| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Тип телекоммуникационных микросхем | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Периферийные устройства | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Программирование напряжения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АС3900-БКФП | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 27,12 МГц | Соответствует RoHS | /files/ams-as3900bqfp-datasheets-0309.pdf | 28-WFQFN Открытая колодка | 3,6 В | Без свинца | 2,2 В~3,6 В | 28-QFN (5x5) | -90 дБм | -90 дБм | 212 кбит/с | 3,8 мА | 4,9 мА~7,6 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СОИ | ФСК, ООК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW43236BKMLGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw43236bkmlgt-datasheets-0503.pdf | 88-VFQFN Открытая колодка | 13 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P433F1024GL125-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 125-ВФБГА | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 19 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v5.0 | 65 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ14П733Ф256ГМ48-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3291.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ14П632Ф256ГМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg14p732f256im48b-datasheets-3292.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P232F1024GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р67Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 142 МГц~1,05 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | да | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~108 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П732Ф512ИМ32-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2538SF23RTQT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2538sf53rtqr-datasheets-9198.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 1 мм | 8 мм | Без свинца | 56 | 6 недель | 200,005886мг | 56 | I2C, SPI, UART, USB | 0 б | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 3В | 0,5 мм | СС2538 | 8 | -97 дБм | 250 кбит/с | 20 мА~24 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~34 мА | I2C | 32 КБ | 7 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | 6LoWPAN, Zigbee® | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П732Ф512ИМ48-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ13П732Ф512ГМ48-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2018 год | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~11 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 | 64КБ | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, УАРТ, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0 | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG13P732F512IM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 8542.39.00.01 | 1,8 В~3,8 В | -126 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | И2С, СПИ, УАРТ | 2ГФСК, АСК, БПСК, ДПСК, ДССС, ГФСК, ООК, ОКФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1P132F256IM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ12П431Ф512ГМ68-С | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 110–191 МГц 1,95–358 МГц 390–574 МГц 779–956 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 38,4 кбит/с | 8,4 мА~13 мА | 512 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 20,3 мА~134,3 мА | 20 дБм | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART | 2GFSK, 4GFSK, ASK, DSSS, BPSK, DBPSK, GMSK, O-QPSK, OOK | Флекс Геккон | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 13 дБм Макс. | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG12P431F512GM68-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 110–191 МГц 1,95–358 МГц 390–574 МГц 779–956 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg12p232f1024gm48c-datasheets-9717.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 38,4 кбит/с | 8,4 мА~13 мА | 512 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 20,3 мА~134,3 мА | 20 дБм | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART | 2GFSK, 4GFSK, ASK, DSSS, BPSK, DBPSK, GMSK, O-QPSK, OOK | Флекс Геккон | 46 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П732Ф512ГМ32-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф256Р69Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -133 дБм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 38 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1024-B-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 6 недель | 3,8 В | 1,8 В | I2C, SPI, УАРТ | 3,8 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | 53 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DW1000-I-TR7 | Декавейв Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 3,5 ГГц~6,5 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/decawavelimited-dw1000itr13-datasheets-9301.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 12 недель | СПИ | 2,8 В~3,6 В | 48-КФН (6х6) | 6,8 Мбит/с | 64 мА | 31 мА | -10 дБм | 802.15.4 | СПИ | БПМ, БПСК | ИК-СШП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3598-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3592rt-datasheets-2742.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8 недель | I2C, SPI, UART, USB | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-XQCC-N56 | -102 дБм | 12 Мбит/с | 23,5 мА~29,5 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 24 мА~44 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3597-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/siliconlabs-em3592rt-datasheets-2742.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-XQCC-N56 | -102 дБм | 5 Мбит/с | 23,5 мА~29,5 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 24 мА~44 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART | О-QPSK | Зигби® | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW4339XKUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц 5 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw4339xkubgt-datasheets-0369.pdf | 145-УФБГА, ВЛБГА | 13 недель | 1,2 В~3,3 В | -95,5 дБм | 3 Мбит/с | 110 мА | 340 мА | 13 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | И2С, СПИ, УАРТ | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | 802.11a/b/g/n, Bluetooth v4.1 | 9 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035-B-GM3 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | да | 1,8 В~3,8 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EM3596-РТР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-em3592rt-datasheets-2742.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | 8 недель | 8542.31.00.01 | ДА | 2,1 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,25 В | 0,5 мм | S-XQCC-N56 | -102 дБм | 12 Мбит/с | 23,5 мА~29,5 мА | 512 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 24 мА~44 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, UART, USB | О-QPSK | Зигби® | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1022-B-GM3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | I2C, SMBus, SPI, UART | 25 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 20 дБм Макс. | Да | 4 | 53 | 53 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1П232Ф256ИМ32-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p132f256im32c0-datasheets-3682.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1Б232Ф256ИМ48-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg1b232f256im48c0-datasheets-0380.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.