Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФототранзисторы(1019)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Потребляемая мощность | Выходной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Максимальный ток во включенном состоянии | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Световой ток-ном. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОЭД-СТ-44Ф | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 2-СМД, без свинца | Без свинца | ОВАЛ | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | 200мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,003А | ОДИНОКИЙ | 200мВт | 70В | 3мА | 850 нм | 400 нА | 2 мм | ДА | 3мА | 400 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT550F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt550-datasheets-2135.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид сверху | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 100 мА | ФОТО ДАРЛИНГТОН | 100° | Куполообразный | 350 мкс | 300 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 6В | 100 мА | 800 нм | 1 мкА | ДА | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДП8405-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sdp8405002-datasheets-2243.pdf | 5В | Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | НПН | 70мВт | 70мВт | 1 | 70мВт | 14 мА | 20° | 15 мкс | 15 мкс | 70мВт | 30В | 5В | 30В | 14 мА | 935 нм | 100 нА | 30В | 14 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ381 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt381-datasheets-2248.pdf | Т-1 | 1 | Вид сверху | 75мВт | 40° | 400 мкс | 400 мкс | 75мВт | 35В | 35В | 20 мА | 800 нм | 100 нА | 35В | 20 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП300СЛ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op300sl-datasheets-2256.pdf | Таблетка | Вид сверху | НПН | 50мВт | 35° | 50мВт | 15 В | 15 В | 1,1 В | 15 В | 800 мкА | 890 нм | 1 мкА | 15 В | 800 мкА | 1 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT100MC0MP | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/sharpmicroelectronics-pt100mc0mp-datasheets-2151.pdf | 2-СМД, без свинца | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 13 недель | Неизвестный | 2 | Универсальный | Нет | 1 | Прозрачный | е4 | Золото (Ау) | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 75мВт | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 30° | Куполообразный | 5 мкс | 6 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 35В | 400мВ | 6В | 20 мА | 900 нм | 100 нА | ДА | 2,9 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| PNA2603L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pna2603l-datasheets-2272.pdf | Радиальный | КРУГЛЫЙ | нет | Вид спереди | неизвестный | 1 | 100мВт | 80°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ДАРЛИНГТОН | 0,03 А | 80° | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 20 В | 30 мА | 800 нм | 500нА | 2,4 мм | ДА | 1 мА | 500нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSD723 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qsd723-datasheets-2183.pdf | 30В | ТО-18-2 | 5В | Без свинца | 0г | 2 | да | Вид сверху | Нет | Черный, Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 40° | Куполообразный | 8 мкс | 8 мкс | 30В | 30В | 30В | 5В | 10 мА | 880 нм | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОЭД-СТ-23Г | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -20°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/lumexoptocomComponentsinc-oedst23g-datasheets-2277.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 26 недель | да | Вид спереди | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,004А | 60° | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 30В | 4мА | 880 нм | 100 нА | 1,5 мм | ДА | 4мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПХ 81-4 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~80°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpx814-datasheets-2188.pdf | Радиальный – 2 отведения | Вид сверху | 36° | 90мВт | 850 нм | 32В | 50 мА | 200нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD2440-003 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Панель, поверхностное крепление | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd2440003-datasheets-2282.pdf | Мини-таблетки | 1,57 мм | 3,18 мм | 1,57 мм | Без свинца | 22 недели | Неизвестный | 2 | Вид сверху | НПН | 125 МВт | 1 | 125 МВт | 1 | 125 МВт | 4мА | 48° | 15 мкс | 15 мкс | 125 МВт | 30В | 400мВ | 30В | 4мА | 880 нм | 100 нА | 30В | 4мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| L14F1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-l14f2-datasheets-1953.pdf | 25 В | 7,5 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | Вид сверху | НПН | 300мВт | 600мВт | 1 | 300мВт | 16° | 300 мкс | 250 мкс | 25 В | 25 В | 25 В | 7,5 мА | 880 нм | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОЭД-СТ-1Л2 | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°С~80°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/lumexoptocomComponentsinc-oedst1l2-datasheets-2293.