Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы БЮТ-транзисторов (1927 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Напряжение проба стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НСБА143EDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 15 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 15 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| НСБК114YPDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-nsbc144epdxv6t5-datasheets-7693.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 4,7. | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||
| НСБК114YDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 4,7 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||
| ЭМС4DXV5T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-emc3dxv5t1g-datasheets-4902.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-553 | Без свинца | 5 | 4 недели | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | Нет | е3 | Олово (Вс) | НПН, ПНП | Без галогенов | ДА | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | MC4 | 5 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | СЛОЖНЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм, 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||
| НСТБ60BDW1T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-nstb60bdw1t1-datasheets-7744.pdf | -1 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | УСТАРЕЛО (Последнее обновление: 5 дней назад) | нет | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 2,13. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН, ПНП | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | НСТБ60Б | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 187мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | -150 мА | 50В | 250 мВ | 150 мА | 140 МГц | 50В | 500нА | 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP | 80 при 5 мА 10 В / 120 при 5 мА 10 В | 140 МГц | 250 мВ при 5 мА, 10 мА / 500 мВ при 5 мА, 50 мА | 22 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5137dw1t1-datasheets-7683.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | MUN51**DW1T | 6 | 30 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 250мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 100 кОм | 100 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114EDXV6T5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 35 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 35 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| НСБК113EDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 240 | НСБК1* | 6 | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | НПН | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | ||||||||||||||||||||||||||
| НСБК124СДСВ6Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 2,14 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| ЭМС2DXV5T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-emc3dxv5t1g-datasheets-4902.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-553 | Без свинца | 5 | 5 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 5 | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | КАСКАДНОЕ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 60 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||
| EMA6DXV5T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ema6dxv5t1-datasheets-7724.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-553 | Без свинца | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 230мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | МА6 | 5 | 40 | 230мВт | 2 | Малые сигналы назначения общего BIP | Не квалифицированный | ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||
| УП0411300Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-up0411100l-datasheets-6665.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 125 МВт | Двойной | ССМИНИ6-Ф1 | 125 МВт | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 80 МГц | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114TDXV6T5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| НСБК123JDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21,36 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| НСБА113EDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | 40 | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 500мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 3 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 1 кОм | 1 кОм | |||||||||||||||||||||||||||
| НСБА114YDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,21. | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| НСБА114TDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| NSB1706DMW5T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsb1706dmw5t1-datasheets-7738.pdf | 50В | 100 мА | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | Содержит свинец | 5 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения 10. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | НСБ1706 | 5 | 30 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г5 | ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| НСБК114ТДСВ6Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 160 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НСБА124EDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 60 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 60 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 22 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mun5137dw1t1-datasheets-7683.pdf | -50В | -100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | КОЭФФИЦИЕНТ ВСТРОЕННОГО РЕЗИСТОРА СМЕЩЕНИЯ СОСТАВЛЯЕТ 0,47. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | MUN51**DW1T | 6 | Двойной | 30 | 250мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| УМА6НТ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-uma6nt1-datasheets-7685.pdf | -50В | -100 мА | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | Содержит свинец | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | нет | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | МА6 | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 150 мВт | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| НСБА123EDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-nsba123edxv6t1-datasheets-7687.pdf | -50В | -100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБА1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 8 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 8 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 2,2 кОм | 2,2 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| НСБК123JDXV6T5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 21,36 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| MUN5237DW1T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mun5211dw1t1-datasheets-7573.pdf | 50В | 100 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения составляет 0,47. | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | 250мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | MUN52**DW1T | 6 | Двойной | 30 | 187мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 5 мА, 10 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||
| НСБК144EPDXV6T5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc144epdxv6t5-datasheets-7693.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | Коэффициент встроенного резистора смещения регулировки 1. | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| NSBC143ZDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТ 10 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 80 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||
| УМА4НТ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-uma6nt1-datasheets-7685.pdf | -50В | -100 мА | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | Содержит свинец | 5 | 5 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ПНП | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5 | 30 | 150 мВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ОБЩИЙ ЭМИТТЕР, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 50В | 160 | 500нА | 2 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 300 мкА, 10 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||
| NSBC114TPDXV6T1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-nsbc144epdxv6t5-datasheets-7693.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | ПНП | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||
| НСБК143ТДСВ6Т1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nsbc123jdxv6t5-datasheets-7689.pdf | 50В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Содержит свинец | 6 | 6 | EAR99 | ВСТРОЕННЫЙ РЕЗИСТОР СМЕЩЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НПН | 500мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НСБК1* | 6 | Двойной | 40 | 357 МВт | 2 | БИП Малый сигнал общего назначения | Не квалифицированный | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 мА | 50В | 250 мВ | 100 мА | 160 | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 160 @ 5 мА 10 В | 250 мВ при 1 мА, 10 мА | 4,7 кОм |
