Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВеЭн Полупроводники(2134)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Код JESD-609 | Терминал отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Код JESD-30 | Дата проверки статуса исходного URL | Пакет устройств поставщика | Прямой ток | Конфигурация | Соединение корпуса | Приложение | Скорость | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Обратный ток-Макс. | Код JEDEC-95 | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Ток — удержание (Ih) (Макс.) | Емкость @ Вр, Ф | Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение — триггер ворот (Vgt) (макс.) | Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Текущее — состояние включения (It (AV)) (Макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние — выключено (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип триака | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БТА206С-800КТ/Л01, | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | EAR99 | БТА206 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 6А | 1,5 В | 60А 66А | 35 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА410-600КТ,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | БТА410-600 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 10А | 1,5 В | 100А 110А | 35 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА316-600Е/ДГК | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | БТА316 | Одинокий | 600В | 16А | 15 мА | 1,5 В | 140А 150А | 10 мА | Логика — чувствительные ворота | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОТ332,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | Одинокий | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ137С-600/Л02К | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА410Х-600БТ,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | БТА410-600 | Одинокий | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 10А | 60 мА | 1,5 В | 100А 110А | 50 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYQ28ED-200,118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 2 | EAR99 | е3 | Олово (Sn) | МЭК-60134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | BYQ28ED-200 | 150°С | 40 | 2 | Р-ПССО-Г2 | 10А | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 10 мкА | ТО-252АА | 25нс | Стандартный | 1 | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,25 В при 10 А | 150°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPS20H110C, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-nxps20h110c127-datasheets-4760.pdf | ТО-220-3 | 3 | 2013-06-14 00:00:00 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 110 В | 6 мкА при 110 В | 770 мВ при 10 А | 10А | 175°С Макс. | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV415K-600PQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-3П-3, СК-65-3 | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 45нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 2,1 В при 15 А | 15А | -65°К~175°К | 1 пара с общим катодом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV79E-200,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-byv79e200127-datasheets-3660.pdf | ТО-220-2 | 2 | EAR99 | е3 | ИНН | МЭК-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | БИВ79-200 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 14А | ОДИНОКИЙ | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 50 мкА | ТО-220АС | 30 нс | Стандартный | 1 | 200В | 50 мкА при 200 В | 1,05 В при 14 А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYW29EX-200,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-byw29ex200127-datasheets-1539.pdf | TO-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | 2 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | МЭК-134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | BYW29-200 | 150°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | 8А | ОДИНОКИЙ | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 200В | 10 мкА | 25нс | Стандартный | 1 | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,05 В при 8 А | 150°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC8B-600,118 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 2 | не_совместимо | е3 | Олово (Sn) | МЭК-134 | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | BYC8-600 | 150°С | 1 | Р-ПССО-Г2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | УЛЬТРА БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 150 мкА | 52нс | Стандартный | 60А | 1 | 500В | 150 мкА при 600 В | 2,9 В при 8 А | 8А | 150°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НУР460П/Л03У | ВеЭн Полупроводники | 0,19 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/weensemiconductors-nur460pl04u-datasheets-3019.pdf | ДО-201АД, Осевой | 2 | НИЗКИЙ ТОК УТЕЧКИ | МЭК-60134 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НУР460 | 175°С | 1 | О-PALF-W2 | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СВЕРХБЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ МОЩНОСТИ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | КРЕМНИЙ | 600В | 10 мкА | 75нс | Стандартный | 110А | 1 | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 4А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV10EX-600PQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-2 Полный пакет, изолированная вкладка | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 50 нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 2 В при 10 А | 10А | -65°К~175°К | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV29X-600AQ | ВеЭн Полупроводники | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NXPSC06650BJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 190пФ @ 1В 1МГц | 650В | 200 мкА при 650 В | 1,7 В при 6 А | 6А | 175°С Макс. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV29B-600PJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75нс | Стандартный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,3 В при 8 А | 9А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHD13003C,412 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | EAR99 | 2,1 Вт | 400В | 1,5 А | 100 мкА | НПН | 5 @ 1А 2В | 1,5 В при 500 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUJ403A/ДГ, 127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-220-3 | EAR99 | 100 Вт | 550В | 6А | 100 мкА | НПН | 20 @ 500 мА 5 В | 1 В при 400 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MURS160BJ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ДО-214АА, СМБ | 8 недель | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | 75нс | Стандартный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,25 В при 1 А | 1А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TYN20X-800TFQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | 6 недель | 800В | 20А | 40 мА | 1,3 В | 210А 231А | 32 мА | 12,7А | Стандартное восстановление | 1,5 В | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WNSC101200WQ | ВеЭн Полупроводники | $8,54 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-247-2 | 2 | 16 недель | МЭК-60134 | НЕТ | ОДИНОКИЙ | 175°С | 1 | Р-ПСФМ-Т2 | ОДИНОКИЙ | КАТОД | ЭФФЕКТИВНОСТЬ | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) | 1200В | 200 мкА | 1200В | 0нс | Карбид кремния Шоттки | 110А | 1 | 10А | 510пФ @ 1В 1МГц | 1200В | 110 мкА при 1200 В | 1,6 В при 10 А | 10А | 175°С Макс. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ234С-600Д,127 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | EAR99 | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП533,005 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ168ГВ.115 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Соответствует RoHS | /files/weensemiconductors-bt168gw115-datasheets-8587.pdf | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYC20X-600P | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | Переключающий диод | Да, с исключениями | /files/nxpsemiconductors-byc20x600p-datasheets-0920.pdf | 2 | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА416X-800CTQ | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | С | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | TO-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка | ТО-220Ф | Одинокий | 800 В | 16 А | 35 мА | 1 В | 160А, 176А | 35 мА | Логика — чувствительные ворота | ВеЭн Полупроводники | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТА202-1000CTQP | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Сквозное отверстие | 150°С (ТДж) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) Сформированные выводы | ТО-92-3 | Одинокий | 1 кВ | 2 А | 40 мА | 1 В | 25А, 27,5А | 35 мА | Альтернистор - без демпфера | ВеЭн Полупроводники | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ149Д,112 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | 3 | 8541.30.00.80 | е3 | ИНН | МЭК-60134 | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | БТ149 | НЕ УКАЗАН | 1 | О-PBCY-T3 | ОДИНОКИЙ | 400В | СКР | 400В | 400В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 8А 9А | 200 мкА | 500 мА | Чувствительные ворота | 1,7 В | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТ168Г,112 | ВеЭн Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | 3 | EAR99 | 8541.30.00.80 | МЭК-60134 | НЕТ | НИЖНИЙ | БТ168 | 1 | О-PBCY-T3 | ОДИНОКИЙ | 600В | СКР | 600В | 600В | 800 мА | 5мА | 800мВ | 8А 9А | 200 мкА | 500 мА | Чувствительные ворота | 1,7 В | 100 мкА |
