Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактГенеСиК Полупроводник(3996)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Пол | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Подача | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Материал диодного элемента | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное время восстановления | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБР60020CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 600А | 4кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 20 В | Шоттки | 20 В | 600А | 1 | 300А | 1 мА при 20 В | 750 мВ при 300 А | 300А | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||
| МБР60060CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2013 год | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 600А | 4кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 600А | 1 | 300А | 1 мА при 20 В | 800 мВ при 300 А | 300А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||
| МСРТА500140(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/genesicemiconductor-msrta500140a-datasheets-6719.pdf | Три башни | 10 недель | Общий катод | 500А | 4,4 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 25 мкА | 1,4 кВ | 1,4 кВ | Стандартный | 1,4 кВ | 500А | 1400В | 25 мкА при 600 В | 1,2 В при 500 А | 500А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURT30060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/genesicemiconductor-murt30060-datasheets-1119.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | -55°С | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 2,75 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | СУПЕР БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 25 мкА | 600В | 200 нс | Стандартный | 600В | 300А | 2750А | 1 | 150А | 25 мкА при 50 В | 1,7 В при 150 А | 300А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||
| МСРТА600120(А) | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2012 год | Модуль 3-СМД | 10 недель | Общий катод | 600А | 5,8 кА | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | 25 мкА | 1,2 кВ | 1,2 кВ | Стандартный | 1,2 кВ | 600А | 1200В | 25 мкА при 600 В | 1,2 В при 600 А | 600А постоянного тока | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ500150Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt500150r-datasheets-1204.pdf | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 150 В | 250А | 3500А | 1 | 1 мА при 150 В | 880 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ60060Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | да | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 600А | 4кА | 1 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 600А | 1 | 300А | 1 мА при 20 В | 800 мВ при 300 А | 600А постоянного тока | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||
| МБР600200CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr600200ct-datasheets-1315.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 200В | 300А | 4000А | 1 | 3 мА при 200 В | 920 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||
| МБР600150CTR | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr600150ctr-datasheets-1372.pdf | Башня-близнец | 2 | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 150 В | 300А | 4000А | 1 | 3 мА при 150 В | 880 мВ при 300 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||
| MUR2X030A02 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 60 нс | Стандартный | 200В | 60А | 200В | 25 мкА при 200 В | 1 В при 30 А | -55°К~175°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х030А060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | СОТ-227 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 60В | 30А | 60В | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 30 А | 30А | -40°К~150°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР2Х100А045 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 5 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 100А | 45В | 1 мА при 45 В | 700 мВ при 100 А | -40°К~150°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУР2Х100А12 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | Стандартное восстановление >500 нс, > 200 мА (Io) | Стандартный | 1,2 кВ | 100А | 1200В | 25 мкА при 1200 В | 2,35 В при 100 А | -55°К~175°К | 2 независимых | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР30030CT | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси, сквозное отверстие | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Припой | 175°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | Башня-близнец | 2 | 4 недели | Мужской | 12 | Прямой | EAR99 | 600,6кВ | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 4,2 мм | 300А | 2,5 кА | 1 мкА | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 300А | 1 | 150А | 8 мА при 20 В | 650 мВ при 150 А | 300А постоянного тока | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||
| МУР2Х100А04 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-227-4, миниБЛОК | 6 недель | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 90 нс | Стандартный | 400В | 200А | 400В | 25 мкА при 400 В | 1,3 В при 100 А | -55°К~175°К | 2 независимых | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБР40030CTRL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbr40030ctl-datasheets-4238.pdf | Башня-близнец | Общий анод | Башня-близнец | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 30 В | 200А | 30 В | 3 мА при 30 В | 580 мВ при 200 А | 200А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТ30020РЛ | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/genesicemiconductor-mbrt30020rl-datasheets-8165.pdf | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 3000мкА | Шоттки | 20 В | 150А | 2000А | 1 | 3 мА при 20 В | 580 мВ при 150 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ16045Л | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/genesicemiconductor-fst16045l-datasheets-8184.pdf | ТО-249АБ | 12 недель | Общий катод | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 45В | 80А | 3 мА при 45 В | 600 мВ при 80 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФСТ7360М | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | Д61-3М | 3 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПСФМ-Т3 | 70А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 35А | 1 | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 35 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ200200Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 200В | 100А | 1500А | 1 | 1 мА при 200 В | 920 мВ при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ200150 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 150 В | 100А | 1500А | 1 | 1 мА при 150 В | 880 мВ при 100 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ12045 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 120А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 60А | 1 | 1 мА при 45 В | 700 мВ при 60 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ40030 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 30 В | Шоттки | 30 В | 200А | 1 | 1 мА при 30 В | 700 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ40060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 60В | Шоттки | 60В | 200А | 1 | 1 мА при 60 В | 750 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ50060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 60В | 250А | 3500А | 1 | 1 мА при 60 В | 780 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ60060 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 60В | 300А | 4000А | 1 | 1 мА при 60 В | 800 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА50040 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий катод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | 500А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 40В | Шоттки | 40В | 250А | 1 | 1 мА при 40 В | 700 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ40045Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | 7 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | 400А | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1А | 45В | Шоттки | 45В | 200А | 1 | 1 мА при 45 В | 700 мВ при 200 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРТА80040RL | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | Три башни | 3 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-X3 | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 5000мкА | Шоттки | 40В | 400А | 6000А | 1 | 5 мА при 40 В | 600 мВ при 400 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБРФ500100Р | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-244АБ | 2 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 150°С | Общий анод | 2 | Р-ПУФМ-Х2 | ВЛАСТЬ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 1000 мкА | Шоттки | 100В | 250А | 3500А | 1 | 1 мА при 100 В | 840 мВ при 250 А | -55°К~150°К | 1 пара общего анода |
