Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Время выполнения заказа на заводе | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Рассеиваемая мощность-Макс. | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UF3C065080K3S | UnitedSiC | $6,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065080k3s-datasheets-6870.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 190 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 100 мОм при 20 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 31А Тц | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UJ3C065030B3 | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uj3c065030b3-datasheets-7016.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | 650В | 242 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 65А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UJ3C065080T3S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uj3c065080t3s-datasheets-6990.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 650В | 190 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 100 мОм при 20 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 31А Тц | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3C065040B3 | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065040b3-datasheets-7003.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | 650В | 176 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 52 мОм при 30 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 41А Тц | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3C065080B3 | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065080b3-datasheets-6824.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | 650В | N-канал | 25А | |||||||||||||
UF3C065040K3S | UnitedSiC | $11,06 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065040k3s-datasheets-7029.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 326 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 52 мОм при 40 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 54А Тк | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UF3C065080K4S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065080k4s-datasheets-7035.pdf | ТО-247-4 | 12 недель | 650В | 190 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 100 мОм при 20 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 31А Тц | 43 нК при 12 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3C065040K4S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065040k4s-datasheets-7051.pdf | ТО-247-4 | 12 недель | 650В | 326 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 52 мОм при 40 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 54А Тк | 43 нК при 12 В | 12 В | ±25 В | |||||
UJ3C065080K3S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uj3c065080k3s-datasheets-7067.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 190 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 111 мОм при 20 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 31А Тц | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3C065030B3 | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065030b3-datasheets-7069.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | 650В | 242 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 40 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 65А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3C065040T3S | UnitedSiC | $11,32 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065040t3s-datasheets-7100.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 650В | 326 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 52 мОм при 40 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 54А Тк | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UF3C065030T3S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065030t3s-datasheets-7123.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 650В | 441 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 85А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3C065030K4S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065030k4s-datasheets-7136.pdf | ТО-247-4 | 12 недель | 650В | 441 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 85А Тс | 43 нК при 12 В | 12 В | ±25 В | |||||
UJ3C065030T3S | UnitedSiC | $15,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uj3c065030t3s-datasheets-7171.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 650В | 441 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 85А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UJ3C065030K3S | UnitedSiC | 15,95 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uj3c065030k3s-datasheets-7184.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 441 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 85А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UJ3C065080B3 | UnitedSiC | $5,34 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uj3c065080b3-datasheets-2021.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ | 12 недель | 650В | 115 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 111 мОм при 20 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 25А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UF3C065030K3S | UnitedSiC | $15,67 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065030k3s-datasheets-7191.pdf | ТО-247-3 | 12 недель | 650В | 441 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 35 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 85А Тс | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | ||||
UF3C065080T3S | UnitedSiC | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3c065080t3s-datasheets-6866.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 650В | 190 Вт Тс | N-канал | 1500пФ при 100В | 100 мОм при 20 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 31А Тц | 51 нК при 15 В | 12 В | ±25 В | |||||
UF3SC065007K4S | UnitedSiC | $62,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~175°C ТДж | Трубка | Непригодный | SiCFET (каскод SiCJFET) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/unitedsic-uf3sc065007k4s-datasheets-7198.pdf | ТО-247-4 | 20 недель | 650В | 789 Вт Тс | N-канал | 9 мОм при 50 А, 12 В | 6 В @ 10 мА | 120А Тс | 214 нК при 15 В | 12 В | ±20 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.