Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Пропускная способность | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | Количество вариантов UART | ОЗУ (слова) | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | Количество аналого-цифровых преобразователей | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АЦАМР21Г17А-МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 28 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П232Ф256ГМ32-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1014-C-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | Микроконтроллеры | 1,8/3,6 В | 5мА | Не квалифицированный | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 17 мА~30 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 13 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 768 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55RGV6TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2402 ГГц~2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 10 недель | совместимый | 1,71 В~3,6 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р67Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р63Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р69Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55CGU6U | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2402 ГГц~2,48 ГГц | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 48-UFQFN Открытая площадка | 20 недель | 1,71 В~3,6 В | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р61Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 33,5 мА~43 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F5147IRGZT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc430f5137irgzr-datasheets-8959.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | Без свинца | 48 | 6 недель | 139,989945мг | Нет СВХК | 48 | I2C, SPI, УАРТ | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | е4 | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | СС430F5147 | 48 | Микроконтроллеры | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ | 15 мА~36 мА | 30 | МСП430 | 4 КБ | 16б | 16 | 13 дБм | Да | 2 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 1 | 4 | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р61Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 33,5 мА~43 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Г17А-МФТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 28 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 16000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 27 | 25 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р69Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -133 дБм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 38 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р61Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20735PKML1G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20735pkml1g-datasheets-4369.pdf | 60-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 60 | 13 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,2 В | 0,4 мм | -94,5 дБм | 2 Мбит/с | 8мА | 18 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG21A020F512IM32-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32mg21a020f1024im32b-datasheets-0241.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф128Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р69Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1B232P1088GM32-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р67Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф64Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1011-C-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | Микроконтроллеры | 1,8/3,6 В | 5мА | Не квалифицированный | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 85 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 20 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 8192 | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р69Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32КБ | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P232F256IM48-C0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 10,5 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0 | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TRF6903PT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-trf6903ptrg4-datasheets-9503.pdf | 48-LQFP | 7 мм | 1,6 мм | 7 мм | Без свинца | 7 мм | 48 | 181,692094мг | 48 | NRND (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,4 мм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 18 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,2 В~3,6 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | TRF6903 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,5/3,3 В | 64 кбит/с | 10 мА~20 мА | 10 мА~37 мА | 8 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК, ОК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б232П1088ГМ32-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG21A010F512IM32-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32mg21a020f1024im32b-datasheets-0241.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1012-C-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1012cgm2-datasheets-1993.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 7 мм | 620 кГц | 42 | 42 | I2C, SPI, УАРТ | ДА | 1,8 В~3,6 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 1,9 В | 0,5 мм | Микроконтроллеры | 1,8/3,6 В | 5мА | Не квалифицированный | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 17 мА~30 мА | 15 | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | НЕТ | ДА | 13 дБм | Да | 4 | 15 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 768 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф64Р63Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 |
