Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТрансформация(92)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | Достичь кода соответствия | Пиковая температура оплавления (Цел) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Напряжение — вход | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Мощность — Выход | Рассеиваемая мощность-Макс. | Используемая микросхема/деталь | Напряжение — выход | Ток - Выход | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Поставляемый контент | Частота — переключение | Основная цель | Тип платы | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Выходы и тип | Топология регулятора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ТП90Х180ПС | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tp90h180ps-datasheets-2071.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 900В | 78 Вт Тс | N-канал | 780пФ при 600В | 205 мОм при 10 А, 10 В | 2,6 В @ 500 мкА | 15А Тс | 10 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | ||||||||||||||||||||
| ТПХ3202PD | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ps-datasheets-2317.pdf | ТО-220-3 | 10 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 65 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 350 мОм при 5,5 А, 8 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 9,3 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||
| ТПХ3206ПС | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206ps-datasheets-8576.pdf | ТО-220-3 | 14 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 96 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 17А Тк | 9,3 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||
| ТПХ3212ПС | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3212ps-datasheets-2097.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 104 Вт Тс | N-канал | 1130пФ при 400В | 72 мОм при 17 А, 8 В | 2,6 В при 400 мкА | 27А ТЦ | 14 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||
| ТПХ3202LS | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ls-datasheets-2389.pdf | 3-PowerDFN | 10 недель | да | неизвестный | 600В | 65 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 350 мОм при 5,5 А, 8 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 9,3 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||||
| ТП65Х070ЛДГ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТП65Х070Л | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tdhb65h070ldc-datasheets-9310.pdf | 3-PowerDFN | 12 недель | 650В | 96 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 400В | 85 мОм при 16 А, 10 В | 4,8 В при 700 мкА | 25А Тс | 9,3 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| TP65H050WS | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | Соответствует RoHS | /files/transphorm-tp65h050ws-datasheets-2104.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 119 Вт Тс | N-канал | 1000пФ при 400В | 60 мОм при 22 А, 10 В | 4,8 В при 700 мкА | 34А Тк | 24 нК при 10 В | 12 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||
| ТПХ3208LS | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3208ldg-datasheets-1325.pdf | 3-PowerDFN | 10 недель | да | неизвестный | 650В | 96 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 400В | 130 мОм при 13 А, 8 В | 2,6 В @ 300 мкА | 20А Тс | 14 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||||
| TPH3206LDGB | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsb-datasheets-2033.pdf | 3-PowerDFN | 10 недель | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 81 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 16А Тс | 9,3 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | ||||||||||||||||||
| TP65H035WS | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tp65h035ws-datasheets-2134.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 156 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 400В | 41 мОм при 30 А, 10 В | 4,8 В при 1 мА | 46,5 А Тс | 36 нК при 10 В | 12 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| ТПХ3202LD | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3202ls-datasheets-2389.pdf | 4-PowerDFN | 14 недель | да | неизвестный | 600В | 65 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 350 мОм при 5,5 А, 8 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9А Тц | 9,3 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||||
| TP65H070LSG | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТП65Х070Л | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tdhb65h070ldc-datasheets-9310.pdf | 3-PowerDFN | 12 недель | 650В | 96 Вт Тс | N-канал | 600пФ при 400В | 85 мОм при 16 А, 10 В | 4,8 В при 700 мкА | 25А Тс | 9,3 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| TP65H050WSQA | Трансформировать | $15,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | 1 (без ограничений) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tp65h050wsqa-datasheets-0085.pdf | ТО-247-3 | 650В | 150 Вт Тс | N-канал | 1000пФ при 400В | 60 мОм при 25 А, 10 В | 4,8 В при 700 мкА | 36А Тк | 24 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||
| TPH3206LDB | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsb-datasheets-2033.pdf | 4-PowerDFN | 650В | 81 Вт Тс | N-канал | 720пФ при 480В | 180 мОм при 10 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 16А Тс | 6,2 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||
