Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактНЗ9Ф2В7СТ5Г
Техническое описание NZ9F2V7ST5G в формате pdf и диоды — Зенер — Подробные сведения о отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
- Производитель: ОН Полупроводник
- НЕТ: 598-НЗ9Ф2В7СТ5Г
- Упаковка: СОД-923
- Техническая спецификация:
- Запас: 464
- Описание: Техническое описание NZ9F2V7ST5G в формате pdf и диоды — стабилитроны — подробные сведения об отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны в Feilidi (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Срок выполнения заказа на заводе | 4 недели |
| Статус жизненного цикла | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОД-923 |
| Поверхностный монтаж | ДА |
| Количество контактов | 2 |
| Материал диодного элемента | КРЕМНИЙ |
| Рабочая температура | -65°К~150°К |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Опубликовано | 2010 год |
| Толерантность | ±4% |
| Код JESD-609 | е3 |
| Код Pbfree | да |
| Статус детали | Устаревший |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Количество окончаний | 2 |
| ECCN-код | EAR99 |
| Терминальные отделки | Олово (Вс) |
| Код HTS | 8541.10.00.50 |
| Подкатегория | Диоды опорного напряжения |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 200мВт |
| Технология | ЗЕНЕР |
| Положение терминала | ДВОЙНОЙ |
| Терминальная форма | ПЛОСКИЙ |
| Количество контактов | 2 |
| Количество элементов | 1 |
| Полярность | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ |
| Импеданс | 100Ом |
| Конфигурация элемента | Одинокий |
| Тип диода | стабилитрон |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 20 мкА при 1 В |
| Рассеяние активности | 200мВт |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 900 мВ при 10 мА |
| Максимальный обратный ток утечки | 20 мкА |
| Импеданс-Макс. | 100Ом |
| Тестовый ток | 5мА |
| Опорное напряжение | 2,7 В |
| Стабильное напряжение | 2,79 В |
| Напряжение Тол-Макс | 4,3% |
| Допуск по напряжению | 4% |
| Радиационная закалка | Нет |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Без свинца | Без свинца |
Обзор NZ9F2V7ST5G
Обратный ток утечки для данного устройства должен составлять 20 мкА при 1 В. Напряжение 4,3% считается максимальным, которое может быть выходным (Tol). 20 мкА — максимальная токовая утечка. Для работы диод достигает 900 мВ при 10 мА при максимальном напряжении — прямом (Vf).
Особенности NZ9F2V7ST5G
обратный ток утечки 20 мкА при 1 В
20 мкА при 1 В — максимальное напряжение (Tol).
Обратный ток утечки достигает 20 мкА.
Приложения NZ9F2V7ST5G
Компания ON Semiconductor NZ9F2V7ST5G предлагает множество прикладных одиночных стабилитронов.
