактов	Ориентация	ECCN-код	Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток)	Код HTS	Контактное сопротивление	Положение терминала	Терминальная форма	Пиковая температура оплавления (Цел)	Базовый номер детали	Рабочая температура (макс.)	Конфигурация элемента	Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	Количество элементов	Подкатегория	Код JESD-30	Пакет устройств поставщика	Подача	Прямой ток	Прямое напряжение	Максимальный импульсный ток	Максимальный обратный ток утечки	Конфигурация	Соединение корпуса	Приложение	Естественное термическое сопротивление	Скорость	Материал диодного элемента	Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm)	Пиковый обратный ток	Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm)	Обратное напряжение	Код JEDEC-95	Обратное время восстановления	Время восстановления	Тип диода	Макс. обратное напряжение (постоянный ток)	Средний выпрямленный ток	Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс.	Количество фаз	Выходной ток-Макс.	Емкость @ Вр, Ф	Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	Ток – обратная утечка @ Vr	Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	Ток – средний выпрямленный (Io)	Рабочая температура - соединение	Конфигурация диода
ФСТ8340М	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Крепление на шасси	Крепление на шасси	Масса	1 (без ограничений)		175°С	-40°С	Соответствует RoHS	2012 год	/files/genesicemiconductor-fst8340m-datasheets-4863.pdf	Д61-3М	3	4 недели							EAR99		8541.10.00.80		ОДИНОКИЙ	ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ						2		Р-ПСФМ-Т3			80А	750 мВ					ВЛАСТЬ		Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ	800А	1 мкА	40В					Шоттки	40В	80А		1	40А			1,5 мА при 20 В	650 мВ при 80 А	80 А постоянного тока	-55°К~150°К	1 пара с общим катодом
MURF10040	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Крепление на шасси	Крепление на шасси	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murf10040-datasheets-8655.pdf	ТО-244АБ	2	4 недели											ВЕРХНИЙ	НЕУКАЗАНО			150°С			2		Р-ПУФМ-Х2					400А				СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ		Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА		400В		75 нс		Стандартный	400В	100А	1500А	1	50А			25 мкА при 50 В	1,3 В при 50 А	100 А постоянного тока	-55°К~150°К	1 пара с общим катодом
MURF20010R	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Крепление на шасси	Крепление на шасси	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2013 год	/files/genesicemiconductor-murf20010r-datasheets-8752.pdf	ТО-244АБ	2	4 недели							EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НЕУКАЗАНО			150°С	Общий анод		2		Р-ПУФМ-Х2					800А				СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ		Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА		100В		75 нс		Стандартный	100В	200А	2000А	1	100А			25 мкА при 50 В	1,3 В при 100 А	200А постоянного тока	-55°К~150°К	1 пара общего анода
1N3892	GeneSiC Полупроводник	$8,87	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год		ДО-203АА, ДО-4, шпилька		10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)											1N3892							ДО-4		12А		90А						Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)			25 мкА	300В	300В		200 нс	200 нс	Стандартный	400В	12А					400В	25 мкА при 50 В	1,4 В при 12 А	12А	-65°К~150°К
GC20MPS12-220	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Сквозное отверстие	Трубка	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ТО-220-2		14 недель																															Нет времени восстановления > 500 мА (Io)							0нс		Карбид кремния Шоттки						1298пФ @ 1В 1МГц	1200В	18 мкА при 1200 В	1,8 В при 20 А	94А постоянного тока	-55°К~175°К
1N2131AR	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год	/files/genesicemiconductor-1n2131ar-datasheets-9411.pdf	ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ		1N2131AR	200°С			1		О-МУПМ-Д1			60А		1,05 кА		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	0,65 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	200В	200В				Стандартная, обратная полярность	200В	60А		1				10 мкА при 50 В	1,1 В при 60 А		-65°К~200°К
ГБ01SLT06-214	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Обеспечить регресс	Поверхностный монтаж	Разрезанная лента (CT)	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2015 год		ДО-214АА, СМБ		18 недель	Нет СВХК	2	ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80					ГБ01SLT06	175°С	Одинокий		1	Выпрямительные диоды				1А							3,55 °С/Вт	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)				650В			0 с		Карбид кремния Шоттки	650В	1А			1А	76пФ @ 1В 1МГц		10 мкА при 6,5 В	2 В при 1 А	1 А постоянного тока	-55°К~175°К
