MR256A08BCSO35R

3.3ВВ 32-контактная микросхема память 20,726 мм мм

Производитель: Эверспин Технологии Инк.
НЕТ: 284-MR256A08BCSO35R
Упаковка: 32-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)
Техническая спецификация:
Запас: 6080
Описание: 3,3 ВВ, 32-контактная микросхема памяти, 20,726 мм (кг)

Количество:

Доставка:
Оплата:

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.

Контактное имя

Деловая электронная почта

Название компании

Страна

Количество

Покупка и запрос

Транспорт

Руководство пользователя

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран. transport

СПЕЦИФИКАЦИИ

Параметры
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	32-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)
Поверхностный монтаж	ДА
Количество контактов	32
Рабочая температура	-40°С~85°С ТА
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2013 год
Статус детали	Устаревший
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Количество окончаний	32
ECCN-код	EAR99
Максимальная рассеиваемая мощность	600мВт
Технология	MRAM (магниторезистивное ОЗУ)
Напряжение питания	3В~3,6В
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Пиковая температура оплавления (Цел)	НЕ УКАЗАН
Количество функций	1
Напряжение питания	3,3 В
Терминал Питч	1,25 мм
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	НЕ УКАЗАН
Количество контактов	32
Статус квалификации	Не квалифицирован
Напряжение питания-Макс (Vsup)	3,6 В
Источники питания	3,3 В
Минимальное напряжение питания (Vsup)	3В
Размер	256Кб 32К х 8
Тип	Энергонезависимый
Режим работы	АСИНХРОННЫЙ
Максимальный ток питания	0,075 мА
Формат памяти	БАРАН
Интерфейс памяти	Параллельно
Ширина шины данных	8б
Ширина памяти	8
Время цикла записи — Word, Page	35 нс
Максимальный ток в режиме ожидания	0,007А
Плотность памяти	262144 бит
Время доступа (макс.)	35 нс
Длина	20,726 мм
Высота сидя (макс.)	2,286 мм
Статус RoHS	Соответствует RoHS

Обзор MR256A08BCSO35R

Энергонезависимая — это тип памяти. Он доступен в футлярной форме Tape & Reel (TR). Как видите, он встраивается в корпус 32-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм). Чип имеет объем памяти 256 КБ 32 КБ x 8. В устройстве память имеет формат RAM, который является популярным форматом в сейчас массовых компов. Благодаря расширенному диапазону рабочих температурных приборов хорошо подходит для широкого спектра требований. прикладных. К источнику питания можно подать напряжение 3–3,6 В. Для данного изделия рекомендуется использовать тип монтажа на поверхность. Как видно из схемы, микросхема заведена с 32 выводами. Всего в этой части функции 1. Устройство памяти, предназначенное для данного приложения, рассчитано на питание от источника питания 3,3 В. Он заключен в 32-контактный корпус, включающий микросхему памяти. У него 32 контакта, что говорит о наличии 32 ячеек памяти. Этот чип требует всего 3,3 В памяти. Эта микросхема памяти способна работать с входным током 0,075 мА при макс.