Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Пакет устройств поставщика | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Скорость | Мощность - Макс. | Тип диода | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) | Рабочая температура - соединение | Конфигурация диода | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
СБТ250-10Дж | Корпорация SANYO Semiconductor (США) | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | /files/sanyosemiconductorusacorporation-sbt25010j-datasheets-3487.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220МЛ | Быстрое восстановление =< 500 нс, >200 мА (Ио) | Шоттки | 100В | 300 мкА при 50 В | 800 мВ при 9,5 А | 25А | -55°К~150°К | 1 пара с общим катодом | ||||||||||||||||||||
2СД1913С | Корпорация SANYO Semiconductor (США) | $141,13 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/sanyosemiconductorusacorporation-2sd1913s-datasheets-1005.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220МЛ | 2 Вт | 60В | 3А | НПН | 140 @ 500 мА 5 В | 100 МГц | 1 В при 200 мА, 2 А | ||||||||||||||||||||
FW231A-TL-E | Корпорация SANYO Semiconductor (США) | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | /files/sanyosemiconductorusacorporation-fw231atle-datasheets-5913.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 В | 2,3 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1530пФ при 10В | 23 мОм при 8 А, 4,5 В | 8А | 21 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.