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 26 недель | да | Вид сверху | ОЭД-СТ-1Л2 | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,028А | 40° | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 30В | 28мА | 880 нм | 100 нА | 5 мм | ДА | 1 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 3400 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~100°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh3400z-datasheets-1498.pdf | 3-СМД, Крыло Чайки | Вид сверху | 120° | 120 мВт | 850 нм | 20 В | 50 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДП8405-014 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sdp8405002-datasheets-2243.pdf | Радиальный | 3,94 мм | 6,35 мм | 3,94 мм | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | НПН | 70мВт | 1 | 70мВт | 1 | 70мВт | 1,85 мА | 20° | 15 мкс | 15 мкс | 70мВт | 30В | 30В | 1,85 мА | 935 нм | 100 нА | 30В | 1,85 мА | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSE112 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSD722 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qsd723-datasheets-2183.pdf | ТО-18-2 | 5В | Без свинца | 0г | 2 | да | Вид сверху | Нет | Черный, Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 40° | Куполообразный | 8 мкс | 8 мкс | 30В | 30В | 30В | 880 нм | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ108 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz108-datasheets-2205.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Вид сверху | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 150 мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,03 А | 20° | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 150 мВт | 20 В | 30 мА | 900 нм | 2мкА | 4,6 мм | ДА | 5мА | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ4800 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt4800f-datasheets-2143.pdf | Радиальный | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид спереди | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 75мВт | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | ОДИНОКИЙ | 75мВт | 35В | 20 мА | 800 нм | 100 мкА | 0,8 мм | ДА | 0,4 мА | 100 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПМ-20ПБМ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1998 год | Радиальный | 2 | Вид спереди | Нет | НПН | 100мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,03 А | 28° | Куполообразный | 100мВт | 32В | 5В | 30 мА | 800 нм | 500нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ155 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz155-datasheets-2229.pdf | Вид спереди | ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ | нет | Вид спереди | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,01 А | 140° | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 20 В | 10 мА | 800 нм | 1 мкА | 3,5 мм | ДА | 0,0002 мА | 1 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 314 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh314-datasheets-2235.pdf | Радиальный | Вид сверху | 80° | 200мВт | 850 нм | 70В | 50 мА | 200нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ109Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz109l-datasheets-2081.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | КРУГЛЫЙ | нет | Вид сверху | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ С ФИЛЬТРОМ ДНЕВНОГО СВЕТА | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 150 мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,03 А | 20° | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 150 мВт | 20 В | 30 мА | 900 нм | 2мкА | 4,6 мм | ДА | 3,5 мА | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ510 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt510-datasheets-2159.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 5,7 мм | 6,8 мм | 5,7 мм | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 3 | Вид сверху | неизвестный | 1 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 12° | 2 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 35В | 20 мА | 800 нм | 100 нА | 4,7 мм | ДА | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПХ 83 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~80°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-bpx83-datasheets-2087.pdf | 6-СДИП (0,071, 1,80 мм) | 10 недель | Вид сверху | 36° | 90мВт | 850 нм | 35В | 50 мА | 50нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ501 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt510-datasheets-2159.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | Без свинца | Вид сверху | 75мВт | 10 мА | 12° | 10 мкс | 10 мкс | 75мВт | 45В | 45В | 10 мА | 800 нм | 100 нА | 45В | 10 мА | 100 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| L14C2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТА | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-l14c1-datasheets-1920.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Вид сверху | 80° | 300мВт | 880 нм | 50В | 100 нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT501A | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt510-datasheets-2159.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | Без свинца | КРУГЛЫЙ | Вид сверху | неизвестный | 1 | е3 | Олово (Вс) | 75мВт | 80 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 12° | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 75мВт | 45В | 45В | 10 мА | 800 нм | 100 нА | 4,7 мм | ДА | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ480 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt480-datasheets-2096.pdf | Радиальный | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид спереди | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | 3 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 6В | 20 мА | 800 нм | 100 мкА | ДА | 1,7 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSE243 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-qse243-datasheets-2171.pdf | Радиальный, вид спереди | Вид спереди | 50° | 100мВт | 880 нм | 30В | 100 нА |
