| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Уровень скрининга | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Максимальное двойное напряжение питания | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Количество передатчиков | Количество таймеров/счетчиков | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | Количество вариантов UART |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТМЕГА2560Р231-АУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 100-TQFP | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА2560 | 100-ТКФП (14х14) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 256 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 3 дБм | 86 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 86 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADF7022BCPZ-КАТУШКА | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 868 МГц | 24,1 мА | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adf7022bcpzreel-datasheets-8330.pdf | 32-WFQFN Открытая колодка, CSP | 5 мм | 3,6 В | Содержит свинец | 5 мм | 3,6 В | 1,8 В | 32 | СПИ | СВЯЗАТЬСЯ С ADI (Последнее обновление: 2 недели назад) | Олово | Нет | 1,8 В~3,6 В | АДФ7022 | 32-ЛФЦСП (5х5) | -108,5 дБм | -108,5 дБм | 38,4 кбит/с | 11,9 мА~12,8 мА | 4 КБ ПЗУ 2,5 КБ ОЗУ | 24,1 мА | 13,5 дБм | 5 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | 5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC212015BRN-E4 | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | BlueCore® | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 2014 год | 96-ВФБГА | 1,7 В~3,6 В | -85 дБм | 723,2 кбит/с | 6 дБм | Bluetooth | Bluetooth v1.2, класс 2 и 3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1021RSSRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 402–470 МГц 804–960 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1021rssrg4-datasheets-7348.pdf | 32-VQFN Открытая колодка | 7,1 мм | 7 мм | 3В | Содержит свинец | 7,1 мм | 32 | СПИ, УАРТ | нет | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1021 | S-PQCC-N32 | -109 дБм | 153,6 кбод | 19,9 мА | 12,3 мА~27,1 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA644PR231-AU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-atr4251tksy-datasheets-4706.pdf | 44-TQFP | 13 недель | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА644П | 44-ТКФП (10х10) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 64 КБ флэш-памяти 2 КБ EEPROM 4 КБ ОЗУ | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 4 КБ | 8б | 3 дБм | 32 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1101IRHBRG4Q1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 310–348 МГц 420–450 МГц 779–928 МГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1101irhbrg4q1-datasheets-7352.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | Без свинца | 5 мм | 32 | да | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | СС1101 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,8/3,6 В | S-PQCC-N32 | -114 дБм | АЭК-Q100 | 250 кбод | 15,5 мА~19,3 мА | 12,1 мА~35,5 мА | 11 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, ГФСК, АСК, МСК, ООК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF49XA-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mrf49xatist-datasheets-2398.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 3,3 В | Без свинца | 4,4 мм | 172,98879мг | Нет СВХК | 16 | 1 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,2 В~3,8 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | MRF49XA | 16 | 40 | -110 дБм | -112 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 15 мА~24 мА | 7 дБм | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФХСС, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1000-C-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | 5 мм | 700 мкм | 7 мм | 42 | 50,008559мг | 42 | I2C, SMBus, SPI, UART | Нет | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 3В | 42 | Микроконтроллеры | 5мА | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | 18 | 19 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 20 дБм | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 65536 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA644PR212-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-atr4251tksy-datasheets-4706.pdf | 44-QFN, 32-QFN | 13 недель | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА644П | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 64 КБ флэш-памяти 2 КБ EEPROM 4 КБ ОЗУ | 13 мА~25 мА | ВСПЫШКА | АВР | 4 КБ | 8б | 10 дБм | 32 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1284PR231-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-at86rf231zu-datasheets-8638.pdf | 44-QFN, 32-QFN | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1284П | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 3 дБм | 32 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1003-C-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | 0,7 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 42 | 50,008559мг | 42 | I2C, SMBus, SPI, UART | Нет | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 3В | 0,5 мм | 42 | Микроконтроллеры | 1,8/3,6 В | 5мА | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 22 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | НЕТ | 13 дБм | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 32768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1021RUZ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 402–470 МГц 804–960 МГц | Соответствует ROHS3 | 32-VQFN Открытая колодка | 7,1 мм | 7 мм | 3В | Содержит свинец | 7,1 мм | 32 | 32 | СПИ, УАРТ | нет | Золото | 1 | е4 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1021 | 32 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицирован | -109 дБм | 153,6 кбод | 19,9 мА | 12,3 мА~27,1 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1101TRHBRG4Q1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 310–348 МГц 420–450 МГц 779–928 МГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1101trhbrg4q1-datasheets-7331.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | Без свинца | 5 мм | 32 | да | 5А991.Г | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | СС1101 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 1,8/3,6 В | S-PQCC-N32 | -114 дБм | АЭК-Q100 | 250 кбод | 15,5 мА~19,3 мА | 12,1 мА~35,5 мА | 11 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, ГФСК, АСК, МСК, ООК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYRF6936-40LTXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | БеспроводнойUSB™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyrf693640lfxc-datasheets-7440.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 880 мкм | 6 мм | Без свинца | 6 мм | 40 | 117,310327мг | Нет СВХК | 40 | 5А991.