FR30J02	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год		ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			125°С			1		О-МУПМ-Д1			30А		300А		ОДИНОКИЙ	КАТОД		0,46 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	600В	600В		200 нс	250 нс	Стандартный	600В	30А		1				25 мкА при 50 В	1 В при 30 А		-40°К~125°К
S25JR	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s25jr-datasheets-8908.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			175°С			1		О-МУПМ-Д1			25А		373А		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	2,5 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	600В	600В				Стандартная, обратная полярность	600В	25А		1				10 мкА при 50 В	1,1 В при 25 А		-65°К~175°К
1N3890	GeneSiC Полупроводник	$33,77	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3890-datasheets-9060.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька		10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)											1N3890							ДО-4		12А		90А					2 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)			25 мкА	100В	100В		200 нс	200 нс	Стандартный	100В	12А					100В	25 мкА при 50 В	1,4 В при 12 А	12А	-65°К~150°К
1Н3209	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n3209-datasheets-9208.pdf	ДО-203АБ, ДО-5, шпилька		6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)											1Н3209							ДО-5		15А		297А					0,65 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)			10 мкА	100В	100В				Стандартный	100В	15А					100В	10 мкА при 50 В	1,5 В при 15 А	15А	-65°К~175°К
1Н1189Р	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-1n1189r-datasheets-9283.pdf	ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ		1Н1189Р	190°С			1		О-МУПМ-Д1			35А		595А		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	0,25 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	500В	500В				Стандартная, обратная полярность	600В	35А		1				10 мкА при 50 В	1,2 В при 35 А		-65°К~190°К
S40VR	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s40vr-datasheets-9320.pdf	ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			40А		595А		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	1,25 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	1,4 кВ	1,4 кВ				Стандартная, обратная полярность	1,4 кВ	40А		1			1400В	10 мкА при 100 В	1,1 В при 40 А		-65°К~160°К
ФР16Б02	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, шпилька, сквозное отверстие	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)	Припой	75°С	0°С	Соответствует RoHS			ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да	6	Прямой угол				6мОм	ВЕРХНИЙ							1		О-МУПМ-Д1		3,96 мм	16А		225А		ОДИНОКИЙ	КАТОД		1,5 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	100В	100В		200 нс	200 нс	Стандартный	100В	16А		1				25 мкА при 100 В	900 мВ при 16 А		-65°К~150°К
С6Д	GeneSiC Полупроводник	$5,73	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s6d-datasheets-9637.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			6А		167А		ОДИНОКИЙ	КАТОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	2,5 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	200В	200В				Стандартный	200В	6А		1	6А			10 мкА при 100 В	1,1 В при 6 А		-65°К~175°К
S6QR	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS		https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s6qr-datasheets-9674.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			6А		167А		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	2,5 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	1,2 кВ	1,2 кВ				Стандартная, обратная полярность	1,2 кВ	6А		1	6А		1200В	10 мкА при 100 В	1,1 В при 6 А		-65°К~175°К
С16ГР	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s16gr-datasheets-9762.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			16А		370А		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	2,5 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	400В	400В				Стандартная, обратная полярность	400В	16А		1				10 мкА при 50 В	1,1 В при 16 А		-65°К~175°К
FR6G02	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			6А		135А		ОДИНОКИЙ	КАТОД		2,5 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	400В	400В		200 нс	200 нс	Стандартный	400В	6А		1	6А			25 мкА при 50 В	1,4 В при 6 А		-65°К~150°К
FR6GR02	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			6А		135А		ОДИНОКИЙ	АНОД		2,5 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	400В	400В		200 нс	200 нс	Стандартная, обратная полярность	400В	6А		1	6А			25 мкА при 50 В	1,4 В при 6 А		-65°К~150°К
