Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Тип разъема | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Контактный материал | Контактное покрытие | Код HTS | Максимальный текущий рейтинг | Контактное сопротивление | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальное номинальное напряжение (переменный ток) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Экранирование | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР50045CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 500А | 3,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 500А | 1 | 250А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ120100Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 120А | 800А | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки | 100В | 120А | 1 | 60А | 1 мА при 20 В | 880 мВ при 60 А | 120 А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТ25080(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Кабель, крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Обжим | Соответствует RoHS | 2012 год | Три башни | 16 мм | 3,56 мм | 3,05 мм | 10 недель | Разъем, печатная плата, сигнал | Прямой | Латунь | Олово | 5А | 20мОм | Общий катод | 250А | 3,3 кА | Неэкранированный | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 15 мкА | 800В | 800В | Стандартный | 800В | 250А | 15 мкА при 600 В | 1,2 В при 250 А | 250 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ10080 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-249АБ | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ОДИНОКИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Д3 | 100А | 1 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 80В | Шоттки | 80В | 100А | 1 | 50А | 2 мА при 20 В | 840 мВ при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ16030 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-249АБ | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 8 | Прямой | 20мОм | ОДИНОКИЙ | 2 | Р-ПСФМ-Д3 | 2,54 мм | 160А | 750 мВ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1,2 кА | 1 мкА | 30 В | Шоттки | 30 В | 160А | 1 | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 160 А | 160 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР12040CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 120А | 800А | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 120А | 1 | 60А | 3 мА при 20 В | 650 мВ при 120 А | 120 А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ10040 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | ТО-249АБ | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ОДИНОКИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Д3 | 100А | 1 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 100А | 1 | 50А | 2 мА при 20 В | 650 мВ при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ120200Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt120200r-datasheets-9947.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 200В | 60А | 800А | 1 | 1 мА при 200 В | 920 мВ при 60 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ200150 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt200150-datasheets-9974.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 150 В | 100А | 1500А | 1 | 1 мА при 150 В | 880 мВ при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ20045Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-mbrt20045r-datasheets-0007.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 4 месяца назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 200А | 1,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 200А | 1 | 100А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40045CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | 3кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 400А | 1 | 200А | 5 мА при 20 В | 650 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТ100120(А)Д | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 100А | 1200В | 10 мкА при 1200 В | 1,1 В при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСРТ150140(А)Д | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,4 кВ | 150А | 1400В | 10 мкА при 1400 В | 1,1 В при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ400100Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | Три башни | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 3 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | Общий анод | НЕ УКАЗАН | 2 | 200А | 880мВ | 3кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3кА | 1А | 100В | Шоттки, Обратная полярность | 100В | 400А | 1 | 1 мА при 20 В | 880 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ40020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 400А | 3кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки | 20 В | 400А | 1 | 200А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 200 А | 400А постоянного тока | -55°К~175°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР50040CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 500А | 3,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 500А | 1 | 250А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТ20060Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murt20060r-datasheets-0266.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 2кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 160 нс | Стандартный | 600В | 200А | 2000А | 1 | 100А | 25 мкА при 50 В | 1,7 В при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ50045Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | 4 | Прямой | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 4,2 мм | 500А | 600В | 3,5 кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 500А | 1 | 250А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР500100CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 500А | 3,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 100В | Шоттки, Обратная полярность | 100В | 500А | 1 | 250А | 1 мА при 20 В | 880 мВ при 250 А | 500А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТ20040Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-murt20040r-datasheets-0422.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 2кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 400В | 90 нс | Стандартный | 400В | 200А | 2000А | 1 | 100А | 25 мкА при 50 В | 1,35 В при 100 А | 200А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР200100CTS | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Винт | Винтовое крепление | Трубка | 1 (без ограничений) | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/genesicemiconductor-mbr200100cts-datasheets-5142.pdf | СОТ-227-4 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | СОТ-227 | 200А | 10 мкА | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 200А | 100В | 10 мкА при 80 В | 950 мВ при 100 А | 200А постоянного тока | -40°К~175°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURT30010 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-murt30010-datasheets-1068.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 2,75 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 100В | 100 нс | Стандартный | 100В | 300А | 2750А | 1 | 150А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 150 А | 300А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТ40020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-murt40020r-datasheets-1142.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 3,3 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 125 нс | Стандартный | 200В | 400А | 3300А | 1 | 200А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 200 А | 400А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА20020Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | Стандартный | 200В | 100А | 2000А | 1 | 0,1 мкс | 25 мкА при 200 В | 1,3 В при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ60020 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 600А | 4кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки | 20 В | 600А | 1 | 300А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 300 А | 600А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА50060R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-murta50060r-datasheets-1286.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 3,8 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 250 нс | Стандартный | 600В | 500А | 3800А | 1 | 250А | 25 мкА при 50 В | 1,7 В при 250 А | 500А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSRTA300120(А)Д | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-msrta300120ad-datasheets-1336.pdf | Три башни | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 300А | 1200В | 25 мкА при 200 В | 1,2 В при 300 А | 300А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара последовательного подключения | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУРТА60020R | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/genesicemiconductor-murta60020r-datasheets-1406.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 4,4 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 200В | 200 нс | Стандартный | 200В | 600А | 4400А | 1 | 300А | 25 мкА при 50 В | 1,3 В при 300 А | 600А постоянного тока | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х060А060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 60А | 60В | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 60 А | -40°К~150°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х050А150 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 150 В | 50А | 150 В | 3 мА при 150 В | 880 мВ при 50 А | -40°К~150°К | 2 независимых |