Г | Золото | Нет | 1 | е4 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | 40 | 30 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | -97 дБм | 1 Мбит/с | 18,4 мА~21,2 мА | 20,8 мА~34,1 мА | 4 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ДССС, ГФСК | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1284RZAP-AU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atmega1284rzapmu-datasheets-8059.pdf | 44-QFN, 32-QFN | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1284 | -101 дБм | -101 дБм | 250 кбит/с | 15,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 9,5 мА~16,5 мА | 8б | 3 дБм | 32 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1001-C-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | 0,7 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | 7 мм | 42 | 50,008559мг | 42 | I2C, SMBus, SPI, UART | неизвестный | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | 42 | НЕ УКАЗАН | Микроконтроллеры | 1,8/3,6 В | 5мА | Не квалифицирован | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | 19 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | НЕТ | 20 дБм | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 32768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТМЕГА2560Р212-АУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 100-TQFP | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА2560 | 100-ТКФП (14х14) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 13 мА~25 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 10 дБм | 86 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 86 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYRF7936-40LFXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СайФи™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyrf793640lfxc-datasheets-8054.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | 40 | Нет СВХК | 40 | 1 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 В~3,6 В | КВАД | 2,4 В | 0,5 мм | 40 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | -97 дБм | 1 Мбит/с | 18,4 мА~21,2 мА | 20,8 мА~34,1 мА | 3,6 В | 4 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ДССС, ГФСК | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1284RZAP-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atmega1284rzapmu-datasheets-8059.pdf | 44-QFN, 32-QFN | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1284 | -101 дБм | -101 дБм | 250 кбит/с | 15,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 9,5 мА~16,5 мА | 8б | 3 дБм | 32 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1281R231-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 64-TQFP | 13 недель | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1281 | 64-ТКФП (14х14) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 3 дБм | 54 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 54 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТМЕГА1284ПР231-АУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-at86rf231zu-datasheets-8638.pdf | 44-TQFP | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1284П | 44-ТКФП (10х10) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 3 дБм | 32 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТМЕГА1280Р231-АУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 100-TQFP | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1280 | 100-ТКФП (14х14) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 3 дБм | 86 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 86 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA1284PR212-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-at86rf212zu-datasheets-5659.pdf | 44-QFN, 32-QFN | 13 недель | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1284П | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 13 мА~25 мА | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 10 дБм | 32 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТРК104 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/murataelectronics-trc104-datasheets-7899.pdf | 24-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | Без свинца | 67,698661мг | 24 | СПИ | 1,9 В~3,6 В | 24-QFN (4х4) | -95 дБм | -95 дБм | 1 Мбит/с | 18 мА~19 мА | 9 мА~13 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ГФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТМЕГА1281Р212-АУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 64-TQFP | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА1281 | 64-ТКФП (14х14) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 13 мА~25 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 10 дБм | 54 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 54 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA2561R231-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА2561 | 64-КФН (9х9) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 256 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 3 дБм | 54 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 54 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТМЕГА2560Р231-КУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 100-TFBGA | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА2560 | 100-CBGA (9х9) | -101 дБм | -101 дБм | 2 Мбит/с | 10,3 мА~12,3 мА | 256 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 7,4 мА~14 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 3 дБм | 86 | 802.15.4, общий ISM > 1 ГГц | СПИ | О-QPSK | 6LoWPAN, WirelessHART™, Zigbee® | 86 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТРК102 | Мурата Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 400 МГц~1 ГГц | 1,2 мм | /files/murataelectronics-trc102-datasheets-7861.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 16 | неизвестный | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,2 В~3,8 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3В | 0,65 мм | 16 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | -112 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 15 мА~23 мА | 7 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1020RSSG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 402–470 МГц 804–960 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1020ruzr-datasheets-1834.pdf | 32-VQFN Открытая колодка | 7,1 мм | 7 мм | 3В | Содержит свинец | 7,1 мм | 32 | СПИ, УАРТ | нет | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | СС1020 | НЕ УКАЗАН | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | Не квалифицирован | S-PQCC-N32 | -118 дБм | 153,6 кбод | 19,9 мА | 12,3 мА~27,1 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA2561R212-MU | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-atmega256rzav8au-datasheets-7726.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | I2C, СПИ | 1,8 В~3,6 В | АТМЕГА2561 | 64-КФН (9х9) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 8 КБ ОЗУ | 13 мА~25 мА | ВСПЫШКА | АВР | 8 КБ | 8б | 10 дБм | 54 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | 54 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.