FR20J02	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Кабель, шасси, шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)		105°С	-40°С	Соответствует RoHS			ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да	6	Прямой		250,25кВ			ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ						1		О-МУПМ-Д1		5,08 мм	20А		250А		ОДИНОКИЙ	КАТОД		0,6 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	600В	600В		250 нс	250 нс	Стандартный	600В	20А		1				25 мкА при 50 В	1 В при 20 А		-40°К~125°К
FR6GR05	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			6А		135А		ОДИНОКИЙ	АНОД		2,5 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	400В	400В		500 нс	500 нс	Стандартная, обратная полярность	400В	16А		1				25 мкА при 50 В	1,4 В при 6 А		-65°К~150°К
МУР2520	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mur2520-datasheets-0992.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ	НЕ УКАЗАН		175°С		НЕ УКАЗАН	1		О-МУПМ-Д1			25А		500А		ОДИНОКИЙ	КАТОД	СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ		Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		10 мкА		200В		75 нс		Стандартный	200В	25А		1				10 мкА при 50 В	1 В @ 25 А		-55°К~150°К
МУР2540	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mur2540-datasheets-1039.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1					500А		ОДИНОКИЙ	КАТОД	СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ		Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		10 мкА		400В		75 нс		Стандартный	400В	25А		1			400В	10 мкА при 50 В	1,3 В при 25 А		-55°К~150°К
ФР30КР05	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ			150°С			1		О-МУПМ-Д1			30А		300А		ОДИНОКИЙ	АНОД		0,46 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		25 мкА	800В	800В		500 нс	500 нс	Стандартная, обратная полярность	800В	30А		1				25 мкА при 800 В	1 В при 30 А		-40°К~125°К
ГКР71/14	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АБ, ДО-5, шпилька		6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80						150°С			1	Выпрямительные диоды								ОДИНОКИЙ				Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)									Стандартный	1,4 кВ	95А	1150А				1400В	10 мА при 1400 В	1,5 В при 60 А		-40°К~180°К
1N5828	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)		150°С	-65°С	Соответствует RoHS	2013 год		ДО-203АБ, ДО-5, шпилька	1	10 недель	Нет СВХК		ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да							ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ	НЕ УКАЗАН	1N5828		Одинокий	НЕ УКАЗАН	1		О-МУПМ-Д1			15А	500мВ	500А	1 мкА		КАТОД	ВЛАСТЬ	1,8 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		1А	40В		ДО-203АА			Шоттки	40В	15А		1				10 мА при 20 В	500 мВ при 15 А		-65°К~150°К
С300ДР	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-s300dr-datasheets-1679.pdf	ДО-205АБ, ДО-9, шпилька	1	6 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	СИЛЬНОТОЧНЫЙ КАБЕЛЬ			200°С			1	Выпрямительные диоды	О-МУПМ-H1			300А		6,85 кА		ОДИНОКИЙ	АНОД	ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ	0,16 °С/Вт	Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io)	КРЕМНИЙ		10 мкА	200В	200В				Стандартная, обратная полярность	200В	300А		1				10 мкА при 100 В	1,2 В при 300 А		-60°К~200°К
FR40B05	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АБ, ДО-5, шпилька		10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)																				40А		500А					0,8 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)			25 мкА	100В	100В		500 нс	500 нс	Стандартный	100В	40А						25 мкА при 100 В	1 В при 40 А		-40°К~125°К
МБР3540	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)		150°С	-55°С	Соответствует RoHS	2013 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-mbr3540-datasheets-2048.pdf	ДО-203АА, ДО-4, шпилька	1	10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад)	да			EAR99		8541.10.00.80		ВЕРХНИЙ	НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ						1		О-МУПМ-Д1			35А		600А	1 мкА	ОДИНОКИЙ	КАТОД	ВЛАСТЬ	1,5 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)	КРЕМНИЙ		1А	40В					Шоттки	40В	35А		1				1,5 мА при 20 В	680 мВ при 35 А		-55°К~150°К
ФР40ДР05	GeneSiC Полупроводник		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Шасси, Шпилька	Шасси, Крепление на шпильке	Масса	1 (без ограничений)				Соответствует RoHS			ДО-203АБ, ДО-5, шпилька		10 недель			ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад)																				40А		500А					0,8 °С/Вт	Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио)			25 мкА	200В	200В		500 нс	500 нс	Стандартная, обратная полярность	200В	40А						25 мкА при 100 В	1 В при 40 А		-40°К~125°К

ГенеСиК Полупроводник(3996)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии