Фототранзисторы – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Диаметр Пакет/ключи Длина Рабочее напряжение питания Без свинца Форма Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Код Pbfree Ориентация ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Цвет линзы Полярность Максимальная рассеиваемая мощность Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Потребляемая мощность Выходная мощность Выходное напряжение Тип оптоэлектронного устройства Максимальный ток во включенном состоянии Угол обзора Стиль объектива Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Напряжение проба Мощность - Макс. Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Длина волны Длина волны — Пик Темный ток Размер Инфракрасный спектр Световой ток-ном. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Текущий — Темный (Id) (Макс.)
L14G1 Л14Г1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С 45В Соответствует RoHS 2001 г. /files/onsemiconductor-l14g2-datasheets-1944.pdf 45В 1 мА ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Без свинца Нет СВХК 3 Вид сверху НПН 300мВт 600мВт 1 600мВт 20° 8 мкс 45В 300мВт 45В 45В 45В 1 мА 880 нм 100нА 45В 100нА
QSD423 QSD423 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 1997 год /files/onsemiconductor-qsd422-datasheets-1971.pdf Радиальный
PNZ102 ПНЗ102 Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz102-datasheets-2051.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Без свинца КРУГЛЫЙ да Вид сверху неизвестный 8541.40.70.80 1 150 мВт 85°С -25°С Фототранзисторы ФОТО ТРАНЗИСТОР 0,05А 20° 3 мкс ОДИНОКИЙ 150 мВт 30 В 50 мА 800 нм 300нА 4,6 мм ДА 3,5 мА 300нА
OP805TXV OP805TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С Не соответствует требованиям RoHS 2001 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-op805txv-datasheets-1907.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 25 недель 3 Вид сверху НПН 250мВт 250мВт 1 24° 15 мкс 15 мкс 250мВт 30 В 30 В 50 мА 890 нм 100нА 30 В 50 мА 100нА
BPW38 БПВ38 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2001 г. /files/onsemiconductor-bpw38-datasheets-1978.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 25 В 3 Вид сверху НПН 300мВт 600мВт 1 18° 300 мкс 250 мкс 25 В 25 В 25 В 880 нм 100нА
OP604TXV OP604TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Защелкивается, внешнее крепление Поверхностный монтаж -55°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op604txv-datasheets-1911.pdf Таблетка Без свинца 25 недель 2 Вид сверху НПН 50мВт 50мВт 1 36° 20 мкс 20 мкс 50мВт 50В 50В 8мА 25нА 50В 8мА 25нА
L14N1 Л14Н1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С Соответствует RoHS 2001 г. /files/onsemiconductor-l14n1-datasheets-1916.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Без свинца 3 Вид сверху НПН 300мВт 600мВт 1 80° 14 мкс 16 мкс 30 В 300мВт 30 В 30 В 880 нм 100нА 30 В 100нА
L14C1 L14C1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-l14c1-datasheets-1920.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 80° 300мВт 880 нм 50В 100нА
OP604S ОП604С ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Защелкивается, внешнее крепление Поверхностный монтаж -55°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С Не соответствует требованиям RoHS 2010 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op604txv-datasheets-1911.pdf Таблетка 29 недель 2 Вид сверху НПН 50мВт 50мВт 1 36° 20 мкс 20 мкс 50мВт 50В 50В 8мА 25нА 50В 8мА 25нА
OP804TXV OP804TXV ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С Не соответствует требованиям RoHS 2001 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-op805txv-datasheets-1907.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 25 недель Вид сверху НПН 250мВт 250мВт 24° 250мВт 30 В 30 В 50 мА 890 нм 100нА 30 В 50 мА 100нА
BPX 43-4 БПХ 43-4 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpx43-datasheets-1736.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 30° 220мВт 880 нм 50В 50 мА 20нА
OP805TX OP805TX ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С Не соответствует требованиям RoHS 2001 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-op805txv-datasheets-1907.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Содержит свинец 25 недель 3 Вид сверху НПН 250мВт 250мВт 1 24° 15 мкс 15 мкс 250мВт 30 В 30 В 50 мА 890 нм 100нА 30 В 50 мА 100нА
L14G2 Л14Г2 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-l14g2-datasheets-1944.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 20° 300мВт 880 нм 45В 100нА