| TPH3205WSBQA | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/transphorm-tph3205wsbqa-datasheets-8952.pdf | ТО-247-3 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 125 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 400В | 62 мОм при 22 А, 8 В | 2,6 В @ 700 мкА | 35А Тс | 42 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | ||||||||||||||||||||
| ТПХ3206PD | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206pd-datasheets-2255.pdf | ТО-220-3 | 10 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 96 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 17А Тк | 9,3 нК при 4,5 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||
| TDTTP2500P100-КОМПЛЕКТ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/transphorm-tdttp2500p100kit-datasheets-8473.pdf | 12 недель | 85 В~265 В переменного тока | 2,5 кВт | ТПХ3212ПС | 390В | Совет(ы) | 100 кГц | AC/DC, первичная сторона и PFC | Полностью заселен | 1, неизолированный | |||||||||||||||||||||||||||
| TP65H035WSQA | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (каскодный полевой транзистор на основе нитрида галлия) | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 187 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 400В | 41 мОм при 32 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 47,2А Тс | 24 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||
| TPH3205WSB | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3205wsb-datasheets-1795.pdf | ТО-247-3 | 10 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 125 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 400В | 60 мОм при 22 А, 8 В | 2,6 В @ 700 мкА | 36А Тк | 42 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||
| TDHBG2500P100-КОМПЛЕКТ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/transphorm-tdhbg2500p100kit-datasheets-8498.pdf | 12 недель | 2,5 кВт | ТПХ3212ПС | 16,5А | Плата(ы), Источник питания | Преобразователь постоянного тока в постоянный | Полностью заселен | 1, неизолированный | Буст, Бак, Полумост | ||||||||||||||||||||||||||||
| TPH3206LDG-TR | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206ldgtr-datasheets-5777.pdf | 3-PowerDFN | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 600В | 96 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 480В | 180 мОм при 11 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 17А Тк | 9,3 нК при 4,5 В | 8В | ±18 В | |||||||||||||||||||||||
| ТПХ3208PD | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3208ps-datasheets-1953.pdf | ТО-220-3 | 650В | 96 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 400В | 130 мОм при 13 А, 8 В | 2,6 В @ 300 мкА | 20А Тс | 14 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | ||||||||||||||||||||||||
| TDTTP4000W066B-КОМПЛЕКТ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/transphorm-tdttp4000w066bkit-datasheets-8654.pdf | 12 недель | 90 В~265 В переменного тока | 4кВт | TP65H035WS | 390В | 15А | Плата(ы), Источник питания | 66 кГц | AC/DC, первичная сторона и PFC | Полностью заселен | 1, неизолированный | |||||||||||||||||||||||||||
| ТП65Х150Г4ЛСГ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH3207WS | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без ограничений) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3207ws-datasheets-1981.pdf | ТО-247-3 | 14 недель | да | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 650В | 178 Вт Тс | N-канал | 2197пФ при 400В | 41 мОм при 32 А, 8 В | 2,65 В @ 700 мкА | 50А Тс | 42 нК при 8 В | 10 В | ±18 В | |||||||||||||||||
| TDINV3000W050-КОМПЛЕКТ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | /files/transphorm-tdinv3000w050kit-datasheets-8682.pdf | 12 недель | 3кВт | TP65H050WS | 22А | Плата(ы), Источник питания | 50 кГц | Преобразователь постоянного/переменного тока | Полностью заселен | 1, неизолированный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH3206LSGB | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | GaNFET (нитрид галлия) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/transphorm-tph3206lsgb-datasheets-5802.pdf | 3-PowerDFN | 650В | 81 Вт Тс | N-канал | 720пФ при 480В | 180 мОм при 10 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 16А Тс | 6,2 нК при 4,5 В | 8В | ±18 В | ||||||||||||||||||||||||||
| ТП65Х150ЛСГ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 3 (168 часов) | GaNFET (нитрид галлия) | Соответствует ROHS3 | 3-PowerDFN | 650В | 69 Вт Тс | N-канал | 576пФ при 400В | 180 мОм при 10 А, 10 В | 4,8 В при 500 мкА | 15А Тс | 7,1 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||
| TDINV3500P100-КОМПЛЕКТ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/transphorm-tdinv3500p100kit-datasheets-8839.pdf | 12 недель | 750В | 3,5 кВт | ТП90Х180ПС | Совет(ы) | 100 кГц | Преобразователь постоянного/переменного тока | Полностью заселен | 1, изолированный | ||||||||||||||||||||||||||||
| ТП65Х300Г4ЛСГ | Трансформировать | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | GaNFET (нитрид галлия) | 3-PowerDFN | 650В | 21 Вт Тс | N-канал | 760пФ при 400В | 312 мОм при 5 А, 8 В | 2,6 В @ 500 мкА | 6,5 А Тс | 9,6 нК при 8 В | 8В | ±18 В |
