Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТВС-диоды(68624)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ECCN-код | Дополнительная функция | Эмкость на частотах | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Приложения | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Конфигурация | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Пиковая мощность оборотов без повторений Dis-Max | Защита линий электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные соединения | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ45D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 52,65 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 50,8 В | 8,4А | 45В | 1 | 71,6 В | 8,4А | 45В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMAJ26AHR3G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SMAJ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АС, СМА | 10 недель | Автомобильная промышленность | ДО-214АС (СМА) | Нет | 28,9 В | 9,5А | 42,1 В | 26В | 1 | 400 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМБДЖ33Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 38,65 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 37,3 В | 11,5А | 33В | 1 | 52,5 В | 11,5А | 33В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ6.5D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 7,33 В | 54,5А | 6,5 В | 1 | 11В | 54,5А | 6,5 В | 600 Вт | |||||||||||||||
| ДФ6Д6М4Н,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df6d6m4nlf-datasheets-4019.pdf | 6-УФДФН | 12 недель | 0,2 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Нет | 5,6 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 5,5 В Макс. | 30 Вт | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМБДЖ150А | Тайванская полупроводниковая корпорация | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | СМБЖ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | ДО-214АА, СМБ | 6 недель | Общего назначения | СМБДЖ150 | ДО-214АА (СМБ) | Нет | 167В | 2,5 А | 243В | 150 В | 1 | 600 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMBJ150D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 176В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 170 В | 2,53А | 150 В | 1 | 239В | 2,53А | 150 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ14D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 15,8 В | 26,2А | 14 В | 1 | 22,9 В | 26,2А | 14 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ17D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 19,2 В | 22,1А | 17В | 1 | 27,2 В | 22,1А | 17В | 600 Вт | ||||||||||||||
| СМБДЖ24Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 28,1 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 27,1 В | 15,6А | 24В | 1 | 38,4 В | 15,6А | 24В | 600 Вт | |||||||||||||
| СМБДЖ120Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 140 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 135 В | 3,15А | 120 В | 1 | 190В | 3,15А | 120 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ8.5D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 9,57 В | 42,2А | 8,5 В | 1 | 14,3 В | 4,46А | 8,5 В | 600 Вт | |||||||||||||||
| СМБДЖ26Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 30,4 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 29,3 В | 14,5А | 26В | 1 | 41,6 В | 14,5А | 26В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ18D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 20,3 В | 20,8А | 18В | 1 | 28,8 В | 20,8А | 18В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ90D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДА | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 105,5 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 90В | 600 Вт | Нет | 102В | 4,17А | 144В | 90В | 1 | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ22D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 24,8 В | 17,1А | 22В | 1 | 35,1 В | 17,1А | 22В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ15D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 17В | 25А | 15 В | 1 | 24В | 25А | 15 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ16D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 18,1 В | 23,4А | 16 В | 1 | 25,6 В | 23,4А | 16 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| СМБДЖ5.0Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 5В | Нет | 6,5 В | 65,9А | 5В | 1 | 9,1 В | 65,9А | 5В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ130D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 151,5 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 146В | 2,94А | 130 В | 1 | 206В | 2,94А | 130 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ40D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 46,75 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 45,1 В | 9,43А | 40В | 1 | 63,6 В | 9,43А | 40В | 600 Вт | ||||||||||||||
| СМБДЖ100Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 117В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 113В | 3,77А | 100В | 1 | 159В | 3,77А | 100В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ188D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 13 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 220В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 212В | 2.03А | 188В | 1 | 301В | 2.03А | 188В | 600 Вт | ||||||||||||||
| СМБДЖ60Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 70,2 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 60В | Нет | 67,7 В | 95,5 В | 60В | 1 | 10,2 В | 6,28А | 6В | 600 Вт | 600 Вт | ||||||||||||
| СМБДЖ20Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 22,5 В | 18,8А | 20 В | 1 | 32В | 18,8А | 20 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ58D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 67,8 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 65,4 В | 6,5 А | 58В | 1 | 92,3 В | 6,5 А | 58В | 600 Вт | ||||||||||||||
| СМБДЖ7.0Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 7В | Нет | 7,9 В | 50,8А | 7В | 1 | 11,8 В | 5,4А | 7В | 600 Вт | ||||||||||||||
| SMBJ7.5D-M3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 8,46 В | 47,2А | 7,5 В | 1 | 12,7 В | 5.06А | 7,5 В | 600 Вт | |||||||||||||||
| СМБДЖ30Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 1 | Подавители переходных процессов | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | 35,05 В | КРЕМНИЙ | 1 Вт | Нет | 33,8 В | 12,6А | 30 В | 1 | 47,7 В | 12,6А | 30 В | 600 Вт | ||||||||||||||
| СМБДЖ8.0Д-М3/И | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Зенер | ТрансЗорб® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛАВИНА | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductordiodesdivision-smbj10dm3h-datasheets-2413.pdf | ДО-214АА, СМБ | 2 | 12 недель | EAR99 | ОТЛИЧНАЯ ЗАЖИМНАЯ ВОЗМОЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | Общего назначения | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | 30 | 1 | Р-ПДСО-С2 | ОДИНОКИЙ | КРЕМНИЙ | 1 Вт | 8В | Нет | 9,03 В | 44,8А | 8В | 1 | 13,4 В | 44,8А | 8В | 600 Вт |