QSC113 QSC113 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 г. /files/onsemiconductor-qsc113-datasheets-1949.pdf 30 В Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) Без свинца 129,6 мг 2 да Вид сверху Нет Черный, Прозрачный НПН 100мВт 100мВт 1 100мВт 100мВт 30 В Куполообразный 5 мкс 5 мкс 30 В 9мА 880 нм 100нА
L14F2 L14F2 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-l14f2-datasheets-1953.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 16° 300мВт 880 нм 25 В 100нА
L14P1 Л14П1 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-l14p1-datasheets-1958.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 16° 300мВт 880 нм 30 В 100нА
PNA1601M ПНА1601М Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2008 год /files/panasonicelectroniccomComponents-pna1601m-datasheets-1886.pdf Радиальный Содержит свинец КРУГЛЫЙ Вид спереди неизвестный 8541.40.70.80 1 50мВт 65°С -25°С Фототранзисторы ФОТО ТРАНЗИСТОР 0,02 А 70° 4 мкс ОДИНОКИЙ 50мВт 20 В 20 мА 850 нм 200нА 1,1 мм ДА 200нА
SFH 309-5 СФХ 309-5 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~100°С ТА Масса 2 (1 год) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh3094-datasheets-1472.pdf Радиальная линза Т-1 14 недель Вид сверху 24° 165мВт 860 нм 35В 15 мА 200нА
SD1440-004L SD1440-004L Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd1440004l-datasheets-1892.pdf 1,57 мм Коаксиальный, металлический корпус 25,4 мм 4 недели Неизвестный 2 Вид сверху Нет НПН 75мВт 75мВт 1 75мВт 24° 15 мкс 15 мкс 75мВт 50В 30 В 400мВ 30 В 935 нм 100нА 30 В 100нА
BPX 84 БПХ 84 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~80°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpx84-datasheets-1967.pdf 6-СДИП (0,071, 1,80 мм) 10 недель Вид сверху 36° 90мВт 850 нм 35В 50 мА 1нА
BPW36 БПВ36 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-bpw36-datasheets-1897.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 20° 300мВт 880 нм 45В 100нА
QSD422 QSD422 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 1 (без блокировки) 1997 год /files/onsemiconductor-qsd422-datasheets-1971.pdf Радиальный
BPW37 БПВ37 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА 1 (без блокировки) 2001 г. /files/onsemiconductor-bpw36-datasheets-1897.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка Вид сверху 20° 300мВт 880 нм 45В 100нА
PNA1801L PNA1801L Электронные компоненты Panasonic
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2009 год /files/panasonicelectroniccomComponents-pna1801l-datasheets-1973.pdf Т-1 Содержит свинец КРУГЛЫЙ Вид сверху ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ неизвестный 8541.40.70.80 1 100мВт 85°С -25°С Фототранзисторы ФОТО ТРАНЗИСТОР 0,02 А 60° 4 мкс ОДИНОКИЙ 100мВт 30 В 20 мА 800 нм 500нА 3 мм ДА 3мА 500нА
BPX 81 БПХ 81 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~80°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-bpx81-datasheets-1823.pdf Радиальный – 2 отведения 10 недель Вид сверху 36° 90мВт 850 нм 32В 50 мА 25нА
APECVA3010P3BT АПЕКВА3010P3BT Кингбрайт
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж, под углом -40°С~85°С ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует RoHS 2009 год 2-СМД, без свинца ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ да Вид спереди EAR99 8541.40.70.80 1 100мВт ФОТО ТРАНЗИСТОР 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 30 В 30 В 800мВ 30 В 200 мкА 940 нм 100нА 2 мм ДА
SFH 320 FA-3-Z СФХ 320 ФА-3-З OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать СВЕРНЕН Поверхностный монтаж -40°С~100°С ТА Лента и катушка (TR) 2 (1 год) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh320fa4z-datasheets-1629.pdf 2-LCC (J-вывод) 10 недель Вид сверху ФОТО ТРАНЗИСТОР 120° 165мВт 980 нм 35В 15 мА 50нА
OP800C ОП800С ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~125°С ТА Масса 1 (без блокировки) 125°С -65°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-op800c-datasheets-1843.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 12 недель 3 Вид сверху НПН 250мВт 250мВт 1 7 мкс 7 мкс 250мВт 30 В 400мВ 30 В 50 мА 890 нм 100нА 30 В 50 мА 100нА
BPX 88 БПХ 88 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°С~80°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpx88-datasheets-1848.pdf 6-ДИП 10 недель Вид сверху 36° 90мВт 850 нм 35В 50 мА 1нА
MTD8000N4-T МТД8000Н4-Т Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°С~100°С ТА Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 г. /files/marktechoptoelectronics-mtd8000n4t-datasheets-1852.pdf ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 12 недель Вид сверху 150 мВт Фототранзисторы 0,05А 24° 150 мВт 30 В 50 мА 880 нм 100нА 100нА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.