Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KAI-04070-ABA-JR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04070pbajdba-datasheets-0648.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 40 мм | 29 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,5 дБ | 8 | 2048Г х 2048В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JR-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 40 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-0373-ААА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°С~55°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai0373abacbba-datasheets-0581.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 9 УФ/ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 14 Мбит/с | 4,32 мм | 20,32 мм | 500мВ | 11,6 мкмx13,6 мкм | 60 дБ | 768 | 30 | 768 х 484 В | |||||||||||||
| 14222 | Эллайд Вижн, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Альвиум 1800 С | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/alliedvisioninc-14222-datasheets-0927.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | 14,5 В~15,5 В | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336Г х 1752В | 1 дюйм | |||||||||||||||
| KAI-08050-ABA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08050aaajpba-datasheets-0659.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-0340-AAA-CF-AA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 210 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | ||||||||||||
| КАИ-1010-АБА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai1010abacrba-datasheets-0760.pdf | Модуль 24-CDIP | 15 В | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 МИКРОВ/ЭЛЕКТРОН. | Нет | 12 В~15 В | 20 Мбит/с | 3,68 мм | 20,07 мм | 9 мкмx9 мкм | 60 дБ | 400-1000 | 30 | 1008Г х 1018В | ||||||||||||||
| НОИИ4SM1300A-QDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-noii4sm1300aqwc-datasheets-9938.pdf | 84-ЛЦК | Без свинца | 5В | 84-ЛЦЦ (18х18) | 7 мкмx7 мкм | 7 | 1286Г х 1030В | ||||||||||||||||||||||||||
| KAI-08050-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08050aaajpba-datasheets-0659.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||
| КАИ-0330-CBA-CB-BA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 40°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kai0330aaacpbadual-datasheets-0495.pdf | Модуль 20-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 12 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 120 | 648Г х 484В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-CBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 32 | 2336Г х 1752В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-0330-АБА-CB-BA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 40°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kai0330aaacpbadual-datasheets-0495.pdf | Модуль 20-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 12 В~15,5 В | 15 В | 9 мкмx9 мкм | 648 | 120 | 648Г х 484В | ||||||||||||||||||
| КАИ-08051-ААА-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 39 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 40 мм | 29 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 66 дБ | 3364 | 16 | 3296Г х 2472В | 4/3 дюйма | ||||||||||||
| КАИ-02150-ФБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 | 1200 х 1080 В | |||||||||||||||||||||||
| КАИ-11002-АБА-CR-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai11002cbacdb2-datasheets-5136.pdf | Модуль 40-CDIP | 15,5 В | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 3 | 4008Г х 2672В | |||||||||||||||||||||
| KAI-02150-ABA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 1920 год | 64 | 1200 х 1080 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JD-BX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 40 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | 4/2,9 дюйма | ||||||||||||||
| КАИ-04050-QBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336Г х 1752В | 1 дюйм | |||||||||||||||
| КАИ-16000-AXA-JD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai16000axajdbx-datasheets-0788.pdf | 40-BCPGA | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 40 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,88 мм | 44,45 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 65 дБ | 3 | 4872Г х 3248В | ||||||||||||||||
| КАИ-0340-ABB-CB-A2-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 110 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | ||||||||||||
| KAI-04050-ABA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336Г х 1752В | 1 дюйм | |||||||||||||||
| КАИ-01050-АБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai01050abajdba-datasheets-0318.pdf | 64-BCQFN | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 120 | 1024Г х 1024В | 1/2 дюйма | |||||||||||||
| КАИ-1003-АБА-CD-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kai1003abacdb2-datasheets-0726.pdf | Модуль 28-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,45 мм | 40,13 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 12,8 мкмx12,8 мкм | 72 дБ | 15 | 1024Г х 1024В | ||||||||||||||
| КАИ-02050-ААА-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||
| КАИ-1020-ААА-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | 68 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 УФ/ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 3,42 мм | 27,94 мм | 27,94 мм | 500мВ | 7,4 мкмx7,4 мкм | 58 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | |||||||||||||
| КАИ-1003-ААА-CR-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kai1003abacdb2-datasheets-0726.pdf | Модуль 28-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,45 мм | 40,13 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 12,8 мкмx12,8 мкм | 72 дБ | 15 | 1024Г х 1024В | ||||||||||||||
| КАИ-08050-ААА-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°К~70°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08050aaajpba-datasheets-0659.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-PBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 32 | 2336Г х 1752В | |||||||||||||||||||||
| КАИ-04022-CBA-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В |
