Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Код дела (метрика) | Код дела (имперский) | Время ответа | Угол обзора | Время подъема | Конфигурация | Напряжение проба | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток | Инфракрасный спектр | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий – Темный (тип.) | Световой ток-ном. | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПДБ-С610-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6103-datasheets-6363.pdf | Править | 26нс | 75В | 940 нм | 20нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 29,5 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С607-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6071-datasheets-6371.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 25нс | 75В | 940 нм | 15нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 14,5 мм2 | 15нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||
| PD101SC0SS | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/sharpmicroelectronics-pd101sc0ss-datasheets-6498.pdf | Вид спереди | Содержит свинец | КВАДРАТ | 2 | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | 5В | 820 нм | 1нА | ДА | 5В | 0,00045 мА | 0,55 А/Вт при 780 нм | |||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С605-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6051-datasheets-6237.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 20нс | 75В | 940 нм | 10нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 10,84 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С102 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc102-datasheets-6509.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | Содержит свинец | 3нс | 72° | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 950 нм | 45пА | 100В | 350 нм ~ 1100 нм | 0,87 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С618-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6183-datasheets-6359.pdf | Править | Содержит свинец | 200 нс | 75В | 940 нм | 30нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 371,1 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDB-C101-I | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc101i-datasheets-6402.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 10 нс | 74° | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 950 нм | 40пА | 100В | 350 нм ~ 1100 нм | 0,31 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||
| 138-11-31-211 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-1381131211-datasheets-6408.pdf | 14 недель | ПРИКОЛОТЬ | 950 нм | 25В | 300–1100 нм, 950–1100 нм | 9,62 мм2, 7,55 мм2 | 0,6 А/Вт при 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С612-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6123-datasheets-6314.pdf | Править | 45нс | 75В | 940 нм | 75нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 68,7 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С610-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6103-datasheets-6363.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 26нс | 75В | 940 нм | 20нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 29,5 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С615-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6153-datasheets-6441.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 150 нс | 75В | 940 нм | 350 нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 232,7 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С101 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc101-datasheets-6453.pdf | ТО-46-2 Металлическая банка | 10 нс | 74° | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 950 нм | 40пА | 100В | 350 нм ~ 1100 нм | 0,31 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С618-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6183-datasheets-6359.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 200 нс | 75В | 940 нм | 30нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 371,1 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PDB-C152SMF | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc152sm-datasheets-1730.pdf | 1206 (3216 Метрическая единица) | 3,2 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Содержит свинец | 3216 | 1206 | 120° | 50 нс | 100В | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,66 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С611-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6113-datasheets-6294.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 715нс | 75В | 940 нм | 50нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 52 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 012-УВК-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-012uvc011-datasheets-6298.pdf | 14 недель | 55° | 5В | 210 нм ~ 280 нм | 100нА | 0,06 А/Вт при 275 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С614-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6142-datasheets-6306.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 125 нс | 75В | 940 нм | 250 нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 177,9 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С611-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6113-datasheets-6294.pdf | Править | 715нс | 75В | 940 нм | 50нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 52 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С612-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6123-datasheets-6314.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 45нс | 75В | 940 нм | 75нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 68,7 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МИКРОРБ-10035-MLP-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | РБ-СЕРИЯ СИПМ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microrb10020mlptr1-datasheets-2268.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 900пс | ПРИКОЛОТЬ | 905 нм | 25В | 300 нм ~ 1050 нм | 1 мм2 | 1,5 мкА | 420 кА/Вт при 905 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | |||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С611-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6113-datasheets-6294.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 715нс | 75В | 940 нм | 50нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 52 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С604-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6041-datasheets-6251.pdf | Править | 15 нс | 25В | 940 нм | 6нА | 25В | 350 нм ~ 1100 нм | 4,34 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С608-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6081-datasheets-6189.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 28нс | 75В | 940 нм | 25нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 38,4 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EAPDLP05RDDA0 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eapdlp05rdda0-datasheets-6255.pdf | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 20 недель | 8541.40.80.00 | 45нс | ПРИКОЛОТЬ | 32В | 940 нм | 5нА | 32В | 730 нм ~ 1100 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BS100C | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | 1 (без блокировки) | 60°С | -20°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/sharpmicroelectronics-bs100c-datasheets-6326.pdf | Вид спереди | Содержит свинец | 10 В | 560 нм | 3пА | 10 В | 500 нм ~ 600 нм | 1,55 мм2 | 3пА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С601-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6013-datasheets-6201.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 10 нс | 75В | 940 нм | 500пА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 1 мм2 | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С100 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc100-datasheets-6330.pdf | ТО-46-3 Металлическая банка | 3нс | 83° | ПРИКОЛОТЬ | 100В | 850 нм | 1нА | 100В | 400 нм ~ 1150 нм | 0,59 мм2 | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С604-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6041-datasheets-6251.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 15 нс | 25В | 940 нм | 6нА | 25В | 350 нм ~ 1100 нм | 4,34 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С613-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbv6132-datasheets-6092.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | 50 нс | 75В | 940 нм | 90нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 86,4 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С603-1 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/advancedphotonix-pdbc6032-datasheets-6225.pdf | Править | 12нс | 75В | 940 нм | 3нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 2,55 мм2 | Синий |
