Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | Количество вариантов UART | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество таймеров | Количество аналого-цифровых преобразователей | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТСАМР21Е18А-МФТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 12 недель | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16 | 262144 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 6 | 8 | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р67Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф256Р60Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F6147IRGCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc430f5137irgzr-datasheets-8959.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 1 мм | 9 мм | Без свинца | 64 | 6 недель | 64 | I2C, ИК-порт, SPI, UART | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 880 мкм | Золото | Нет | е4 | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС430F6147 | 64 | Микроконтроллеры | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ | 15 мА~36 мА | 44 | МСП430 | 4 КБ | 16б | 16 | ДА | 13 дБм | Да | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 1 | 4 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2560ANPYFVT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 54-БГА, ДСБГА | 4,8 В | УАРТ | 2,2 В~4,8 В | СС2560 | -95 дБм | 4 Мбит/с | 40,5 мА~41,2 мА | 40,5 мА~41,2 мА | 12 дБм | Bluetooth | И2С, УАРТ | ГФСК, ГМСК | Bluetooth v4.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -116 дБм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е18А-МФТА7 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 12 недель | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | ДА | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ SRAM | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 4 дБм | 8 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф128Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128FNI-BL593T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 4,04 мм | 3,87 мм | 76 | 22 недели | ДА | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б76 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 36 | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | 32000 | И2С; СПИ; УАРТ; ИРДА; IDE; ЛИН | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р69Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P232F1024GL125-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth версия 5.0 | 65 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2511F32RSPG3 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 900 мкм | 6 мм | 3,3 В | Без свинца | 36 | 6 недель | 36 | SPI, USART, USB | 256 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 850 мкм | Медь, Олово | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 3В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2511 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -103 дБм | 500 кбод | 14,7 мА~22,9 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ | 15,5 мА~26 мА | 4 КБ | 8б | 1 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2S, SPI, USART, USB | 2ФСК, ГФСК, МСК | 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20703UA1KFFB1G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 18 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р68Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20704UA2KFFB1G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-bcm20704ua2kffb1g-datasheets-4233.pdf | 49-ВФБГА, ФКБГА | 4,5 мм | 4 мм | 49 | 15 недель | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,5 мм | Р-ПБГА-Б49 | -96 дБм | 3 Мбит/с | 38мА | 9 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART, USB | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.1 +EDR | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P133F64GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 28 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р63Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 38 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1010-C-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | Нет | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | Микроконтроллеры | 1,8/3,6 В | 5мА | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 85 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 20 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф128Р60Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F5133IRGZT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 139,989945мг | 48 | I2C, SPI, УАРТ | 64 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 900 мкм | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 2,2 В | 0,5 мм | СС430F5133 | 48 | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 8 КБ флэш-памяти 2 КБ SRAM | 12 | 15 мА~36 мА | МСП430 | 2 КБ | 16б | 13 дБм | Да | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 30 | 1 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2511F32RSP | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 900 мкм | 6 мм | Без свинца | 36 | 6 недель | 92,589543мг | Нет СВХК | 36 | СПИ, УАРТ | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 850 мкм | Медь, Олово | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 3В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС2511 | 36 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -103 дБм | 500 кбод | 14,7 мА~22,9 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ | 15,5 мА~26 мА | 8 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 1 дБм | 4 | 21 | Общий ISM > 1 ГГц | I2S, SPI, USART, USB | 2ФСК, ГФСК, МСК | 19 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р67Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -133 дБм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 38 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р67Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | 42 | 10 недель | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 17 мА~30 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 13 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П232Ф128ГМ48-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф64Р68Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ1П232Ф256ИМ32-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 10,5 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2533F64RHAT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-trf370417irget-datasheets-0676.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | Без свинца | 40 | 6 недель | 40 | I2C, SPI, UART, USART | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2533 | 40 | -97 дБм | 250 кбит/с | 21,6 мА~25,1 мА | 64 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 28,5 мА~38,8 мА | 23 | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 16б | 4,5 дБм | 3 | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P132F256GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 |
