Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Скорость передачи данных | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭЗР32ВГ330Ф256Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф256Р61Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ220Ф64Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg220f64r69gc0r-datasheets-2982.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 6 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | 3В | 0,5 мм | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 27 | 25 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 27 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX7037EGL+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/maximintegrated-max7037egl-datasheets-2916.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 5 недель | 8542.39.00.01 | 2,1 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | MAX7037 | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 22 мА | 16 мА | 6 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | СПРОСИТЕ, ФСК | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НРФ24ЛЕ1-F16Q48-R7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1q32sample-datasheets-5813.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | 1,9 В~3,6 В | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ флэш-памяти 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, JTAG, SPI, UART | ГФСК | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р67Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P233F256GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32bg1b232f256gm48c0-datasheets-1511.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 32,7 мА | 10,5 дБм | Bluetooth | I2C, SPI, УАРТ | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v4.0 | 28 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф128Р69Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -133 дБм | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 38 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П231Ф256ГМ32-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2400RSUR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2400rsur-datasheets-5275.pdf | 48-КФН | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 7 мм | 48 | 48 | NRND (Последнее обновление: 4 дня назад) | 900 мкм | 8542.39.00.01 | 1 | 24 мА | 1,6 В~2 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 1,8 В | 0,5 мм | СС2400 | 48 | Не квалифицированный | -101 дБм | 1 Мбит/с | 11 мА~19 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СПИ | ФСК, ГФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф128Р69Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128FNI-BL563T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 4,04 мм | 3,87 мм | 76 | 22 недели | ДА | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б76 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 36 | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | 32000 | И2С; СПИ; УАРТ; ИРДА; IDE; ЛИН | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П231Ф256ГМ48-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20733A2KFB1GT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-bcm20733a3kfb1gt-datasheets-3717.pdf | 81-ТФБГА | 13 недель | 3В | -91 дБм | 26,4 мА | 47 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth версия 3.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П231Ф512ИМ32-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–170 МГц 195–358 МГц 426–445 МГц 470–510 МГц 863–876 МГц 902–930 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 20 дБм | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW4343W1KUBGT | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | WICED | Поверхностный монтаж | -30°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 74-УФБГА, ВЛБГА | 4,87 мм | 2,87 мм | 74 | 13 недель | 1 | ДА | 1,2 В~3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,4 мм | Р-ПБГА-Б74 | -99 дБм | 54 Мбит/с | 37 мА~41 мА | 640 КБ ПЗУ 512 КБ SRAM | 260 мА~320 мА | 21 дБм | Bluetooth, Wi-Fi | И2С, СПИ, УАРТ | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | 802.11b/g/n, Bluetooth v4.0 | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ13П632Ф512ГМ32-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32mg13p632f512gm48cr-datasheets-9638.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 10 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P232F1024GM48-C | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 85°С | -40°С | S-XQCC-N48 | -95 дБм | 2000 Мбит/с | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф256Р61Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P131F256IM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 169–915 МГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р63Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р63Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STA2500DCTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1,25 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sta2500dctr-datasheets-9767.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 6 мм | 2,75 В | 48 | 16 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 1,65~2,85 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,75 В | 0,8 мм | СТА2500 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | -88 дБм | 3 Мбит/с | 35,4 мА | 23 мА~35,4 мА | 8 дБм | Bluetooth | I2C, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v2.1 +EDR | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2560AYFVR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 54-БГА, ДСБГА | 4,8 В | УАРТ | Олово | 2,2 В~4,8 В | СС2560 | -95 дБм | 4 Мбит/с | 40,5 мА~41,2 мА | 40,5 мА~41,2 мА | 12 дБм | Bluetooth | И2С, УАРТ | ГФСК, ГМСК | Bluetooth v4.0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТА2500DC | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | 1,25 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sta2500dctr-datasheets-9767.pdf | 48-ЛФБГА | 6 мм | 6 мм | 48 | 16 недель | 48 | I2C, SPI, УАРТ | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 1,65~2,85 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 2,75 В | 0,8 мм | СТА2500 | 48 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 2,75 В | -88 дБм | 3 Мбит/с | 35,4 мА | 23 мА~35,4 мА | 8 дБм | Bluetooth | I2C, JTAG, SPI, UART | 8ДПСК, ДКФСК, ГФСК | Bluetooth v2.1 +EDR | 10 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW20707UA2KFFB4G | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1,05 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cyw20707ua1kffb4gt-datasheets-3960.pdf | 49-ВФБГА, ФКБГА | 4,5 мм | 4 мм | 49 | 15 недель | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 3,3 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 1,2 В | 0,5 мм | Р-ПБГА-Б49 | -96 дБм | 3 Мбит/с | 26 мА | 60 мА | 12 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | 4ДКФСК, 8ДПСК, ГФСК | Bluetooth v4.2 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1063-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 18 мА~29 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ХГ320Ф32Р69Г-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ХГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~93 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СС1021РССР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 402–470 МГц 804–960 МГц | Соответствует ROHS3 | 32-VQFN Открытая колодка | 7 мм | 1 мм | 7 мм | 3В | Без свинца | 7,1 мм | 32 | 6 недель | 32 | СПИ, УАРТ | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | 19,9 мА | е4 | 2,3 В~3,6 В | КВАД | 260 | 3В | 0,65 мм | СС1021 | 32 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -109 дБм | 153,6 кбод | 12,3 мА~27,1 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026-B-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 6 недель | 3,8 В | 1,8 В | I2C, SPI, УАРТ | 3,8 МГц | 1,8 В~3,8 В | 85-ЛГА (6х8) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 16 | 53 | ВСПЫШКА | 8,3 КБ | 8б | 13 дБм Макс. | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 53 |
